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【求助】(已应助)关于半导体硅的测试

物性测试综合讨论

  • 请问各位大侠:半导体硅在做器件前除了测载流子浓度、电阻率、C、O杂质浓度、少数载流子密度外还要测那些参数啊!!老板要求写调研报告,实在找不到相关的资料!只要请教各位大侠了!!谢谢!
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  • 大陆

    第1楼2008/09/04

    给阁下两点提示:
    1、要测试的全部内容一般即硅片制造商提供的规格参数,不妨使用silicon wafer, specifications或datasheet在网上搜一下,比如
    Diameter     300 +/- 0.5 mm     300 +/- 0.2 mm
    Type / Dopant     P/Boron     P/Boron
    Orientation     <100> +/- 1º     <100> +/- 1º
    Grade     Test     Prime
    Resistivity     1 - 50 Ω-cm     15-20 Ω-cm
    Radial Resisivity Gradient     —     As Specified
    Oxygen     —     As Specified
    Carbon     —     As Specified
    Metals     < 5 x E10 atoms/cm2     < 1 x E10 atoms/cm2
    Thickness     775 +/- 25 μm     775 +/- 15 μm
    TTV(total thickness variation)     <= 5 μm     <= 2 μm
    Bow / Warp     <= 50 μm     <= 40 μm
    Site Flatness (STIR-site total indicator runout/readings) — As Specified
    Notch     SEMI Standard     SEMI Standard
    Particle Count     <= 50 @ >= 0.16 μm     <= 50 @ >= 0.12 to 0.065 μm
    Front Surface     Polished     Polished
    Back Surface     Polished     Polished
    * N type wafers available

    参考链接: http://www.svmi.com/diameter.aspx?id=7

    2、如果对半导体行业还没有入门的话,我在这里提供一本手册供参考:

    Handbook_of_Semiconductor_Interconnection_Technology.pdf

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  • antill

    第2楼2008/09/04

    谢谢大陆的无私帮助!

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