硅材料

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硅材料相关的资讯

  • 沪硅产业产能升级!55亿元成立硅材料技术公司
    大半导体产业网消息,据企查查APP显示,近日,太原晋科硅材料技术有限公司成立,注册资本55亿元,经营范围包括半导体分立器件制造、电子专用材料制造、其他电子器件制造、集成电路制造等。股权穿透图显示,该公司由国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司、太原晋科半导体科技有限公司、太原市汾水资本管理有限公司共同持股。据了解,太原晋科半导体科技有限公司是硅产业集团(NSIG)旗下上海新昇半导体的下设全资子公司。今年6月,沪硅产业曾发布公告称,拟投资建设集成电路用300mm硅片产能升级项目,将分为太原项目及上海项目两部分进行实施,以扩大公司集成电路用300mm硅片生产规模,增加至120万片/月。公告显示,沪硅产业拟通过全资子公司上海新昇或其下设子公司与国家大基金二期、太原市汾水资本管理有限公司或其下设子公司共同出资55亿元,投资设立控股子公司太原晋科硅材料技术有限公司,作为项目公司实施集成电路用300mm硅片产能升级太原项目。太原项目计划投资91亿元,预计总产能目标为建设拉晶产能60万片/月(含重掺)、切磨抛产能20万片/月(含重掺),并推动300mm硅片技术不断升级迭代,以满足国内不同技术节点的工艺需求。而上海项目实施主体为硅产业集团全资子公司上海新昇半导体科技有限公司,建设内容包括切磨抛产能40万片/月,投资金额预计41亿元。
  • 晶龙携手世界500强建硅材料实验室
    笔者近日从我省光伏产业巨头晶龙集团获悉,世界500强企业——美国应用材料公司经过对中国市场的长期考察,十分看好晶龙集团在半导体领域的技术创新能力和行业优势,日前选定在晶龙集团建立硅探针材料实验室。   美国应用材料公司是全球最大的半导体生产设备和高科技技术服务企业,营业收入连续9年在半导体生产设备领域名列第一。晶龙集团是国家火炬计划太阳能硅材料产业基地,年产单晶硅5000余吨,产量连续8年居世界之最。企业成功研发了二极管单晶可循环生产工艺。晶龙生产的太阳能级、半导体器件级和集成电路级硅单晶在业界享有盛誉。美国应用材料公司决定投资在晶龙集团建立半导体专用部件实验室和检测室即硅探针材料实验室,标志着晶龙集团真正成为了美国应用材料公司在中国的供应商。
  • 四川乐山筹建国家硅材料质检中心
    四川省乐山市积极筹建国家硅材料质检中心   目前,前期方案已制定完成,受到国家质检总局的重视。按照前期方案,该中心拟建设4000平方米的国内一流硅材料及副产物检测实验室,最终将把中心建成我国在工业硅、有机硅材料、三氯氢硅、四氯化硅、气相白炭黑、高纯金属、有机硅材料、太阳能电池组件等方面的国家权威检测机构。

硅材料相关的方案

  • 海能仪器:微波消解硅碳负极材料
    石墨类负极作为主要的负极材料,应用已经非常广泛,但是石墨类负极材料容量已做到360mAh/g,已经接近372mAh/g的理论克容量,再想提升其空间已很难实现。而硅与碳化学性质相近,理论比容量高达3572 mA· h/g,远高于商业化石墨理论比容量。但是硅负极材料存在的问题有循环寿命低、体积变化大、持续产生SEI膜,而硅碳负极材料可以有效改善这些问题,所以硅碳负极材料是未来负极材料的发展重点。《GBT24533-2009锂离子电池石墨类负极材料标准》规定了石墨类负极材料中多种重金属的含量要求,采用微波消解的方法对其进行前处理,本方法消解迅速,酸用量少,酸雾污染小,有利于后续AAS、ICP等对样品中重金属元素的准确快速测定。
  • 上海新仪:微波消解硅碳负极材料
    石墨类负极作为主要的负极材料,应用已经非常广泛,但是石墨类负极材料容量已做到360mAh/g,已经接近372mAh/g的理论克容量,再想提升其空间已很难实现。而硅与碳化学性质相近,理论比容量高达3572 mA· h/g,远高于商业化石墨理论比容量。但是硅负极材料存在的问题有循环寿命低、体积变化大、持续产生SEI膜,而硅碳负极材料可以有效改善这些问题,所以硅碳负极材料是未来负极材料的发展重点。《GBT24533-2009锂离子电池石墨类负极材料标准》规定了石墨类负极材料中多种重金属的含量要求,采用微波消解的方法对其进行前处理,本方法消解迅速,酸用量少,酸雾污染小,有利于后续AAS、ICP等对样品中重金属元素的准确快速测定。
  • 微波消解硅碳负极材料
    石墨类负极作为主要的负极材料,应用已经非常广泛,而硅与碳化学性质相近,理论比容量远高于商业化石墨理论比容量。但是硅负极材料存在的问题有循环寿命低、体积变化大、持续产生SEI膜,而硅碳负极材料可以有效改善这些问题,所以硅碳负极材料是未来负极材料的发展重点。《GBT24533-2009锂离子电池石墨类负极材料标准》规定了石墨类负极材料中多种重金属的含量要求,采用微波消解的方法对其进行前处理,本方法消解迅速,酸用量少,酸雾污染小,有利于后续AAS、ICP等对样品中重金属元素的准确快速测定。

硅材料相关的论坛

  • 【讨论】高硅耐火材料

    高硅耐火材料熔融,用什么熔剂?应注意什么。我用的是混合熔剂,有一个98%的硅石不能完全熔融

硅材料相关的资料

硅材料相关的仪器

  • ZJC-50KV硅材料电压击穿/介电强度试验仪设备参数:1、输入电压:AC 220V2、输出电压AC: 0~50KV;DC:0~50KV3、输出功率:5KVA4、测量范围: 0~50KV5、电压测量误差:≤ 2%6、升压速率:0.1kV/s ~10 kV/s7、耐压试验电压:10~50KV连续可调8、耐压时间: 0~4H(无电流导通情况下)9、电源:220V±10%的单相交流电压和50Hz±1%的频率10、电源电压稳定度外界电源电压波动≤10%11、长×宽×高1100mm×800mm×1450mm12、设备自重:200kg13、运行环境温度:15 ~ 30℃,相对湿度:30%~85%能够稳定运行。14、接地要求仪器需要单独接地,接地附合国家标准要求15、接地电阻要求≤4Ω(用户实验室自行准备)16、型号:ZJC-50kV影响固体介质击穿电压的因素:电压作用时间:t↑—Ub↓。1min击穿电压与长时间的击穿电压差不多。所以通常用1min工频试验电压估计固体介质的热击穿电压。击穿电压与电压作用时间的关系如果电压作用时间很短(例如0.1s以下),固体介质的击穿往往是电击穿,击穿电压较高。随着电压作用时间的增长,击穿电压将下降,如果在加电压后数分钟到数小时才引起击穿,则热击穿往往起主要作用。工频交流1min耐压试验中试品被击穿,常常是电和热双重作用的结果。许多有机绝缘材料的短时间电气强度很高,但它们耐局部放电的性能往往很差,以致长时间电气强度很低,这一点必须予以重视。在那些不可能用油浸等方法来消除局部放电的绝缘结构中(例如旋转电机),就必须采用云母等耐局部放电性能好的无机绝缘材料。温度:电击穿与温度无关,这时的击穿场强很高; 环境温度越高、散热越差(厚度),热击穿电压越低;工频电压下击穿电压与温度的关系临界温度t0不是该固体介质固有的物理常数,而是随固体介质的厚度、冷却条件和所加电压等因素而变化。电场均匀程度均匀电中,击穿电压较高,而且击穿电压随介质厚度的增加呈线性关系上升;不均匀电场中,击穿电压不随介质厚度的增加呈线性上升,可能会出现热击穿,因此,介质厚度达到一定程度后,厚度再增加对提高击穿电压意义不大。 电压种类同一根电缆的直流耐压约为交流耐压的3倍。直流击穿电压:高于工频交流击穿电压,因为仅有电导损耗;工频交流击穿电压:高于高频交流击穿电压,因为极化损耗高;冲击击穿电压:高于工频交流击穿电压;受潮固体电介质受潮后其击穿电压的下降程度与材料的吸水性有关。对不易吸潮的电介质,受潮后击穿电压下降一半左右,例如聚四氟乙烯、聚乙烯等中性介质;对易吸潮的电介质,受潮后击穿电压仅为干燥时的几百分之一,如纸、棉纱等纤维材料。 注意:高压电气设备的绝缘在制造时应注意烘干,在运行中要注意防潮,并定期检查受潮情况。机械负荷影响在弹性形变范围内,其击穿电压变化不大。  当绝缘结构承受较大的机械负荷,使材料出现开裂或微观裂缝时,击穿电压将显著下降。  有机固体电介质在长期运行中因热、化学等作用而逐渐发脆,遇到较大的机械应力时就可能裂开或松散,如在这些裂缝中充有污浊物或受潮后,击穿电压下降更多. 累积效应固体电介质属于非自恢复绝缘,在极不均匀电场中,当作用在固体介质上的电压为幅值较低或作用时间较短的冲击电压时,会使绝缘产生一定程度的损伤,那么在多次施加同样电压时,绝缘的损伤会逐步积累,其击穿电压也会降低。注意:在确定电气设备试验电压和试验次数时都需要注意此累积效应,设计中要保证一定的绝缘裕度。
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  • 硅材料氧碳含量专用测定仪产品特点1、智能的人机交互设计,无论您是否接触过傅立叶红外软件,都能迅速熟练操作;2、配备智能湿度自动提醒装置,减轻了操作人员对仪器维护的工作量,电子湿度数字直观显示功能,将自动提醒用户更换干燥剂,解决红外使用过程中大的隐患 3、干涉仪:新的磁悬浮平面镜电磁驱动,具有三维激光控制、数字化连续自动调整和DSP控制功能,自动优化系统能量,无需人工调整。4、分束器:进口KBr基片镀锗. 5、接收器:进口带有防潮膜高性能DLATGS检测器,仪器可自动识别,优于24位500KHz高精度A/D转换器,确保光谱数据快速精确采集.6、数据传输接口:标准USB高速双向通讯7、支持系统:Windows XP、Windows Vista、Windows 7、Windows 88、软件功能更强大:具有自我诊断功能保证了仪器状态和测试参数正确;强大的数据处理分析软件,轻松处理标峰、峰面积积分、基线校准等操作;红外软件:中文版32位处理软件。包括:红外控制、谱图处理、数据转换、多组分定量等操作软件;H2O/CO2 自动补偿软件,自检软件;宏程序软件;9、硬件实时在线诊断:硬件实时在线诊断:连续在线监控所有光学部件(激光、光源、检测器、分束器);保证仪器始终处于佳工作状态,软件H2O/CO2 自动补偿软件,自动除去空气中水和二氧化碳 10、光学台整体密封干燥设计,提高了光的传输效率,且防潮效果优异。可适应各种操作环境,并降低空气吸收带来的影响 11、iCAN 9傅立叶红外光谱仪带有分析软件和可装配标准透射附件,如液体池或KBr压片的制样附件。样品仓可方便安装ATR制样附件,加快样品准备时间,缩短清洗时间,扩展仪器功能 12、配套专业红外光谱谱图数据分析系统,未知物样品自动谱图检索分析,并可以自建谱图库。13、光源:长寿命、高能量空冷中红外光源,预准直、精确定位、无需打开光学盖即可在外部无线接插光源。无需工具调整,3秒钟可达到稳定。独特带自动休眠功能,提高光源寿命。14、准直光路:光学台采用准直光路设计。所有元件均采用对针定位方式,即插即用,用户即可自行安装、轻松更换光学元件;光学镜采用整体切削金刚石。
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  • 硅钼棒电热元件产品广泛应用于玻璃、陶瓷、耐火材料、冶金、炼钢、晶体、电子元器件、半导体材料的研究、生产制造等领域。是一种以二硅化钼为基础制成的耐高温、抗氧化的电阻发热元件。在高温氧化性气氛下使用时,同其它Si基耐高温材料一样,MoSi2表面会在高温和氧化气氛下生成一层光亮致密的石英(SiO2)玻璃膜保护层,能够保护硅钼棒内层不再被进一步氧化。硅钼棒具有较高的熔点和高温强度。电热元件在高温工作温度中,可以保持不熔化,不挥发,不发生明显的蠕变和塌陷。良好的高温抗氧化性,能长时间稳定工作。一般金属合金加热到一定温度后,表层氧化膜就会破坏,氧向内层扩散。氧化增加,形成氧化皮,通常称此温度为金属或合金的耐氧化界限温度。元件材料长期工作的温度需低于此温度。硅钼棒表面形成的保护层为致密的二氧化硅玻璃膜,熔点高,挥发后,继续使用可再形成,硅钼棒具有较高的耐氧化界限温度,具有良好的高温抗氧化性。较小的膨胀系数。在开炉、停炉或炉温波动时电热元件将发生热胀冷缩,过大的膨胀系数会造成反复过度伸长和收缩,产生较大的应力,使元件表面的氧化膜破坏,氧化加速,从而使电热元件过早失效,在安装电热元件时应注意留有充分的膨胀余地。较好的塑性,以便于加工成形和维修。良好的抗蚀性,电热元件在炉内使用的时候,会受到不同程度的腐蚀,其对各种气体介质的抗蚀能力,在腐蚀性气氛中工作时,应降低其使用温度。较大的电阻率和较小的电阻温度系数,在开炉、停炉或炉温波动时,电热元件长度较短,便于安装。郑州毅信窑炉有限公司,高温元件硅钼棒硅碳棒生产厂家,配套夹具齐全。硅钼棒产品品质原料,发热均匀,焊接牢固,半成品规格全,备货充足,下单快速发货,用心售后,经验丰富,提供相关技术服务。
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硅材料相关的耗材

  • THz材料
    THz材料 太赫兹 (THz) 波是频率为~0.1-10 THz (~3 mm - 30 μm, 3 cm-1 - 300 cm-1) ,介于微波和中红外区域的电磁波。 和可见和红外光相比,THZ波可以穿透常规的材料,如:皮肤,塑料,衣服或者纸材料。由于光子能量低,因此,他不会造成和离子辐射(X光)一样的损害。这些特点使其能够应用在处理(如药物生产),质量控制以及THZ成像领域。现在也很多人想把它应用在安保,包裹检查,半导体特征分析,化学组成分析以及生物研究领域。 对于传统的THZ应用,我们采用High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)材料,因为他是研究得最多的材质,而且在THZ波段有很好的透过率。同时,我们也研究了可应用在THZ波段的其他材料。 在下面,你就能看到我们采用的其他材料在THZ波段的透射光谱和其他特点。我们用ABB的FTIR光谱仪Bomem DA3和Bruker IFS 125HR (测量精度为2-3%@ 100 μm;4-5% @ 100 μm)来测量THZ波。近红外的测量采用Perkin Elmer的 “Lambda- 9” (测量精度 0.5%)。 1. 晶体 晶体如硅,石英和蓝宝石在THZ光学元件中都是常用的材料。 1.1 高阻硅(HRFZ-Si) 除了人造钻石,高阻硅是威力晶体材料适合极宽范围从(1.2 μm) 到mm (1000 μm)波。和钻石相比,它要便宜的多,并且生长制造更容易。而且他尺寸更大,更容易制造,THZ技术的快速发展,就基于该优点。对于THZ应用,我们提供在1000 μm (对于更长波长,3000甚至8000微米)透过率达到50-54%的High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)。 Fig.1 Transmission and reflection of HRFZ-Si 5.0 mm-thick sample in THz range. HRFZ-Si 在THZ波段传输损耗低。如图2所示,HRFZ-Si 中的THZ波形和空气中的波形非常相似。这表明HRFZ-Si 的吸收很少。 Fig.2 The THz signals transmitted through air and HRFZ-Si.(*) 合成电解质硅的介电常数由传导率决定(例如:自由电子-载流子浓度)。图3显示的是在1THZ下,不同纯度下的硅的介电常数.低掺杂的介电常数接近真实值,大约等于高频介电常数。随着掺杂浓度的提高,真实的介电常数将变成负数,而且不能被忽略。介电常数表征的是THZ波的传输损耗特性。损耗系数可以用下面的公式计算:tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 这里 ω – 圆频率, εv – 真空下的介电常数(8.85*10-12 F/m)。ε0 –硅的介电常数(11.67), R是电阻值。例如,1THZ下,10 kOhm 阻值的HRFZ-Si损耗系数为1.54*10-5。 Fig.3 Real (solid, ε1) and imaginary (dashed, ε2) part of dielectric permittivity of n-type silicon with different impurity concentration at 1 THz.(**) 1.2石英晶体 Z-cut的石英晶体是传输50 μm以上波长的最好材料之一。Z-cut的石英晶体窗口镜传输可见光,很容易用He-Ne激光器来调准直。 Fig.4 Transmission and reflection of crystal quartz 1.0 mm-thick sample. 由于色散非常大,石英晶体材料的透镜将对可见和远红外的产生不同的焦距。如果需要对光学系统准直,那就必须考虑透镜的色散: 波长, μm no ne 0.589 1.544 1.553 6.0 1.32 1.33 10.0 2.663 2.571 30.0 2.5 2.959 100.0 2.132 2.176 200.0 2.117 2.159 333.3 2.1132.156 石英晶体是双折射材料,如果电磁波的偏振态很重要,那就必须考虑双折射问题。我们用X-cut的石英晶体来制作λ/2和λ/4的THZ波片。 1.3蓝宝石 蓝宝石和石英晶体一样,对于THZ波段和可见光波段是透明的。可以从下面图看出,对于600 μm波段,光谱传输曲线并不取决于厚度的测量误差。在小于600 μm 波段,样品的厚度从1到5mm,透过率变化很大。对于薄的样品,在很短的波长,透过率就已经饱和了。Fig. 5 Transmission and reflection of sapphire samples with different thickness. 就象 HRFZ-Silicon一样,蓝宝石也可以在光电导天线上,因为他们对于THZ波段的折射率几乎一样。 2. 聚合物 在大量聚合物中,有一些对THZ波是透明的,反射率很低。一般意义上说,最好的材料是TPX (polymethylpentene), polyethylene (PE), polypropylene (PP),和polytetrafluoroethylene (PTFE or Teflon).对于长波长,这些聚合物的透过率曲线也很平坦。 对于短波长,主要是200 μm,内部的不均匀性就会导致一些散射和波动。也就是说,聚合物对短波长呈现出不透明的特点。 2.1 Polymethylpentene (TPX) TPX 是所有已知聚合物中最轻的。它对紫外,可见和THZ波段是透明的。当然也就是可以用He-Ne激光器来进行准直。该聚合物折射率约为1.46,和波长关系不大: λ, μm n 0.633 1.463 24 1.4568 60 1.4559 300 1.46 667 1.46 1000 1.4650 3191 1.466 TPX对mm波的传输损耗非常低。它有非常优良的热阻,并且能抗一些商用的化学品的腐蚀。 6 Transmission of TPX 2 mm-thick sample. THz region. Fig. 7 Transmission of TPX 2 mm-thick sample. NIR&MIR regions. Fig. 8 Transmission of TPX 2 mm-thick sample. UV&VIS&NIR ranges. TPX的主要参数:密度, g/cm3 0.83 抗张强度 4100 psi ~28.3 MPa 拉伸模量 280000 psi ~1930.5 MPa 抗张伸展率, % 10 绕曲强度 6100 psi 42.1 MPa 绕曲模量 210000 psi 1447.8 MPa 热偏温度, °C100融化温度, °F/°C 464/240 吸水率 (ASTM-D 1228), %0.01透水汽性 (thk 25 μm, 40C, 90%RH), g/m2*24h110透气性y (thk 100 μm), cm3/m2*d*MPa120000 TPX是很硬的固体材料,可以用来加工成不同的光学元件,如透镜和窗口镜。而且通常TPX还可用在CO2激光泵浦分子激光的系统中作为输出窗口镜。因为它对整个THZ波段都是透明的,并且可以反射10微米的泵浦光。TPX窗口镜还可以在低温保持器中作为“冷”窗口。因为TPX在THZ波段的透明度和温度无关,折射率的温度系数3.0*10-4 K-1 (for the range 8-120 K)。 Fig. 9 Temperature dependence of refractive index.(***) 和其他用在THZ波段的材料比较,TPX的特性更好,例如它是Picarin (Tsurupica)透镜很好的替代品。另外,TPX更便宜,而且比Picarin更容易获得。 Fig. 10 Transmission of 2 mm-thick samples of TPX, Picarin, and HDPE. 2.2 Polyethylene (PE) PE是请的弹性晶体材料。它可以加热到110°C,也可以冷却到-45 ÷ -120°C。PE拥有良好的介电特性,防腐蚀性和抗辐射性。但是,它在紫外波段和油腻的环境下不够稳定。在生物学上来讲,PE很不活跃,很容易处理。在23°C下密度为0.91-0.925 g/cm3,张力流限为8-13 MPa,弹性模数为118 - 350 MPa,在很宽的光谱范围内折射率都约为1.54。通常,高密度的polyethylene (HDPE)也来作为组件材料。除了作为厚透镜和窗口镜,薄的HDPE还可用来作为THZ偏振片。我们用HDPE作为Golay Cell的窗口镜。 Fig. 11 Transmission of 2 mm-thick HDPE sample. THz region. Fig. 12 Transmission of 2 mm-thick HDPE sample. NIR&MIR region. Fig. 13 Transmission of 2 mm-thick HDPE sample. VIS&NIR region. 很遗憾, HDPE对可见光的透过率非常低,因此,它不能用来作为光学系统的准直元件。 我们还应该注意到HDPE的THZ透射率并不取决于温度,因此可以作为低温保持器的窗口镜。折射率的温度系数为6.2*10-4 K-1 (for the range 8-120 K)。 Fig. 14 Temperature dependence of refractive index (***) 2.3 Polytetrafluoroethylene (PTFE, Teflon, in Russian - Ftoroplast) PTFE 在室温下是一种白色的固体,密度约为2.2 g/cm3。熔点为327°C, 在-73°C 到 204°C温度范围内它的主要特点都差别不大,在比较宽的波段范围内,折射率都约为1.43。 Fig. 15 Transmission of PTFE film ~0.1 mm-thick. THz region. Fig. 16 Transmission of PTFE film ~0.1 mm-thick. NIR&MIR region. 由于对1-7 μm波段范围内透明度都很高,PTFE薄片通常用来制作IR偏振片。这种偏振片的价格比晶体材料的便宜。这样就使他们在IR偏振应用中能够得到大量使用。 PTFE的主要参数:抗张强度 3900 psi ~26.7 MPa 拉伸模量 (psi) 80000 psi ~551.6 MPa 抗张伸展率 (%) 300 绕曲强度 (psi) No break 绕曲模量 (psi) 72000 耐压强度 (psi) 3500 耐压系数 (psi) 70000 总结: 所有的有机材料,如TPX, PE和PTFE从~200 μm到1000 μm都有几乎一致的透过率,达到80-90%。当然,他们也可以传输更长的波长。 由于反射损耗,晶体材料如硅,石英和蓝宝石在THZ波段的透过率很低。对于硅材料,从50 μm开始,透过率为50-54%;对于石英,从120 μm开始,透过率70%;对于1-2mm厚的蓝宝石,从350 μm开始透过率50%。
  • 石墨烯与类石墨烯材料
    1. 企业介绍泰州巨纳新能源有限公司巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一,注册资本11000万元,有办公用房300多平方米,厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成,部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组,项目技术处于国际领先地位,在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验,创新意识强,公司客户遍布全球。 2. 产品简介巨纳石墨烯材料简介石墨烯薄膜材料(国家创新基金产品、江苏省科技支撑计划产品、江苏省高新技术产品)l 铜基单晶/多晶少层石墨烯l 二氧化硅/硅基石墨烯薄膜石墨烯粉体材料(江苏省高新技术产品)l 石墨烯粉体材料l 还原氧化石墨烯粉体高质量二维晶体材料简介二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。 3. 优惠政策a. 一次性采购满1000元送泰州石墨烯研究检测平台检测现金券50元,多买多送;b. 检测现金券有效期2015年1月1日至2015年12月31日;c. 检测现金券可累积使用
  • 特氟龙PFA材料H管可定制新材料行业H管
    新材料行业H管可定制PFA材质PFA材质H管:特氟龙管,耐腐蚀管。主要用途:1、液晶制造装置; 2、通体单端发光单芯光纤用管;3、热交换器,蒸气配管;4、高纯度试剂输送管; 5、各种腐蚀性介质(苛刻溶剂)输送管道;6、各种频率电线电缆护套,槽绝缘管;7、潜油电机用槽绝缘管;8、空调线束组件用管; 9、全包氟塑胶0型密封圈用管。利用特性:1、耐高低温:-200~205℃; 2、不粘性,拼水,拼油;3、电可靠性,高绝缘性;4、60HZ-60MHZ高低温下介电常粘均为2.1。即使表面因跳水而受到损害,也不会产生导电轨道;5、体积电阻>1018ΩM ,表面电阻>2*1013ΩM , 耐电弧 >165秒 不漏电; 6、耐蚀性,只有高温下元素氟,碱金属与它起作用,对其它所有的浓、稀无机有机酸、碱、酯均无作用;7、低吸水性:低吸率<0.01% ;8、不燃性:空气中不会燃烧.(氧气指数>95VOL.%); 9、高透明度:塑料中光折射率低;10、耐候性:可长时间暴露在臭氧,阳光下;11、易二次加工性:可自封,可自焊,可翻边,可制盘向管。

硅材料相关的试剂

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