该设备以电子束蒸发方式镀膜设备,主要用于制备各种导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜,微纳器件微加工,电镜样品预处理等,尤其适用蒸镀各种难熔金属材料。不仅可用于玻璃片、硅片等硬质衬底,也可用用于PDMS、PTFE、PI等柔性衬底上镀膜。
设备技术参数
1、使用条件:环境温度5℃~40℃ 电源:三相380 V,功率:≤20 KW,水压:≤2.5bar
2、真空室尺寸:蒸发室尺寸:φ500×H500(㎜)
3、电子枪:新型电子枪1套,6穴坩埚
4、样品转盘:样品尺寸:≤φ150mm,样品可旋转,也可上下升降调节样品到电子枪距离(样品托形状按用户要求设计),加热温度≤500℃
5、系统真空度:
? 极限真空:经12~24小时烘烤,连续抽气≤5x10-5Pa
? 抽气速率:从大气开始40分钟内真空度≤5x10-4Pa
? 系统漏率:整机漏率≤1×10-8Pa.L/s 停泵关机12小时后,测量真空室真空度≤10Pa
6、抽真空系统:FB1200分子泵+机械泵(TRP-36)系统,并设置旁路抽气
7、镀膜监测:采用SQM160膜厚仪进行监测。
8、镀膜厚度的不均匀度≤6%
1年
否
有
2人次技术培训
一年一次
免费维修
24小时内响应
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