霍尔效应测试仪是一种用于测量材料霍尔效应的仪器,主要用于评估半导体和导体的电学特性。该设备能够准确测量材料在外部磁场下的电导率、霍尔电压和载流子浓度等参数,广泛应用于材料科学和电子工程领域。
霍尔效应测试仪主要用于半导体材料的研究与开发、电气元件的性能测试以及材料的电学特性评估。它帮助研究人员了解材料的载流子类型、浓度及迁移率,为新材料的设计和应用提供重要数据支持。
霍尔效应测试仪的工作原理基于霍尔效应现象。当电流通过材料时,施加垂直于电流方向的磁场会在材料中产生霍尔电压。通过测量霍尔电压和已知的电流及磁场强度,仪器能够计算出材料的霍尔系数、载流子浓度和迁移率等电学参数。这一过程通常涉及精密的电流和磁场控制,以确保测量的准确性和重复性。
1. 系统功能:用于测量半导体材料的电阻率/电导率、流动性、散装/片状载体浓度、掺杂类型、霍尔系数、磁阻、垂直/水平阻力比的半导体高性能霍尔系统。模块化设计理念,允许轻松升,该系统适用于各种材料,包括硅和化合物半导体和金属氧化物膜等
2. 该系统具有低电阻率和高电阻率测量功能,具有双重温度功能和一个可选的低温恒温器,可扩展该系统温度范围从90K到500K
3. 方块电阻量程:10-4 Ω/sq ~ 106Ω/sq
4. 载流子浓度量程:106 ~ 1021 cm-3
5. 载流子迁移率量程:1 ~ 107 cm
6. 四个微调探针座,探针直接形成ohm接触,无需焊线或制作PCB板
7. 大样品测量直径:25mm
60天
1年
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