核心器件

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核心器件相关的资讯

  • “高端半导体激光器件及核心设备产业化”项目通过验收
    2023年6月25日,中科院长春分院在吉光半导体科技有限公司组织召开了由长春光机所承担的中国科学院科技服务网络计划(STS计划)吉林省区域重点项目暨院省科技合作重点任务“高端半导体激光器件及核心设备产业化”(“芯”创激光)验收会议。   中科院长春分院分党组书记、院长甘建国,科技合作处处长侯鹏、业务主管梁川,长春光机所所务委员孙守红、成果转化处副处长吕宝林、财务管理处副处长周舒,吉光半导体科技有限公司总经理佟存柱、项目评审专家组、项目组成员及合作企业代表参加会议,会议由甘建国主持。   甘建国首先介绍了STS专项基本情况和验收要求,孙守红代表中科院长春光机所对参会领导和专家的到来表示欢迎和感谢,   与会专家先后听取了项目组三个子课题负责人张建伟、彭航宇、何峰赟的项目验收报告,审查了项目相关材料,现场查看了成果技术研发及产业化情况,并提出了相关意见和建议,一致认为项目完成了任务书目标。   中科院STS重点项目“高端半导体激光器件及核心设备产业化” 针对目前我国半导体激光产业在高端半导体激光器件和设备核心部件受制于人“大而不强”的现状,围绕高端半导体激光技术产业上下游核心部件的研发、制造和服务等关键环节,以吉林省企业需求为牵引,突破高端半导体激光芯片、模组与设备核心技术,实现产业新旧动能转换,助力提升吉林省区域核心竞争力和综合实力!
  • 生物物理所关于脑磁图核心器件的研究获进展
    中国科学院生物物理研究所脑成像团队面向脑磁图等生物磁探测需求,完成了新型脑磁图工程化和产业转化的关键部件——国产化零场原子磁力计的研制。经第三方检测,灵敏度、带宽等主要性能指标达到国际先进水平;对脑磁图成像特别重要的磁敏感轴正交性,信号稳定性等指标达到国际领先水平。同时,该部件通过生物物理所转化企业实现标准化批量生产。脑磁图是兼具高时空分辨率的无创脑功能成像技术。生物物理所脑成像团队于2018年完成国内首台多通道原子磁力计脑磁图原型机,摆脱了对液氦的依赖,是高性能、可穿戴、低成本的新一代脑功能成像技术。脑磁图核心器件研发及量产获进展
  • 共话光电核心器件及其测量技术,特别专题高峰论坛成功召开
    仪器信息网讯 世界已进入信息时代,人们在利用信息的过程中,精密测试测量技术得到了越来越多的研究和重视,而光电测试测量技术作为现代精密测量的核心技术也发挥着越来越重要的作用。而传感器微型化、纳米技术的发展也对现代精密测量技术提出了越来越高的要求。在此大背景下,2023年3月27-29日,由中国光学工程学会联合各单位组织召开了全国光电测量测试技术及产业发展大会暨辽宁省第十七届学术年会。本次大会由中国光学工程学会、辽宁省科学技术协会主办,中国光学工程学会光电测试测量技术及应用专业委员会(筹)、大连理工大学、长春理工大学、光电测控与光信息传输技术教育部重点实验室承办,仪器信息网独家媒体支持。27日下午,本次大会组委会设置的特别专题:光电核心器件及其测量高峰论坛在大连香洲国际酒店百合厅成功召开。高峰论坛由中国科学院空天信息创新研究院正高级工程师麻云凤主持,六位与会嘉宾分享了其在光电核心器件及其测量技术研究上的进展。 高峰论坛现场中国科学院空天信息创新研究院 麻云凤 主持报告人:杭州晶耐科学光电技术有限公司副总经理 曹频报告题目:非球面光学元件表面缺陷数字化检测技术非球面光学元件由于具备常规球面元件所不具有的消除像差、减少光能损失等优点被广泛应用于国防及工业等高科技各个领域。大口径非球面的空间随机分布的表面缺陷,会对元件的使用造成额外像差、能量散射等不良影响,因此在元件加工、使用中需要对光学元件表面缺陷进行客观、定量的数字化评价,以保证光学系统的稳定可靠性。报告中,曹频介绍的非球面光学元件表面缺陷数字化检测技术采用 2022 年新颁布的国家标准 GB/T 41805-2022 所述的“光学元件表面疵病定量检测方法一显微散射暗场成像法”,在针对非球面元件方程进行仿形子孔径规划的基础上,依靠多维转动、平动扫描机构,实现多轴子孔径仿形扫描并采集到高清晰子孔径图像,利用三维投影映射拼接方法,依据非球面方程实现三维子孔径拼接及缺陷的特征提取。同时利用变倍显微镜,在低倍率子孔径成像、缺陷提取的基础上,依据缺陷位置坐标,采集高倍率缺陷图像,进而实现宏观元件表面的微观缺陷检测,全自动输出各类电子化报表检测精度可达 0.5 μm。报告人:中国科学院西安光学精密机械研究所副研究员 陈萍报告题目:超快光电探测设备及其应用超快现象研究对物理、化学、生物、能源、材料科学等领域均具有重要意义,具有高时空分辨、高灵敏度、大动态范围等的高性能光电探测仪器设备是研究超快现象的重要手段。陈萍在报告中介绍了多类型的超快光电探测设备及其应用,包括单光子探测光电倍增管、条纹相机等及其在惯性约束聚变、燃烧诊断、波速测量、激光雷达、同步辐射光源.核探测与粒子探测、高压放电测量、荧光寿命成像、计算成像等国家战略高技术、大科学工程、基础前沿科学领域的应用。报告人:同济大学副教授 邓晓报告题目:面向晶圆制造微纳检测的自溯源标准物质及其应用晶圆制造是集成电路制造中的关键技术,也是所有微纳器件制造过程中必不可少的工艺。晶圆制造微纳检测设备产业是把核心的原材料与零部件,结合技术和软件集成后开发为微纳检测设备产品为芯片中的晶圆制造工艺服务。晶圆制造微纳检测设备的测量准确性、一致性与可比性需要微纳标准物质、计量传感器及校准型仪器设备作为支撑。自溯源标准物质是指物质的关键参数可以溯源到自然界常数的标准物质。邓晓在报告中介绍了基于铬原子光刻技术研制纳米长度标准物质、自溯源型位移传感器及新型计量型 AFM 的研究成果与思路。系列光栅的准确性水平得到国际权威机构计量认可,并获批多项国家标准物质。系列可以溯源到铬原子跃迁频率的标准物质、位移传感器与计量仪器有望构建新型纳米长度计量体系。报告人:北京航空航天大学教授 孙鸣捷报告题目:高速LED阵列的计算成像中的应用LED 阵列通常用于显示,对图案显示的速度没有太高的要求,但用于为计算成像和三维测量等技术提供结构光照明时,则对 LED 阵列的更新速度提出了新的要求,以保证成像和测量速度。报告中,孙鸣捷介绍了团队开发的基于 LED 阵列的高速结构光照明模块,对于特定图案的显示更新频率达到 25MHz,可实现基于结构光照明的高速计算成像和三维测量技术。该技术有潜力实现低成本、高速成像与测量。报告人:中国科学院大连化学物理研究所研究员 耿旭辉报告题目:基于硅光电二极管的微光探测器及在荧光检测中的应用微光探测器是科学仪器和光学传感器中的关键器件之一,广泛地用在需要对微弱光信号进行探测的光谱仪器,如荧光检测仪和化学发光分析仪中,其性能决定着光学检测仪器的灵敏度和动态范围等指标。中国科学院大连化学物理研究所微型分析仪器研究组研制成功自主知识产权的高灵敏、低噪音、低漂移的微光探测器,用于替代进口光电倍增管 (PMT)和雪崩二极管 (APD)对弱光探测,经中国计量科学研究院第三方测试,其光检测下限为3.4x10-5Ix (950 nm)。该微光探测器已应用在激光诱导荧光检测器、黄曲霉毒素荧光检测器系列深海原位荧光传感器、海洋中氨氮含量和金属离子含量荧光检测器、手持式荧光检测仪台式 96 孔板阵列式荧光检测仪和新冠病毒抗体检测的等温扩增仪等多款分析仪器上,成功替代了 PMT 和 APD,并达到使用 PMT 相同的检测限和更宽的动态范围。报告人:中国科学院空天信息创新研究院研究员 郭广妍报告题目:激光电光开关器件及测试技术研究电光开关通过外加电压引起电光晶体双折射的变化改变光的偏振态,与偏振片一起使用可作为电光开关,是实现高峰值功率激光输出的重要途径。电光开关效率与激光输出效果直接相关,是高性能激光器的关键核心器件。电光开关测试技技术涉及晶体材料、器件集成装配效果及驱动技术效能验证等方面,郭广妍在报告中介绍了电光开关器件研究进展、测试技术现状及发展趋势。目前其所在团队在电光器件检测技术方面,已承研国家重点研发计划课题、测试仪器研制等项目,自研的电光晶体、器件测试平台已用于提供第三方检测服务。

核心器件相关的方案

  • 标乐先进的制样技术 功率器件IGBT的金相制备
    随着节能环保等理念的推进,功率器件在市场上越来越多见;IGBT 是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT 模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的 IGBT也指IGBT模块。
  • 微型注塑机维修工作的核心
    微型注塑机是将热塑性塑料利用塑料成型模具制成各种形状的塑料制品的主要成型设备。微型注塑机能够把塑料在机筒加热、并通过机筒螺杆旋转,把塑料混合、向前推移输送,同时将其翻动、压缩、直至塑化溶融;然后,借助螺杆前移的推动,迫使熔态通过喷嘴进入模具行腔,经冷却固化后成为一定形状和尺寸精度的制品,这种设备即为微型注塑机,简称为注塑机。  微型注塑机是一种全部动力都由电力供给的加工注塑机。可以将热塑性塑料注射成型并加工成各种模具。微型注塑机是化工材料合成加工过程中常用的一种机器。微型注塑机通常由注射系统、合模系统、液压传达动系统、电气控制系统、润滑系统、加热及冷却系统、安全监测系统等组成。  微型注塑机工作原理:  微型注塑机的工作原理与打针用的注射器相似,它是借助螺杆(或柱塞)的推力,将已塑化好的熔融状态(即粘流态)的塑料注射入闭合好的模腔内,经固化定型后取得制品的工艺过程。注射成型是一个循环的过程,每一周期主要包括:定量加料—熔融塑化—施压注射—充模冷却—启模取件。取出塑件后又再闭模,进行下一个循环。  微型注塑机维修工作的核心是故障的判断和故障的处置,涉及知识面广,复杂水平大,具有一定的深度。既要有机械设备维修基础知识,又要有液压维修基础知识,也要有电气维修基础知识。  维修工作者首先必须了解和掌握微型注塑机的操作说明书中的内容,熟悉和掌握微型注塑机的机械部件、电路,连接微型注塑机在正常工作时机械、电路的工作过程,了解和掌握电气元器件检查和维修使用方法。清楚正常工作状态与不正常工作状态,以避免费时的误判断和误拆卸。  维修工作必需了解设备的操作方法及要有一些注塑成型基础知识,并且会正确使用微型注塑机。若不知道操作微型注塑机,检修工作是非常困难的判断故障也可能不可靠。微型注塑机中电路板及电气元器件临时受高温、环境、时间等因素影响,器件工作点偏移,元器件的老化水平,都是属于正常范围。  所以,调试微型注塑机也是维修工作中必不可少的基本功之一。解注微型注塑机的工作顺序,调试注塑机电子电路、液压油路是十分重要的环节。  维修工作要做到准确、可靠和及时,必须对各类型注塑机的使用说明书中内容加以研究和掌握,微型注塑机一般维修过程中,维修思路通常是电路—油路—机械部件动作。而调校工作又反过来进行。
  • 氟苯并芴核心聚合物作为低阈值高增益放大介质
    采用Ekspla公司NT342型号纳秒可调谐激光器,对氟苯并芴核心聚合物作为低阈值高增益放大激光介质的可行性进行了研究。

核心器件相关的论坛

  • 红外热成像市场高速增长 核心器件成瓶颈

    【来源:中国电子报】   ■华北光电技术研究所 陈苗海 所洪涛  红外辐射是在可见光红光之外直至与毫米波相接,处于0.76μm-1000μm的电磁谱段,一切高于热力学温度(绝对温度)零度的物体,都不断地发射红外辐射。因此,开发利用这个重要的红外光谱波段的技术及其产品,具有极大的实用价值。   红外技术应用广泛  由于红外辐射是人眼看不见的光线,所以首先在军事上引起重视。在第二次世界大战中,已经出现主动式红外夜视仪。急迫的军用需求,推动红外技术持续迅猛发展。进入20世纪50年代,随着高灵敏度红外探测器的出现,基于红外技术的一批武器装备相继诞生,在夜视、侦察、报警、前视、制导、火控、跟踪、观瞄、光电对抗等现代武器装备上,红外技术成为不可缺少的重要技术手段。  红外探测器是各种红外技术发展的核心。以美国为例,单元红外探测器如InSb、HgCdTe、非本征锗和硅,以及热电等探测器工艺成熟,早已商品化,且在军事装备中得到应用。自上世纪70年代中后期开始,以60元、120元和180元光导碲镉汞线列探测器为代表的通用组件得到广泛应用。自上世纪80年代初期开始,便加强对红外焦平面阵列(IRFPA)探测器的研制,器件格式有4N系列扫描型焦平面阵列和凝视型焦平面阵列。目前这种IRFPA探测器已用于新系统的设计,并已在伊拉克战争中得到应用。正在发展高价值平台如导航、瞄准吊舱等使用的,其规模大致为640×480元阵列的IRFPA阵列,以及发展更大规模的如1024×1024和2048×2048元阵列。上世纪80年代初,美国推出了非制冷微测辐射热计和非制冷热电探测器IRFPA。目前,非制冷红外焦平面阵列已有160×120、320×240、640×480的产品。  红外技术本身是军民通用的,红外测温、红外成像已在工业、交通、电力、石化、农业、医学等民用领域广泛应用,成为自动控制、在线监测、非接触测量、设备故障诊断、资源勘查、遥感测量、环境污染监测分析、人体医学影像检查等重要方法。例如,目前使用得最多最广泛的领域,如用于车库、电梯门的安全传感器、电视机遥控器、便携式红外温度计、夜间起作用的光电电灯开关、PC计算机到键盘及打印机的红外耦合,以及在公共厕所中自动开关水龙头的红外开关等。各种红外电光眼还用于记录校准航迹、滑雪、赛跑等方面。  中国已形成完整红外技术研究生产体系  中国的红外技术研究工作是在新中国成立后才开展的。“一五”期间国家正式下达了红外技术研究的任务,中国科学院和工业部门的一批单位正式开始了有组织的红外技术研究工作。首先研究的是工作波段在1μm-3μm的硫化铅红外探测器,数年之后,又相继开展了锑化铟红外探测器(3μm-5μm)、锗掺汞探测器(8μm-14μm)和碲镉汞探测器(8μm-14μm)的研究工作,以及硫酸三甘肽、钽酸锂、钛酸铅、铌酸锶钡等热电探测器的研究,并得到一定应用。  改革开放以来,红外技术得到迅速发展,目前中国已经开展了从单元、线列到红外焦平面的探测器研究工作。锑化铟、碲镉汞、硅化铂、多量子阱,都有了相当的基础。红外材料、红外探测器、光学材料、光学元件、镀膜、光机加工以及相配套的杜瓦瓶、制冷器、前放、专用信号读出处理电路等,已经形成了完整的研究生产体系。  中国红外探测器产品已布满1μm-3μm、3m-5μm和8μm-14μm三个大气窗:光子探测器有光导、光伏、量子阱等结构;热探测器有热敏电阻,温差电偶与电堆、热电等类型。多种焦平面阵列已走出实验室,获得实际应用。与此相应的红外应用技术也取得了迅速发展。  上世纪90年代中前期我国研制出第一代热像仪,其技术性能与国外相当。本世纪初,我国自行开发成功第二代热成像若干关键技术,为我国红外技术的升级换代起了重要作用。目前,我国研制的第一代和第二代热成像仪,可以满足陆、海、空三军武器系统的各种性能需要。  在民用领域,自上世纪70年代以来,各种红外测温仪、红外热像仪、火车轴温检测仪、红外分析仪器、星载红外遥感仪等,也逐渐发展成熟,开始批量生产应用。  据中国光协红外分会的不完全统计,2001年全国主要红外产品销售额约为8.5亿元,2003年销售总额超过10亿元。在2005年继续保持了稳定的发展趋势,其中红外材料的产业增长明显,国内主要的红外材料厂家2005年比2004年至少增长20%,2006年预计将增长40%,一般的企业也将增加10%左右;在红外传感器的生产销售方面,2005年增长不大,与2004年基本持平,2006年预计略增2%左右;红外热像仪与测温仪(包括工业用、医用)的市场竞争较激烈,2005年产值较2004年没有太大的增长,其应用市场有待进一步开发。  加强非制冷焦平面和热成像仪发展  最初,红外技术的发展和应用是围绕着军事目的进行的,市场的发育也主要归功于军事应用的牵引和推动。由于近年来的非制冷焦平面阵列探测器如微测辐射热计等的发展,其性能可以满足部分的军事用途和几乎所有的民用领域,真正实现了小型化、低价格和高可靠性,成为红外探测成像领域中极具前途和市场潜力的发展方向。从美国的情况看,红外热成像设备在民用系统的销售额已由1991年占其总销售额的22%上升到了目前的37.7%,预计在今后几年将会上升到50%以上。其中,增长幅度最大的是非制冷焦平面热成像仪,其年增长率超过了50%。因此,国内在继续加强关键性的军用红外探测技术如制冷型长波和中波焦平面阵列探测器技术及其系统研制的同时,采取切实措施,加强非制冷焦平面及其热成像仪发展。  近几年来,中国的红外产品市场发展较快而又平稳。但由于国产的红外产品品种少,一些红外产品的核心件如非制冷焦平面阵列等核心器件,又来自国外,严重地制约了国内红外市场的发展。  中国的红外技术仍处于产业化的进程中。随着机构体制改革的深化,面向市场,面向应用,面向世界,这几年出现了许多按现代企业制度建立的新企业,包括各类合作、合资公司。随着这些公司以及一些外资公司的红外产品纷纷进入中国内地市场,而且有少数公司的市场占有率提高得很快,已经在中国市场上占据相当的优势,这种市场发展趋势,必将对中国的红外技术和产业的发展起到积极的推动作用,必将激励和加快具有完全中国自主知识产权的红外技术产品的问世,也必将带来更广阔的红外产品应用市场。(责任编辑:十一点五十九)

  • 三箱式温度冲击试验箱的核心配置表

    三箱式温度冲击试验箱的核心配置表如下: 1、箱体外壳采用优质A3钢板,表面进行喷塑处理; 2、内胆为SUS304优质不锈钢板; 3、保温材料采用聚氨脂泡沫塑料; 4、三箱式温度冲击试验箱搅拌系统采用长轴风扇电机; 5、密封组件采用双层耐高温之高张性密封条; 6、控制器采用日本原装进口“优易控”品牌温湿度仪表; 7、制冷方式采用法国泰康压缩机/德国比泽尔压缩机; 8、加热方式采用优质镍铬合金丝电加热器; 9、核心电气元器件均采用施耐德、欧姆龙等进口知名品牌; 10、独有的漏电保护设计,超温、超压、过载、过电流保护,操作更安全。

  • 有计划投科技核心期刊的版友,请进

    [b]原创大赛第十届:[/b]获得年终奖的作品,发表在中国科技核心期刊《分析仪器》上,共24篇(统计自2017年的年终奖获奖数)[b]第十一届:[/b]参赛期间:7.1-10.31,预计28-29篇最终获得年终奖,也就是说[b][color=#3333ff]28-29篇将会发表在期刊正刊上[/color][color=#3333ff]参加原创大赛优势:[/color][/b]进入年终奖的作品,获得月度奖、年终奖的同时,还可以免费发表在中国科技核心期刊上(具体合作形式以官方的说法为准),是赚钱、不花钱,即[b][color=#3333ff]名利双收[/color][/b]的事。赶紧行动,设计、实施好自己的实验,尽量做到[b]实用性、系统性、科学性、创新性[/b]中2个性及以上;以向科技核心期刊投稿的严谨性,撰写好自己的作品,年终奖、科技核心期刊在等您。[color=#ffffff]11[/color][color=#000000][url=http://bbs.instrument.com.cn/topic/6507886]给参加原创大赛版友的写作及发表建议[/url]:[url]http://bbs.instrument.com.cn/topic/6507886[/url][/color][color=#ffffff]1:[/color]

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  • SiC碳化硅功率器件动态特性测试系统 我们专业致力于功率元器件的测试仪器设备,主要致力于碳化硅器件的测试仪器设备。 我们的优势在于能够深入的进行理论运用到实践中。技术能力和实践能力的结合,才能在市场上推出使用方便,测试结果准确的高技术产品 我们的工程师具有超过20年的大功率半导体专业设计及测试评估的经验 如有任何需求,欢迎与我们联系各种电子测试的需求。 全面的测试方案:双脉冲测试 用于碳化硅二极管 和FETs检测 高压器件 1.2 kV - 1.7 kV - 3.3 kV - 4.5 kV 及更高 功率器件(包括模块) 电压可调至:50 A ( 500 A )清晰的开关波形 非常低且非常容易判断寄生现象精确 包含分析和补偿程序为模具,紧凑型包装,模块组件而设计 裸芯片, TO220, TO247, TO254, 任何碳化硅模块模块化和前瞻性 新包装和模块化的可调谐开关插头高温测试 DUT 集成化加热器- 可调谐到 250°C快速 快速部署,测试周期 短标准和具体应用 集成化或定制栅极驱动器;寄生现象可调谐高性能系统 工业等级设计及制造安全 IEC61010安全标准设计 技术规格动态特性主要针对于是碳化硅技术中的功率器件的特性,也同样应用于碳化硅技术的的各种仪器设备的特性。基于碳化硅技术的半导体功率器件动态性能测试是我们的核心技术。随着碳化硅测试设备的快速发展需要对带宽和寄生原件的测试需求。如:负载感应器和直流电等寄生元器件将会成为碳化硅功率器件的使用方案。功能:描述SiC离散变量的动力学行为配置:在相位腿配置的二极管mosfet(或IGBTs)设备等级:优化的额定电压600V到4500V 优化额定电流10A到50A包装:可与TO220,TO247,TO254包接口的装置系统接受其他包的fixture输入电压:230Vac, 50Hz,单相接地保护输入电流:8A保险丝额定值:10A,T,250V直流电压范围:100V to 4500V开关电流范围:10A to 50ADUT温度:热板温度可调至200℃
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  • 半导体分立器件特性参数测试是对待测器件(DUT)施加电压或电流,然后测试其对激励做出的响应;通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成,如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析,过程既复杂又耗时,还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作,有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。 实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表(SMU)。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品,集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表,还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器,波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统,支持四象限工作。普赛斯“五合一”高精度数字源表(SMU)可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉,都能简单而迅速地得到精确的结果。 普赛斯“五合一”高精度数字源表 普赛斯源表轻松实现二极管特性参数分析 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导 电性元器件,产品结构一般为单个PN结结构,只允许电流从单一方向流过。发展至今,已陆续发展出整流二 极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电 二极管等,具有安全可靠等特性,广泛应用于整流、稳压、保护等电路中,是电子工程上用途最广泛的电子元器件之一。IV特性是表征半导体二极管PN结制备性能的主要参数之一,二极管IV特性主要指正向特性和反向特性等; 普赛斯S系列、P系列源表简化场效应MOS管I-V特性分析 MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件,可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中,MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳纳米管 等材料制作,是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压 VGS(th)、漏电流IGSS、 IDSS,击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。 普赛斯数字源表快速、准确进行三极管BJT特性分析 三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体 基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块 半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射 区和集电区。设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 普赛斯五合一高精度数字源表(SMU)在半导体IV特性测试方面拥有丰富的行业经验,为半导体分立器件电性能参数测试提供全面的解决方案,包括二极管、MOS管、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等。此外,普赛斯仪表还提供适当的电缆辅件和测试夹具,实现安全、精确和可靠的测试。欲了解更多半导体分立器件测试系统的信息,欢迎随时来电咨询普赛斯仪表!
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  • OLED/QLED 发光器件寿命测试系统 32 路系统 64 路系统OLED/QLED 发光器件寿命测试系统参数项目关键指标备注通道数量32、64、128 可扩展到512 路测量模式1 恒流、恒压、恒亮度需根据客户需求选定测量模式2 Pulse 电压、Pulse 电流选配电流输出0.03uA~100mA,精度优于±1% 用户参照核心技术电流源选配电压输出饱和亮度1.0~20V,精度±1% 通常10000cd/m2 以上标配可根据客户需求定制器件结构底发光、顶发光、倒装、正装需根据用户需求定制测试盒/ 夹具测试基片尺寸 5cm×5cm 可定制支持20cm×20cm 高温测试RT+10 度~100 度;-50 度~100 度;环境测试选配特殊条件特殊气氛测试;手套箱测试;UPS 电源等选配、定制软件平台LabView 稳定、高效
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核心器件相关的耗材

  • GaN功率器件
    这个系列的GaN功率器件,GaN MFET采用全球领先的半导体制造技术,具有全球最高的转换效率,最低的导通损耗,最高的工作频率, 并适合高温800摄氏度以上的应用。GaN功率器件,GaN MFET采用全球领先的GaN-on-Si晶圆无金工艺结合凹栅 工艺制造技术,非常方便集成为独立完整的GaN功率核心器件、器件驱动、保护电路和周边无源器件在内的直接面对终端应用的功能性模块。
  • MPI封装器件测试夹具
    产品概要:定制各种封装类型如TO220,SOT23,DFN等器件测试夹具,支持开尔文测试。基本信息: TO封装测试夹具1. 定制化封装夹具,支持Kelvin与非开尔文连接;2. 最大支持3000V 500A(脉冲,占空比小于1%);3. 适配keithley,keysight功率器件封装夹具以及其他功率测试机;4. 工作温度范围:0-25℃;5. 高温选件(0- 200℃);6. 接头可选香蕉头与螺丝接头 金手指封装夹具1. 定制化封装夹具,支持Kelvin与非开尔文连接,封装类型包括:SOD,SMA,SMB,SOP,TSSOP,QFN等;2. 支持该封装器件最大电压电流工作范围:3kV,500A(脉冲,占空比小于1%)具体根据封装类型定义;3. 适配keithley,keysight功率器件标准封装夹具;4. 工作温度范围:0-25℃;5. 高温选件(0- 200℃)技术优势:1、温度范围:-55℃ to ﹢200摄氏度2、适配主流B1505,B1506以及IWATSU测试机应用方向:应用于开尔文测试。
  • 窗片,棱镜,偏振器件
    提供各种窗片,各式棱镜及偏振器件。详情请来电垂询。
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