进口
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·半导体和裂变产物探测
技术参数:
类型 自动
测量方法 非接触式
测量原理 反射计
活动范围 300mm x 300mm
测量范围 100Å~ 35㎛(Depends on Film Type)
光斑尺寸 40㎛/20㎛,4㎛(option)
测量速度 1~2 sec./site (fitting time)
测量样品尺寸 4~12"
物镜转换器 :Quintuple Revolving Nosepiecs
焦点: Coaxial Coarse and Fine Focus Controls
附带照明: 12v 100W Tungsten-Halogen Lamp
尺寸:500 x 750 x 650 mm
重量:100Kg
可选项目 :
Reference sample(K-MAC or KRISS or NIST)
Anti-vibration table
应用领域:
半导体::Poly-Si, GaAs, GaN, InP, ZnS + Si, Ge, SiGe...
介质材料:SiO2, TiO2, TaO5, ITO, ZrO2, Si3N4, Photoresist, ARC,...
平板行业:(包括 LCD, PDP, OLED): a-Si, n+-a-Si, Gate-SiNx MgO, AlQ3, ITO, PR, CuPc, NPB, PVK, PAF, PEDT-PSS, Oxide, Polyimide...
光学镀膜:硬度涂层、增反射薄膜,、Color Filters、封装和功能薄膜...
太阳能电池: Doping a-Si(i-type, n-type, p-type), TCO(ZnO, SnO, ITO..)
聚合物:PVA, PET, PP, Dye, Npp, MNA, TAC, PR...
Recordable materials: Photosensitive drum, Video head, Photo masks, Optical disk
其他:示波管上的光阻薄膜材料与掩膜板、金属薄膜、激光镜...
主要特点:
测量迅速,操作简单
非接触式,非破坏方式
优秀的重复性和再现性
2D/3D 绘制与曲面轮廓
自动平台控制以及防震台
CCD摄像头自动调焦
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