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该设备以电子束蒸发方式镀膜设备，主要用于制备各种导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜，微纳器件微加工，电镜样品预处理等，尤其适用蒸镀各种难熔金属材料。不仅可用于玻璃片、硅片等硬质衬底，也可用用于PDMS、PTFE、PI等柔性衬底上镀膜。
设备技术参数
1、使用条件：环境温度5℃～40℃ 电源：三相380 V,功率：≤20 KW，水压：≤2.5bar
2、真空室尺寸：蒸发室尺寸：φ500×H500(㎜)
3、电子枪：新型电子枪1套，6穴坩埚
4、样品转盘：样品尺寸：≤φ150mm，样品可旋转，也可上下升降调节样品到电子枪距离(样品托形状按用户要求设计),加热温度≤500℃
5、系统真空度：
? 极限真空：经12～24小时烘烤，连续抽气≤5x10-5Pa
? 抽气速率：从大气开始40分钟内真空度≤5x10-4Pa
? 系统漏率：整机漏率≤1×10-8Pa.L/s 停泵关机12小时后，测量真空室真空度≤10Pa
6、抽真空系统：FB1200分子泵+机械泵(TRP-36)系统，并设置旁路抽气
7、镀膜监测：采用SQM160膜厚仪进行监测。
8、镀膜厚度的不均匀度≤6%
1年
否
有
2人次技术培训
一年一次
免费维修
24小时内响应
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