1. 产品概述
Shale® C系列电感耦合等离子体化学气相沉积设备(ICP-CVD)是一款先进的薄膜沉积设备,它结合了电感耦合(ICP)和电容耦合(CCP)技术,为用户提供了一种高效、可靠的薄膜沉积解决方案。
该设备通过高密度等离子体的产生,实现了极低的沉积温度,这不仅能够保护基材,减少热损伤,还能确保薄膜的高致密性与优异的填充能力。该工艺适用于多种材料的沉积,尤其是在对薄膜质量有高要求的应用中表现优越。
此外,Shale® C系列设备采用了符合国际标准的零部件,这些组件是8英寸产线设备中的常用标准部件,确保了设备的兼容性与可维护性。设备的设计遵循SEMI的严格标准,确保其在半导体行业中的稳定运行及高度可靠。
在产品性能方面,Shale® C系列经过了一系列严格的稳定性和可靠性测试,验证了其在长时间连续运行下的表现。这使得该设备成为高端制造过程中的理想选择,适合用于大规模生产和研发实验。
2. 系统特性
可在低温(<120°C)下沉积高致密薄膜,其致密性不亚于LPCVD在750°C生长的薄膜
可有效降低等离子体损伤,从而降低漏电,漏电流密度与原子层沉积(ALD)制备的薄膜相当
可提供高深宽比薄膜填充工艺
可选8/6英寸电,适用于不同尺寸的晶圆
60天
1年
安装调试现场免费培训
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