非晶碳薄膜

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非晶碳薄膜相关的耗材

  • 四探针方阻测试探头 4PP光伏硅片4点探头 KLA、CDE、NAPSON 原厂;晶圆 ITO薄膜电阻探头
    四点探针头是用于方阻测试设备上的精密零件,我公司生产的探头能适配到国内外所有的方阻测试设备上,稳定性和一致性十分优秀;无缝替代由国外生产的探头JANDEL、CDE等国外品牌,打破国外技术垄断和封锁。探针的针尖材料一般是用碳化钨。每一种探头的主要选择配置参数: A,探头主体材料及外形尺寸 B,针尖半径 C,针头的间隔 D,针头的负载 E,针头排列,线型,或者正方形。 F,连接方式: 连接器,或导线联接及长度主要的应用领域: 硅片电阻率的测量。 晶圆的电阻率的4点测量。 外延、离子注入层的4点电阻测量。 金属薄膜和其他薄膜的4点电阻测量。
  • 铌酸锂单晶薄膜 钽酸锂单晶薄膜 300-900纳米,5-50微米
    300-900纳米铌酸锂单晶薄膜300-900纳米 铌酸锂单晶薄膜顶层器件层尺寸 3, 4, (6) 英寸切向X, Z, Y切等材料铌酸锂厚度300-900 纳米掺杂(可选)掺镁埋层材料二氧化硅 厚度1000-4000 纳米基底 材料硅、铌酸锂、石英、熔融石英等厚度400-500 微米电极层(可选)材料铂金,金,铬厚度100-400 纳米 位置在顶层器件层与埋层之间或埋层与基底之间 铌酸锂单晶薄膜二氧化硅 硅、铌酸锂、石英或熔融石英基底 铌酸锂单晶薄膜 金电极或铂金电极铌酸锂基底二氧化硅 铌酸锂单晶薄膜 金电极或铂金电极 铌酸锂基底 二氧化硅 掺镁铌酸锂单晶薄膜 铌酸锂基底 5-50 微米石英
  • Struers 碳化硅砂纸(带薄膜)
    为确保施加精确的力度并正确加液,我们建议您使用与设备配套的Struers耗材。这是因为每种机器和耗材被设计成适于配合使用,以控制研磨过程的所有参数,例如以合适的数量和有效的分布添加磨料和悬浮液。这是充分利用您投资的理想方式。 MD-System先进的MD-System包括与金属基座研磨盘和抛光布结合的磁性支撑盘。由于这些研磨盘均匀地磨削试样中的硬相和软相,因此能够实现恒定的高材料磨削率和最大平整度。制备时间和成本也显著减少。 只有Struers耗材才能充分发挥Struers设备的优势。请点击此处,登录耗材商城查看碳化硅薄膜的详细型号和应用。

非晶碳薄膜相关的仪器

  • 薄膜太阳电池QE测试专用系统 SCS10-Film适用范围: 非晶硅薄膜电池、CIGS 薄膜电池、CdTe 薄膜电池、非晶/ 微晶双结薄膜电池、非晶/ 微晶/微晶锗硅三结薄膜电池等光谱范围:300~1700nm电池结构:单结、多结太阳电池可测参数:光谱响应度、外量子效率、反射率、透射率、内量子效率、短路电流密度可测样品面积:300mm×300mm● 集成一体化turnkey系统● 大面积薄膜电池测试专用● 超大样品室,光纤传导● 背面电极快速连接● 反射率、内外量子效率同步测试● 快速高效售后服务 SCS10-Film系统规格 光源150W高稳定性氙灯,光学稳定度≤0.4%,光纤传导测试光斑尺寸2mm~10mm可调单色仪三光栅DSP扫描单色仪波长范围300nm~1700nm波长准确度±0.2nm(@1200g/mm,500nm)扫描间隔最小可达0.1nm,默认设置10nm输出波长带宽0.1nm~10nm可调,默认设置5nm多级光谱滤除装置根据波长自动切换,消除多级光谱的影响光调制频率4~400Hz标准探测器进口Si光电探测器,含校正测试报告数据采集装置灵敏度直流模式:100nA;交流模式:2nV测量重复精度0.6%( 400~1000nm范围0.3%)测量速度单次光谱响应扫描 1min 完整流程扫描 5min(扫描间隔10nm)样品加持探针样品台,156mm×156mm,特殊样品台可定制*Mapping扫描速度:20点/s(@0.5mm step)分辨率:0.5mm仪器尺寸主机:;样品室:控制机柜:800mm×600mm×1300mm计算机及软件系统含工控计算机、显示器、鼠标、键盘,正版windows 7操作系统,系统软件安装光盘
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  • 太阳能电池量子效率测试系统——SolarCellScan100系列系统功能系统可以实现测试太阳电池的:光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、透射率、短路电流密度、量子效率Mapping、反射率Mapping。系统适用范围1、适用于各种材料的太阳电池包括:单晶硅Si、多晶硅mc-Si、非晶硅α-Si、砷化镓GaAs、镓铟磷GaInP、磷化铟InP、锗Ge、碲化镉CdTe、铜铟硒CIS、铜铟镓硒CIGS、染料敏化DSSC、有机太阳电池Organic Solar Cell、聚合物太阳电池Polymer Solar Cell 等2、适用于多种结构的太阳电池包括:单结Single junction、多结multi junction、异质结HIT、薄膜thin film、高聚光HPV 等不同材料或不同结构的太阳电池,在测试过程中会有细节上的差异。比如说:有机太阳电池的测试范围主要集中在可见光波段,而GaAs 太阳电池的测试范围则很可能扩展到红外1.4um 甚至更长波段;单晶硅电池通常需要测内量子效率,而染料敏化太阳电池通常只需要测外量子效率;有机太阳电池测试通常不需要加偏置光,而多结非晶硅薄膜电池则需要加偏置光……SolarCellScan100 通过主机与各种附件的搭配,可以实现几乎所有种类电池的测试。这种模块化搭配的方式,适合科研用户建立测试平台。 选型列表:型号名称和说明主机SCS1011太阳能电池量子效率测量系统,含直流、交流测量模式,氙灯光源SCS1012太阳能电池量子效率测量系统,含直流测量模式,氙灯光源SCS1013太阳能电池量子效率测量系统,含直流、交流测量模式,溴钨灯光源SCS1014太阳能电池量子效率测量系统,含直流测量模式,溴钨灯光源SCS1015太阳能电池量子效率测量系统,含直流、交流测量模式,氙灯溴钨灯双光源SCS1016太阳能电池量子效率测量系统,含直流测量模式,氙灯溴钨灯双光源附件QE-A1偏置光附件,150W氙灯QE-A2偏置光附件,50W溴钨灯QE-B1标准太阳电池(单晶硅)QE-B1-SP标准太阳电池QE-B2标准铟镓砷探测器(800-1700nm,含标定证书)QE-B3标准硅探测器(300-1100nm,含标定证书)QE-B4标准铟镓砷探测器(800-2500nm,含标定证书)QE-B7透过率测试附件(300-1100nm)QE-B8透过率测试附件(800-1700nm)QE-BVS偏置电压源(±10V可调)QE-C2漫反射率测试附件(300-1700nm)QE-C7标准漫反射板QE-D1二维电动调整台QE-D2手动三维调整台QE-IV-Convertor短路电流放大器专用机型介绍系统功能部分太阳能应用方向的研究人员需要测量量子效率,但本身却不是光电测量方面的行家,卓立汉光在测量平台SolarCellScan100的基础上,进一步开发出以下几套极具针对性的专用机型配置,方便客户使用。以下的专用配置也适合产业化的工业客户使用。1、通用型太阳电池QE测试系统SCS100-Std系统特点符合IEC60904-8国际标准;测量结果高重复性;内外量子效率测量功能;快速导入参数功能;适用于科研级别小样品测试适用范围: 晶体硅电池、非晶硅薄膜电池、染料敏化电池、CdTe薄膜电池、CIGS薄膜电池等; 光谱范围: 300~1100nm; 电池结构: 单结太阳电池; 可测参数: 光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、短路电流密度; 可测样品面积: 30mm×30mm 2.通用型太阳电池QE测试系统SCS100-Exp系统特点符合IEC60904-8国际标准;测量结果高重复性;高度自动化测量;双光源设计;红外光谱范围扩展;薄膜透过率测试功能;小面积、大面积样品测试均适用;适用范围: 晶体硅电池、非晶硅薄膜电池、染料敏化电池、有机薄膜电池、CdTe薄膜电池、CIGS薄膜电池、三结砷化镓GaAs电池、非晶/微晶薄膜电池等; 光谱范围: 300~1700nm; 电池结构: 单结、多结太阳电池; 可测参数: 光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、透射率、短路电流密度; 可测样品面积: 156mm×156mm以下 3.晶体硅太阳电池测试专用系统 SCS100-Silicon系统特点集成一体化turnkey系统晶体硅电池测试专用内外量子效率测试快速Mapping扫描功能快速高效售后服务适用范围: 单晶硅电池、多晶硅电池 光谱范围: 300~1100nm 电池结构: 单结太阳电池 可测参数: 光谱响应度、外量子效率、反射率、内量子效率、短路电流密度、*量子效率Mapping、*反射率mapping 可测样品面积: 156mm×156mm 4.薄膜太阳电池QE测试专用系统 SCS100-Film系统特点集成一体化turnkey系统;大面积薄膜电池测试专用;超大样品室,光纤传导;背面电极快速连接;反射率、内外量子效率同步测试;快速高效售后服务。适用范围: 非晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池、CdTe薄膜电池、非晶/微晶双结薄膜电池、非晶/微晶/微晶锗硅三结薄膜电池等; 光谱范围: 300~1700nm ; 电池结构: 单结、多结太阳电池; 可测参数: 光谱响应度、外量子效率、反射率、透射率、内量子效率、短路电流密度; 可测样品面积: 300mm×300mm 5.光电化学太阳电池测试专用系统 SCS100-PEC系统特点光电化学类太阳电池专用配置方案;直流测量模式;低杂散光暗箱;电解池样品测试附件;经济型价格适用范围: 染料敏化太阳电池; 光谱范围: 300~1100nm; 电池结构: 光电化学相关的纳米晶太阳电池; 可测参数: IPCE; 可测样品面积: 50mm×50mm
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  • 具备三维翘曲(平整度)、薄膜应力、纳米轮廓、宏观缺陷成像等检测功能,适用于半导体晶圆生产、半导体制程工艺开发、玻璃及陶瓷晶圆生产.优势对各种晶圆的表面进行一次性非接触全口径均匀采样测量简单、准确、快速、可重复的测量方式,多功能强大的附加模块:晶圆加热循环模块(高达400度);表面粗糙度测量模块;粗糙表面晶圆平整度测量模块适用对象2 寸- 8 寸/12 寸抛光晶圆(硅、砷化镓、碳化硅等)、图形化晶圆、键合晶圆、封装晶圆等;液晶基板玻璃;各类薄膜工艺处理的表面适用领域半导体及玻璃晶圆的生产和质量检查半导体薄膜工艺的研究与开发半导体制程和封装减薄工艺的过程控制和故障分析检测原理晶圆制程中会在晶圆表面反复沉积薄膜,基板与薄膜材料特性的差异导致晶圆翘曲,翘曲和薄膜应力会对工艺良率产生重要影响。采用结构光反射成像方法测量晶圆的三维翘曲分布,通过翘曲曲率半径测量来推算薄膜应力分布,具有非接触、免机械扫描和高采样率特点,12英寸晶圆全口径测量时间低于30s。通过Stoney公式及相关模型计算晶圆应力分布。三维测量分析软件易用性强,具有丰富分析功能,包括:三维翘曲图、晶圆翘曲参数统计(BOW,WARP,GFIR,SFLR等),薄膜应力及分布,模拟加热循环,曲率,各种多项式拟合、空间滤波和各类数据导出。
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非晶碳薄膜相关的试剂

非晶碳薄膜相关的方案

非晶碳薄膜相关的论坛

  • 【求助】请教高手关于非晶碳薄膜的拉曼分析

    本人最近刚接触拉曼光谱,恳请大侠们不吝赐教!前期做了一些非晶碳薄膜材料,用磁控溅射方法制备,想利用Raman分析薄膜中sp2C和sp3C杂化态及其含量,看文献中介绍D峰和G峰,还是不太明白具体含义,请高手详细解释一下!另外,ID/IG如何获得?其比例能否代表sp2C和sp3C的含量?

  • 【求助】哪里能够购买到或者制备非晶薄膜

    最近想找一些Si,SiO2之类的非晶薄膜,不知道各位是否曾经买过或者制备过类似的样品,能否提供一些相关信息。文献上提到可以用蒸镀等办法在碳膜上沉积上一层薄膜,但是不知道大家有没有相关的经验,是否可以共享。非常谢谢!

  • 【求助】非晶Si薄膜中的黑色条纹

    本人制备了一个非晶Si薄膜的平面样品,但是在图像中看到许多黑色条纹带,这是否是因为薄膜中应力应变造成?(因为是离子减薄的样品)请大侠指教![em0808]

非晶碳薄膜相关的资料

非晶碳薄膜相关的资讯

  • AM:低温强磁场磁力显微镜助力化合物薄膜中纳米尺度非共线自旋结构研究取得重要进展
    近年来,磁性斯格明子受到了广泛的关注。这些拓扑保护的非共线磁性自旋结构纳米粒子稳定在反转对称破坏的磁性化合物中,是手性洛辛斯基-莫里亚相互作用(DMI)以及铁磁交换相互作用的结果。为广泛研究的自旋结构先是在单晶和外延薄膜中非中心对称B20化合物中观察到的类布洛赫斯格明子,其次是在超薄铁磁层和重金属层形成的薄膜异质结构中的斯格明子。对非共线自旋结构的观察很多都是利用从晶体中提取的薄片进行的。磁性纳米粒子,即反斯格明子和布洛赫斯格明子,已被发现同时存在于由具有二维对称的反四方赫斯勒化合物形成的单晶片层中。然而,制作四方赫斯勒化合物的薄膜以及在其中的自旋结构测量仍然具有挑战性。图1. 100K温度MFM成像研究35 nm厚Mn2RhSn薄膜中纳米磁性结构的演化 通过各种直接成像技术可以在真实空间中观察到斯格明子。近期,德国科学家Parkin等人使用低温强磁场磁力显微镜(MFM)成像来研究[001]取向的Mn2RhSn薄膜中的磁性结构。图1展示了在100K下随磁场增加而变化的典型MFM结果。为了进一步研究Mn2RhSn薄膜中观察到的纳米物体的稳定性,在矢量磁场存在下对35 nm厚的薄膜进行了MFM测量(图2)。图2 :200K温度下,35 nm厚Mn2RhSn薄膜中纳米粒子在矢量磁场中的稳定性科学家在很大的温度范围内(从2k到280K)和磁场的作用下观察磁性纳米物体,从研究结果可知,形成不同的椭圆和圆形的大小孤立粒子取决于场和温度(图3)。此外,借助于由MFM产生的局部磁场梯度,科学家还演示了这些纳米粒子的产生和湮灭(图4)。图3. 35 nm厚Mn2RhSn薄膜中, MFM研究不同温度下的纳米粒子, 图a-f分别是5K, 50K, 100K, 150K, 200K, 250K温度下MFM成像数据 图4. 基于MFM显微探针技术控制35 nm厚Mn2RhSn薄膜中纳米粒子的产生和湮灭综上所述,由磁控溅射形成的Mn2RhSn外延薄膜中存在磁性纳米粒子。类似于单晶薄片,这些纳米粒子在广泛的尺寸范围内以及在磁场和温度下都具有稳定性。然而,纳米粒子并没有形成明确定向的阵列,也没有任何证据发现螺旋自旋结构,这可能是薄膜中化学顺序均匀性较差导致的结果。然而,在外延薄膜中发现了沿垂直晶体方向的椭圆扭曲纳米粒子,这与在单晶片中观察到的椭圆布洛赫斯格明子一致。因此,这些测量结果为Mn2RhSn薄膜中非共线自旋结构的形成提供了强有力的证据。实验结果表明,在这些薄膜中,可以利用磁性的局部磁场来删除单个纳米物体,也可以写出纳米粒子的集合。 低温强磁场原子力/磁力显微镜attoAFM/MFM I主要技术特点:温度范围:1.8K ..300 K磁场范围:0...9T (取决于磁体, 可选12T,9T-3T矢量磁体等)工作模式:AFM(接触式与非接触式), MFM样品定位范围:5×5×4.8 mm3扫描范围: 50×50 μm2@300 K, 30×30 μm2@4 K 商业化探针可升PFM, ct-AFM, CFM,cryoRAMAN, atto3DR等功能 图5. 低温强磁场原子力磁力显微镜以及attoDRY2100低温恒温器 参考文献:[1]. Parkin et al, Nanoscale Noncollinear Spin Textures in Thin Films of a D2d Heusler Compound,Adv. Mater. 2021, 33, 2101323.
  • 宁波材料所发表文章表明碳基Janus薄膜在柔性智能设备中的应用
    Janus薄膜由于具有不对称的结构和独特的物理或化学性质,在传感、驱动、能源管理和先进分离等方面表现出了巨大的应用潜力。   其中,仿生柔性皮肤由于兼具灵敏感知、驱动和功能集成等特点,已经引起了人们广泛的研究兴趣。为实现这些特定的功能,需要选择合适的活性功能材料并以可控的方式形成不对称的结构。碳纳米材料由于具有优异的导电和导热性能、本征机械柔韧性、高化学和热稳定性、易于加工等优点,是一种极具应用前景的活性材料。   碳纳米材料和功能聚合物以可控方式进行不对称结合可以促进高性能传感、驱动和集成器件的设计,从而推动智能软体机器人的发展。因此,迫切需要对碳基Janus薄膜的设计原则进行全面总结,并深入讨论表面/界面结构和性能之间的关系,以指导其在柔性智能设备中的应用。   中国科学院宁波材料技术与工程研究所智能高分子材料团队陈涛研究员、肖鹏副研究员基于在碳基/高分子Janus薄膜的构筑及其柔性传感和驱动方面的长期研究基础,受邀在Accounts of Materials Research上发表题为“Carbon-based Janus Films Toward Flexible Sensors, Soft Actuators and Their Beyond”的综述文章(Acc. Mater. Res. 2023, DOI: https://doi.org/10.1021/accountsmr.2c00213), 系统总结了碳基Janus薄膜的制备策略、结构与性能关系以及传感和驱动及其一体化集成器件应用方面的研究进展,并对该领域的未来发展进行了展望。   在该综述中,作者首先讨论了几种常见的碳纳米材料(例如,碳纳米管、石墨烯、氧化石墨烯和还原氧化石墨烯、石墨和炭黑等)的基本性质和优缺点,以此来引导人们根据所需的性能和应用场景选择合适的材料。随后介绍了碳基Janus薄膜通用的制备策略,并根据制备过程中基底不同,将其分为固体支撑的物理和化学策略以及液体支撑的界面策略。其中,重点讨论了不同的设计原则和表面或界面结构以及性能之间的关系,以此来指导设计高性能器件。具有不对称功能耦合的碳基Janus薄膜进一步通过构建特殊表面微结构来实现高性能电子皮肤的开发,同时还能以支撑和自支撑构型用于非接触式感知。此外,由于碳纳米材料优异的光热转化以及湿度响应性能和聚合物层的功能可设计性,碳基Janus薄膜在高性能光热驱动、湿度驱动以及多刺激响应驱动器中取得了巨大进展。基于碳材料优异的导电和传感性能,碳基Janus薄膜还可以设计成自感知软体驱动器,极大推动了智能软体机器人的发展。   尽管碳基Janus薄膜在传感、驱动和一体化柔性器件的开发中得到了长足的发展,但仍然存在一些问题和挑战亟需解决。首先,碳纳米材料应用到植入式传感或驱动器件中时,需要考虑和生物相容性材料进行复合或者对器件进行封装来降低毒性风险。其次,为实现稳定的驱动和精确的传感信号反馈,需要进一步提高两相界面的结合强度。同时,赋予碳基Janus薄膜多功能性,例如自愈合、抗腐蚀、耐高温、抗冻等,以增强其在复杂、恶劣环境中的适应性。不仅如此,还需探索高效易得的方法以实现碳基Janus薄膜可控图案化,来构建高精度、定位传感器和可编程的多阶段驱动器。最后,为实现碳基Janus薄膜的大规模生产以及推动其在智能软体机器人中的发展,结合可扩展的界面制备策略和先进的打印以及卷对卷加工等技术似乎是一种不错的选择。   该论文得到了国家自然科学基金(52073295)、国家重点研发计划项目(2022YFC2805204、2022YFC2805202)、国家自然科学基金委中德交流项目(M-0424)、浙江(之江)实验室开放研究项目(No.2022MG0AB01)、中国科学院前沿科学重点研发项目(QYZDB-SSW-SLH036)、王宽诚教育基金(GJTD-2019-13)等项目的支持。基于先进制造技术构建碳基Janus薄膜用于传感、驱动及其一体化智能柔性器件
  • 拉曼光谱:精准量化微晶硅薄膜晶化率
    引言微晶硅薄膜是纳米晶硅、晶粒间界、空洞和非晶硅共存的混合相无序材料,具有稳定性好、掺杂效率高、长波敏感性较强、可低温大面积沉积、原材料消耗少以及能在各种廉价衬底材料上制备的优点,为了使太阳能电池能够大规模连续化生产并且具有更高的效率,硅异质结太阳能电池开始使用微晶硅薄膜替代非晶硅层。升级后的硅异质结太阳能电池的光电转换效率与微晶硅薄膜的结晶度密切相关。其中,结晶率指晶态硅与晶界占非晶态、晶态、晶界总和的质量百分比或体积百分比,是评价结晶硅薄膜晶化效果的一项重要指标。在行业内通常使用拉曼光谱分析法评估微晶硅薄膜的晶化率[1,2]。实验与结果分析晶体硅排列有序,键角和键长高度一致,拉曼峰形尖锐位于520cm-1附近,无定形硅结构相对无序,拉曼峰形展宽位于480cm-1附近。采用两种结构的拉曼特征峰值(峰强或峰面积)可以实现硅晶化率的分析,晶化率计算公式如下:其中和表示在520cm-1 和480cm-1附近的拉曼峰的面积,中心为520 cm-1附近的拉曼峰是晶体硅的特征峰,位于480 cm-1附近的拉曼峰是非晶硅的约化声子谱密度。本文采用卓立汉光自主研制的Finder 930全自动共聚焦显微拉曼光谱仪分析了硅基底上微晶硅薄膜晶化率,拉曼光谱实测数据及多峰拟合结果如图1所示。可以观测到拉曼峰位在310cm-1附近的类纵声学模(类TA 模)特征峰,在480 cm-1附近的类横光学模(类TO模)分解为峰位在470 cm-1附近(Prim TO)和在490 cm-1处(Seco TO)两个特征峰。对于出现晶态硅特征峰的样品对应于峰位在510cm-1附近的晶粒间界拉曼散射成分(GB)特征峰[3]。 卓立汉光自主开发了晶化率自动计算软件,可以实现自动分峰拟合和晶化率计算,软件操作简单,易于使用,晶化率拟合结果如图2所示,自动计算结果可知晶化率为33.52%. 图2 采用自主研制软件拟合结果拉曼光谱技术可以无损分析微晶硅薄膜晶化率,在晶硅(晶体硅)与无定型硅(非晶硅)的定量鉴别及晶化率评估中展现出优异性能,通过解析特征峰的强度或面积,直接计算得出材料的晶化率,为材料性能评估提供了实验依据。参考文献[1]赵之雯,刘玉岭.微晶硅薄膜稳定性的研究[J].河北工业大学学报,2011,40(02):13-15[2] 高磊等. 微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法及其应用[P].2023.06.23.[3] 范闪闪,郭强,杨彦彬,等.相变区硅薄膜拉曼和红外光谱分析[J].光谱学与光谱分析,2018,38(01):82-86.
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