【讨论】写个探测器的对照表吧

资料不错，但不同探测器的分辨率还与其前端的铍窗厚度有很大的关系；
现在SDD已经用于TEM上了，并不只在SEM上用。

现在都是超薄Be窗了吧
TEM上用SDD和荧光能谱上用SDD都存在一个问题，由于激发的能力足够高，可以激发出重元素的K线系特征X射线，但是SDD由于晶体过薄，对于超过10kev射线吸收能力很差，得不到好的测试结果。所以一般在TEM和荧光能谱上，还是推荐用Si(Li)，这样对于高能的射线捕获更好。
这个我也贴个图，大家看看，相互交流，学习

这个图为Si(Li)和Si飘探测器对比图
一般Si(Li）为厚晶体，高能X射线不容易穿过
而Si漂移的，由于现在技术上的限制，不能做的很厚，所以高能X射线会穿过。当然如果那天SDD的可以做到足够厚了，这个肯定是比Si(Li）的先进，但是现在没法做的很厚，所以受到限制。

下图X轴为X射线能量线，Y轴为探测器效率

现在SDD用于TEM和EDX都有成熟的产品了,但用于TEM据我所知只有一家,用于XRF有好几家,但从目前来说名有优势,锂漂移和硅漂移各有优势,但后者用于TEM上听说也能到115EV了,但我没用过.

资料不错,刚好要选择不同分辨率的X光仪,不过是用于测镀层厚度的,配SDD与配PIN的价格差不少!

不错，正找那

现在是很多家的EDS和XRF都用SDD了，但是存在问题
你看这个图，在10kev后，SDD损失了很多的特征X射线。
但是Si(Li)损失的少，在32kev后，还有60%的效率。
你说的115ev是什么意思？

PIN的只用在低端上，价格确实便宜
但是分辨率260ev
测厚仪，PIN的能测多厚？几层？
Si(Li)的能测几十nm，测六层。。。

我这个不是选择不同分辨率
而是选择了不同探测器晶体，当然，这样分辨率也会不一样
主要为了告诉大家，在10keV后，SDD会损失很多特征X射线

呵呵
需要啥资料，可以和我站内联系，手头有点儿资料，但是不多。
有些能贴论坛上我就贴，有些是一些厂家的资料，不给他们做免费广告，我就不贴了