原子层沉积技术

仪器信息网原子层沉积技术专题为您整合原子层沉积技术相关的最新文章,在原子层沉积技术专题,您不仅可以免费浏览原子层沉积技术的资讯, 同时您还可以浏览原子层沉积技术的相关资料、解决方案,参与社区原子层沉积技术话题讨论。
当前位置: 仪器信息网 > 行业主题 > >

原子层沉积技术相关的资讯

  • 一文了解原子层沉积(ALD)技术的原理与特点
    什么是原子层沉积技术原子层沉积技术(ALD)是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ALD 生长过程,通过选择性交替,把不同的前驱体暴露于基片的表面,在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。 20 世纪 60 年代,前苏联的科学家对多层 ALD 涂层工艺之前的技术(与单原子层或双原子层的气相生长和分析相关)进行了研究。后来,芬兰科学家独立开发出一种多循环涂层技术(1974年,由 Tuomo Suntola 教授申请专利)。在俄罗斯,它过去和现在都被称为分子层沉积,而在芬兰,它被称为原子层外延。后来更名为更通用的术语“原子层沉积”,而术语“原子层外延”现在保留用于(高温)外延 ALD。 Part 01.原子层沉积技术基本原理 一个完整的 ALD 生长循环可以分为四个步骤: 1.脉冲第一种前驱体暴露于基片表面,同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附2.惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体3.脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应,得到需要的薄膜材料4.惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物 原子层沉积( ALD )原理图示 涂层的层数(厚度)可以简单地通过设置连续脉冲的数量来确定。蒸气不会在表面上凝结,因为多余的蒸气在前驱体脉冲之间使用氮气吹扫被排出。这意味着每次脉冲后的涂层会自我限制为一个单层,并且允许其以原子精度涂覆复杂的形状。如果是多孔材料,内部的涂层厚度将与其表面相同!因此,ALD 有着越来越广泛的应用。 Part 02. 原子层沉积技术案例展示 原子层沉积通常涉及 4 个步骤的循环,根据需要重复多次以达到所需的涂层厚度。在生长过程中,表面交替暴露于两种互补的化学前驱体。在这种情况下,将每种前驱体单独送入反应器中。 下文以包覆 Al2O3 为例,使用第一前驱体 Al(CH3)3(三甲基铝,TMA)和第二前驱体 H2O 或氧等离子体进行原子层沉积,详细过程如下:反应过程图示 在每个周期中,执行以下步骤: 01 第一前驱体 TMA 的流动,其吸附在表面上的 OH 基团上并与其反应。通过正确选择前驱体和参数,该反应是自限性的。 Al(CH3)3 + OH = O-Al-(CH3)2 + CH4 02使用 N2 吹扫去除剩余的 Al(CH3)3 和 CH4 03第二前驱体(水或氧气)的流动。H2O(热 ALD)或氧等离子体自由基(等离子体 ALD)的反应会氧化表面并去除表面配体。这种反应也是自限性的。 O-Al-(CH3)2 + H2O = O-Al-OH(2) + (O)2-Al-CH3 + CH4 04使用 N2 吹扫去除剩余的 H2O 和 CH4,继续步骤 1。 由于每个曝光步骤,表面位点饱和为一个单层。一旦表面饱和,由于前驱体化学和工艺条件,就不会发生进一步的反应。 为了防止前驱体在表面以外的任何地方发生反应,从而导致化学气相沉积(CVD),必须通过氮气吹扫将各个步骤分开。 Part 03. 原子层沉积技术的优点 由于原子层沉积技术,与表面形成共价键,有时甚至渗透(聚合物),因此具有出色的附着力,具有低缺陷密度,增强了安全性,易于操作且可扩展,无需超高真空等特点,具有以下优点: 厚度可控且均匀通过控制沉积循环次数,可以实现亚纳米级精度的薄膜厚度控制,具有优异的重复性。大面积厚度均匀,甚至超过米尺寸。 涂层表面光滑完美的 3D共形性和 100% 阶梯覆盖:在平坦、内部多孔和颗粒周围样品上形成均匀光滑的涂层,涂层的粗糙度非常低,并且完全遵循基材的曲率。该涂层甚至可以生长在基材上的灰尘颗粒下方,从而防止出现针孔。 ALD 涂层的完美台阶覆盖性 适用多类型材料所有类型的物体都可以进行涂层:晶圆、3D 零件、薄膜卷、多孔材料,甚至是从纳米到米尺寸的粉末。且适用于敏感基材的温和沉积工艺,通常不需要等离子体。 可定制材料特性适用于氧化物、氮化物、金属、半导体等的标准且易于复制的配方,可以通过三明治、异质结构、纳米层压材料、混合氧化物、梯度层和掺杂的数字控制来定制材料特性。 宽工艺窗口,且可批量生产对温度或前驱体剂量变化不敏感,易于批量扩展,可以一次性堆叠和涂覆许多基材,并具有完美的涂层厚度均匀性。
  • 采用原子层沉积(ALD)技术的下一代储存技术
    采用原子层沉积(ALD)技术的下一代储存技术 随着人工智能(AI), 深度学习,大数据, game 及 5G移动技术快速发展,导致数据储存量上升,半导体内存被要求低耗化。为解决这个问题目前商用化的有 Dram,Flash Memory(NAND) 等储存技术变更到新一代储存技术为一大难题。为了每秒以千兆,无延迟处理高容量数据以目前的技术很难实现。新一代技术需要像DRAM速度要快,兼具flash memory的关闭电源数据也会保存等特性,还需低耗。目前超越基准储存的新概念半导体储存有 Ferroelectric RAM(FRAM 或 FeRAM), magnetic RMA( MRAM), phase-charge ram(PRAM 或 PCRAM)和 resistive RAM(RRAM) 等都在研发阶段,而且受到关注度也比较高。这些储存技术特点是关闭电源数据也不会丢失的非挥发性(Nonvolitile), 很快的进行switching信息储存。 但因为不能进行长时间switching,内部构造粗糙,不足的高集成度,费用也比较高等原因,仅在特定领域使用。为改善这些,全世界都在用核心的ALD工程来进行研究。采用新一代储存的原子沉积(ALD) 技术fram是储存强诱电体的电极数据,一边储存是0,另外一边储存1为基本构造,和dram相似,但有非挥发性的特点。很长时间pzt材料用于强诱电体,缺点为当厚度变薄的时电极无法维持的问题。最近受到关注的有使用ALD技术,厚度为数nm沉积的 Metal Oxide-doped HFO2, 适用与28nm node的高集成密度。MRAM是自主阻抗储存,根据外部磁气场,磁性层的磁化方向,利用自主阻抗变化显示数据的1, 0。即,磁气场方向一样时表示为 0,不同时表示为1。无高速低电压动作及特性热化,而且集成度也很高。多数研究中用tunnel oxide 适用ALD技术沉积的MgO或 ZnO等。PRAM是利用物质相(phase)变化的非挥发性储存,相从非晶致状态变化到结晶致状态时储存数据。相转移物质使用GST germanium-antimony-tellurium (gst) ,使用ALD技术 step coverage制作了优Xiu的 PRAM储存。rram是绝缘体或半导体的阻抗变化储存。通过氧气空缺,从绝缘物质做成阻抗变化识别0, 1来使用。绝缘物质为通过原子层沉积的SiO2, HFO2,HfAlO, Ta2O5等。许多高校及研究所还在使用原子沉积技术( Lucida Series ALD)进行新一代储存研究得到hen好的结果。原子沉积(ALD)技术大部分用在新一代储存,优点为原子单位厚度调节及均匀性, 步进覆盖好,对于未来新一代储存商用化做到很大贡献。
  • 科普系列:选择性原子层沉积技术
    p   很多涉及原子层沉积技术(ALD)的人都知道,选择性原子层沉积是当今热议的话题。各类论文、研讨会和博文层出不穷,详尽地解释了各种可以达到选择性生长目的的新方法。从某种意义上说,选择性ALD运用了长期困扰ALD使用者的效应,即由于ALD的化学反应特性,薄膜生长的成核现象取决于基底表面。通常来说,在ALD领域人们已经在研究如何尽可能减小这种影响。例如,等离子体ALD一般会有可忽略不计的延迟,但对于选择性ALD来说,成核延迟现象却被放大了。 /p p style=" text-align: center" img style=" width: 450px height: 234px " src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/bcc86ec1-e447-400c-8d88-439d8b625aec.jpg" title=" 02.jpg" height=" 234" hspace=" 0" border=" 0" vspace=" 0" width=" 450" / /p p   有意思的是,虽然等离子体ALD一般没有成核延迟现象,但它仍然可被用于选择性ALD。我在埃因霍温的大学同事已登载了相关发现(http://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.7b04701)。它的要点是在等离子体曝光之后再次重复应用抑制剂,这个过程可用视频中所示的三步ABC ALD方法操作。 /p p    strong 以下视频中解释了选择性等离子体ALD技术的全新概念: /strong /p script src=" https://p.bokecc.com/player?vid=65C25DD24223E8749C33DC5901307461& siteid=D9180EE599D5BD46& autoStart=false& width=600& height=490& playerid=2BE2CA2D6C183770& playertype=1" type=" text/javascript" /script p   那么问题来了,人们会选择哪种ALD设备来研究选择性ALD呢。 strong 我相信我们系统中的一些功能会很有用,例如: /strong /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 可应用多种化学前驱物。气箱可容纳多路气体并由MFC进行流量控制 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 可应用抑制剂分子(如在前驱物注入过程中通入NH3或CO) /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 将氢基作为抑制剂:在前驱物注入前使用氢等离子体(或其他等离子体)来抑制特定表面的生长 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆& nbsp 氟化物等离子体:将CFX或F作为抑制剂,在前驱物注入前使用此等离子体,或进行选择性ALD生长时,即每隔几个生长周期就在同一个腔体内进行一次刻蚀的步骤(注意O2等离子体可刻蚀Ru,H2等离子体可刻蚀ZnO)。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 用于抑制生长的自组装单分子膜(SAMS)注入 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 多腔体集成系统,比如与感应耦合等离子体-化学气相沉积(ICP-CVD)腔室(生长非晶硅)、溅射(sputter)腔室或原子层刻蚀(ALE)腔室结合使用 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 用于原表面改性或刻蚀的基底偏压 /p p    strong 牛津仪器的设备可实现优异的控制效果,包括: /strong /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 通过MFC,快速ALD阀门和快速自动压力控制,可获得精准可调的前驱物/气体注入,以实现一面成核另一面不成核的现象。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 使用预真空室和涡轮增压分子泵保持系统的的高真空度,以使抑制现象长时间不受影响。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 使用等离子体可清洁腔体和恢复腔体氛围。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 带实时诊断功能的生长监控设备:椭圆偏正光谱测量、质谱分析法及发射光谱法 /p p   基于选择性ALD提出的与刻蚀相结合的方法再次让我想到原子尺度工艺处理的问题,我在之前发表的一篇博文中对此进行了讨论。可以想象,通过结合选择性ALD及其他工艺,可以生长出新的超材料(特异材料)和独特结构。例如,通过在选择性曝光的铜中生长石墨烯,或通过周期性刻蚀同一平面的沉积(例如局部选择性ALD),可有效地仅在结构侧边生长材料。因此不论是在普通等离子刻蚀机或带基底偏压特性的FlexAL,结合带导向的离子曝光法也许会是个优势。总得来说,我很期待能有令人惊喜的新发现,新结构和新材料能在可控的方式下诞生。 /p

原子层沉积技术相关的方案

原子层沉积技术相关的论坛

  • 复纳科学仪器(上海)有限公司今日正在招聘,销售经理/工程师(原子层沉积),坐标,高薪寻找不一样的你!

    [b]职位名称:[/b]销售经理/工程师(原子层沉积)[b]职位描述/要求:[/b]你的日常工作包括(岗位描述)1、负责Forge Nano原子层沉积(ALD)相关产品在在中国市场的推广及销售工作 2、参加各种学术会议及研讨会,为客户介绍ALD表面工程的优点,普及ALD知识;3、与客户保持密切沟通,并将客户需求传达给技术团队,协助完善产品定制并提供客户反馈以进行改进 4、与管理团队沟通客户需求、产品开发和生产需求,并快速解决客户的技术问题5、开发潜在客户、跟进有效意向客户、制定方案、发布报价转化订单;6、维护既有用户关系、提供相关技术支持。我们希望你(任职资格):1、化工、材料或相关专业的硕士或者博士毕业;2、愿意接受新事物,有开创精神,乐于奉献;3、卓越的沟通能力和客户服务意识;4、出色的研究和提出解决方案的能力;5、优秀的团队意识,是可靠的团队成员;6、精通英语书面和口语;7、能够接受频繁出差和年度出国。优先招聘:1、具有原子层沉积(ALD)设备销售经验最佳;2、具有向汽车、电池、催化剂、3D打印或其他化学行业中的实验室、大学、一级供应商和OEM销售过研发服务、收费制造服务以及实验室或工业规模设备的经验。产品简介Forge Nano Inc.是使用原子层沉积(ALD)进行表面工程和工业级高精纳米涂层的全球领导者,创始之初便获得了大众集团以及LG集团总计2000万美金的初始投资。Forge Nano致力于通过纳米技术为工业带来突破性的技术革新。我们正在寻找杰出的人才以担任技术销售经理这一重要的角色!技术销售经理将负责目标市场的销售和业务开发工作——识别新客户、新业务机会并与我们的客户保持长期关系。你将与营销和技术团队紧密合作,以成功执行、开发和完善公司的销售计划。该重要角色主要负责为中国市场客户原子层沉积表面工程技术的前景、积极确保健康的销售渠道,并使用公司CRM软件在所有阶段跟踪销售过程。[b]公司介绍:[/b] 复纳科学仪器(上海)有限公司,2012 年成立于上海,为高校、研究所、政府和企业单位提供荷兰 Phenom-World (现所属赛默飞集团)研发生产的飞纳台式扫描电子显微镜。该产品技术领先,市场占有率为80%,目前在中国拥有1000多名用户,包括:清华、北大等几百家高校;中科院等各类研究院所;海关、公安局等各种政府机构;以及新能源、生命科学、半导体等各类企业单位。2017年,复纳与荷兰 Sioux...[url=https://www.instrument.com.cn/job/user/job/position/73221]查看全部[/url]

  • 复纳科学仪器(上海)有限公司刚刚发布了销售工程师(原子层沉积)-上海市职位,坐标上海市,速来围观!

    [size=16px][color=#ff0000][b][url=https://www.instrument.com.cn/job/position-85188.html]立即投递该职位[/url][/b][/color][/size][b]职位名称:[/b]销售工程师(原子层沉积)-上海市[b]职位描述/要求:[/b]你的日常工作包括(岗位描述)1、负责Forge Nano原子层沉积(ALD)相关产品在在中国市场的推广及销售工作 2、参加各种学术会议及研讨会,为客户介绍ALD表面工程的优点,普及ALD知识;3、与客户保持密切沟通,并将客户需求传达给技术团队,协助完善产品定制并提供客户反馈以进行改进 4、与管理团队沟通客户需求、产品开发和生产需求,并快速解决客户的技术问题5、开发潜在客户、跟进有效意向客户、制定方案、发布报价转化订单;6、维护既有用户关系、提供相关技术支持。我们希望你(任职资格):1、化工、材料或相关专业的硕士或者博士毕业;2、愿意接受新事物,有开创精神,乐于奉献;3、卓越的沟通能力和客户服务意识;4、出色的研究和提出解决方案的能力;5、优秀的团队意识,是可靠的团队成员;6、精通英语书面和口语;7、可接受频繁的业务出差。优先招聘:1、具有原子层沉积(ALD)设备销售经验;2、具有向汽车、电池、催化剂、3D打印或其他化学行业中的实验室、大学、一级供应商和OEM销售过研发服务、收费制造服务以及实验室或工业规模设备的经验。产品简介Forge Nano Inc.是使用原子层沉积(ALD)进行表面工程和工业级高精纳米涂层的全球领导者,创始之初便获得了大众集团以及LG集团总计2000万美金的初始投资。Forge Nano致力于通过纳米技术为工业带来突破性的技术革新。我们正在寻找杰出的人才以担任技术销售经理这一重要的角色!技术销售经理将负责目标市场的销售和业务开发工作——识别新客户、新业务机会并与我们的客户保持长期关系。你将与营销和技术团队紧密合作,以成功执行、开发和完善公司的销售计划。该重要角色主要负责为中国市场客户原子层沉积表面工程技术的前景、积极确保健康的销售渠道,并使用公司CRM软件在所有阶段跟踪销售过程。[b]公司介绍:[/b] 聚焦台式电镜,致力电镜普及为研发工作者赋能,让我们一起 Free to Achieve复纳科学仪器(上海)有限公司于2012年成立,为高校、科研院所、政府和企业提供荷兰飞纳Phenom(现所属Thermo Fisher Scientific 赛默飞世尔科技)台式扫描电子显微镜(SEM)。该产品技术先进,市场占有率达80%,目前在中国拥有1000多家用户。2017年起,复纳与荷兰 S...[url=https://www.instrument.com.cn/job/position-85188.html]查看全部[/url][align=center][img=,178,176]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/08/202108160948175602_3528_5026484_3.png!w178x176.jpg[/img][/align][align=center]扫描二维码,关注[b][color=#ff0000]“仪职派”[/color][/b]公众号[/align][align=center][b]即可获取高薪职位[/b][/align]

原子层沉积技术相关的资料

原子层沉积技术相关的仪器

  • 原子层沉积系统 400-860-5168转3281
    原子层沉积系统(Atomic Layer Deposition System,ALD)产地:美国 主要产品系列:1.ALD (传统的热原子层沉积);2.PEALD (等离子增强原子层沉积);3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积); 仪器简介:原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD),也称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),或原子层化学气相沉积(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,ALCVD)。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源,化学吸附至表面饱和时自动终止,适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤:脉冲A,清洗A,脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度,是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括:1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度,从而达到原子层厚度精度的薄膜;2. 由于前驱体是饱和化学吸附,保证生成大面积均匀性的薄膜; 3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜,作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层;4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物;5. 薄膜生长可在低温下进行(室温到400度以下);6. 可广泛适用于各种形状的衬底;7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件,生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数:基片尺寸:6英寸、8英寸、12英寸;加热温度:25℃—400℃(可选配更高);均匀性: 2%;前驱体数:4路(可选配6路);兼容性: 可兼容100级超净室;尺寸:950mm x 700mm;ALD及PE-ALD技术; 原子层沉积ALD的应用包括:1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3);2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN);3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir);4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);5) 纳米结构 (All ALD Material);6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS);9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2); 目前可以沉积的材料包括:1) 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2) 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... 3) 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4) 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... 5) 碳化物: TiC, NbC, TaC, ... 6) 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... 7) 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...
    留言咨询
  • 台式三维原子层沉积系统ALD原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器,化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法,是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此,它是一种真正的纳米技术,以控制方式实现纳米的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性,因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。 美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统,在小巧的机身(78 x56 x28 cm)中集成了原子层沉积所需的所有功能,可多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁,结合前驱体瓶加热,管路加热,横向喷头等设计, 使温度均匀性高达99.9%,气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%,而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖,可实现对高达1500:1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。GEMStar XT 产品特点:■ 300℃ 铝合金热壁,对流式温度控制■ 175℃ 温控150ml前驱体瓶,200℃ 控输运支管■ 可容纳多片4,6,8英寸样品同时沉积■ 可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体■ 标准CF-40接口■ 可安装原位测量或粉末沉积模块等选件■ 等离子体辅助ALD插件■ 多种配件可供选择GEMStar XT 产品型号:GEMStar -4 XT:■ 大4英寸/100 mm基片沉积■ 单路前驱体输运支管, 4路前驱体瓶接口■ 不可升为等离子体增强ALDGEMStar -6/8 XT:■ 大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉积■ 双路前驱体输运支管, 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 可升为等离子体增强ALDGEMStar -8 XT-P:■ 大8英寸/200mm基片沉积■ 双路前驱体输运支管, 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 装备高性能ICP等离子发生器13.56 MHz 的等离子源非常紧凑,只需风冷,高运行功率达300W。■ 标配3组气流质量控制计(MFC)控制的等离子气源线,和一条MFC控制的运载气体线,使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。GEMStar NanoCUBE:* 大100 mm 立方体样品 沉积* 单路前驱体输运支管, 2路前驱体瓶接口* 主要用于3D多孔材料,以及厚样品的沉积丰富配件:多样品托盘:* 多样品夹具,样品尺寸(8", 6", 4")向下兼容。* 多基片夹具,多同时容纳9片基片。 温控热托盘:* 可加热样品托盘,高温度500℃,可实现热盘-热壁复合加热方式。粉末沉积盘: 臭氧发生器: 真空进样器(Load Lock) 晶振测厚仪 前驱体瓶: 前驱体加热套:
    留言咨询
  • 芬兰PICOSUN公司是ALD技术发明人Tuomo Suntola创立的,与Picosun专家队伍被称为ALD的梦之队。Suntola于1974年发明ALD技术,因此获得半导体行业European SEMI 2004奖。PICOSUN公司凭借其杰出的生产型与科研型产品,于2022年6月加入美国应用材料公司。PICOSUN产品分为科研型与生产型。科研型产品有:标准型PICOSUN™ R-200 Standard,只有热法原子层沉积系统高级型PICOSUN™ R-200 Advanced,有热法原子层沉积系统与等离子体增强原子层沉积系统高级型ALD可以添加前沿的微波等离子体辅助增强模块Microwave Plasma, 这种微波等离子体增强原子层沉积系统在颗粒、薄膜致密性表现更好,同时有可能沉积具有挑战性的一些氮化物薄膜,如氮化硅等。请搜索我司网站联系我们!
    留言咨询

原子层沉积技术相关的耗材

  • 电子显微镜专用用碳沉积
    CARBON FILL,MGIS碳沉积(多支气体注入系统专用)用于原厂电子显微镜多支气体注入系统,碳沉积(多支气体注入系统专用)是一种存放碳化合物的容器,将药品加热到一定温度,药品气化,在真空压差和可控阀门的作用下,将药品气体喷洒在样品表面,同时在离子束的诱导作用下将碳分子沉积在样品表面。以实现对样品表面形貌的保护,或对样品进行导电处理。大束科技是一家以自主技术驱动的电子显微镜系列核心配件研发制造的供应商和技术服务商。目前公司主要生产电子显微镜的核心配件离子源、电子源以及配套耗材抑制极、拔出极、光阑等销往国内外市场,此外,还为用户提供定制化电子显微镜以及电子枪系统等的维修服务,以及其他技术服务和产品升级等一站式、全方位的支持。在场发射电子源(电子显微镜灯丝)、离子源以及电镜上的高低压电源、电镜控制系统研发制造等领域等均具有优势。
  • QT-DN02沉积物采样套件(不锈钢)
    用途:用于对河底淤泥或者沉积物进行分层采样,标准采样深度为3米,最短采样长度约为30厘米,可以分3层,用户可以额外选配分层采样器附管,来增加采样长度。特点:采集淤泥样品,可连续采样连接杆标配三米,其他长度可订制。取样管标配0.9米,其他长度可订制。包含采集淤泥所需全套部件滑动锤取样时更轻松。含便携箱,携带方便。 技术规格:序号名称描述数量1取样管直径5.2CM、SUS304不锈钢材质、螺纹连接3件2滑动锤重量8 lb、优质碳素钢材质、螺纹连接1件3重型十字手柄优质碳素钢材质、配有橡塑手柄、十字头可拆卸(可连接滑动锤,也可直接用吸能锤敲击)1件4采样器头I带阀门,SUS304不锈钢材质、螺纹连接1件5采样器头IISUS304不锈钢材质、螺纹连接1件6连接杆长1米、每10CM处有刻度、SUS304不锈钢材质、螺纹连接3件7.取样衬筒直径4.4CM、PC透明管,长度:12”2支、24”1支、36”1支4件8衬筒管盖尼龙材质8件9手套防滑、防水、棉布内衬1副10活动扳手12英寸、带防滑手柄2件11清洁刷尼龙1件12卷尺5米1件13皮带扳手长22.5CM1件14豪华便携箱内带防震海绵、ABS材质1件产地:中国
  • 脉冲激光沉积用准分子激光器
    IPEXTM 840/860 PLD系列 脉冲激光沉积用准分子激光器Excimer Lasers for Pulsed Laser Deposition基于轻工机械最畅销的Ipex系列工业级准分子激光器,为PLD应用优化了激光器优秀的光束匀称性,脉冲到脉冲能量稳定和短脉冲持续时间在所有重复率能量恒定最长气体寿命和最低运行成本的ICONTM(在镍集成陶瓷)技术EasyClean自动光学密封,以保持填充气体,减少维护时停机时间高亮度镜头,适用于要求低光束发散或延长相干长度定制光束传输系统IPEX-840/860系列准分子激光器在脉冲激光沉积(PLD)领域展现了优异的性能、耐用性、可靠性和满足研究人员和系统集成商要求的易于集成性能。稳定性能得到可靠PLD结果:能量恒定IPEX-840/860系列激光器的指定脉冲能量从单脉冲到最大重复频率都是恒定的。这与其他有竞争力的激光器智能在地重复频率能量恒定和能量岁脉冲重复率上升而快速下降形成鲜明对比。LightMachinery的方法使PLD的工艺参数与激光重复率是一个恒量。恒定脉冲稳定性在PLD应用中,脉冲能量受一个先进的能量监视器监控,能够准确的调节放电电压和混合气体,在任何操作条件,包括PLD需要的突发脉冲,恒定输出能量。指向性恒定不变高稳定性使镜片座能够有200m-radian指向稳定性和光学维护后不需要调制光束角度光束质量稳定性IPEX-840/860系列激光器的光束强度分布被设计为边缘陡峭,顶部平坦,特别是激光管寿命的微小变化。PLD光束传输系统我们可以针对任何特定的PLD要求提供完整的激光传输系统规格 设备电源: 单相,200-240V,20A,50/60Hz冷却水:5 litres/minute,5-20℃,40-60psig激光气体:预混合气,具体请联系我们

原子层沉积技术相关的试剂

Instrument.com.cn Copyright©1999- 2023 ,All Rights Reserved版权所有,未经书面授权,页面内容不得以任何形式进行复制