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【求助】ICP-MS,氧化物干擾比例 - Ceo/Ce成為表徵 <====為什麼???

ICP-MS

  • 各位先進:

    小弟接觸ICP-MS的時間不算長
    因此看了一些關於干擾形成的資訊

    其中對於氧化物干擾比例中以Ceo/Ce成為表徵
    這個一直不太了解,為什麼??
    這應該有什麼依據才是

    所以希望各位先進可以幫忙為小弟解惑
    謝謝!!!


    以下是我所看到氧化物干擾比例表
    ===================================
    元素    MO鍵強度 (kJ/mol)    MO+/M+
    ===================================
    Rb    255    5.5 x 10-7
    Cs    297    2.8 x 10-8
    Co    368    1.7 x 10-5
    Pb    409    1.2 x 10-5
    Fe    427    1.1 x 10-5
    Cr    512    3.6 x 10-5
    Al    563    1.1 x 10-5
    Ba    597    8.3 x 10-5
    P    607    3.7 x 10-3
    Mo    619    9.5 x 10-4
    Sm    662    2.3 x 10-3
    Ti    760    1.8 x 10-3
    Zr    795    4.7 x 10-3
    Si    799    1.5 x 10-3
    Ce    795    1.3 x 10-2(最大)====================================
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  • 古道西风瘦马

    第1楼2009/10/07

    也许其原因就是其键能最大

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  • andy1791

    第2楼2009/10/09

    我大概知道原因噜
    因為Ce最容易起氧化反應
    所以以此依據
    應該是這樣吧

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  • yzyxq

    第3楼2009/10/09

    楼主非常善于思考。确实是这个原因。如果Ce的氧化物能控制在2%或3%以下,那其它氧化物的生成就更低了。
    测Ba的双电荷离子的比例也是类似的道理。

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  • kiwi-kids

    第4楼2009/10/14

    CeO的氧化键最难于打破,而且比较容易测定,也有产品把BaO作为指标的,其比例比CeO要低一些。

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  • andy1791

    第5楼2009/10/16

    嗯嗯!!
    真是感謝大家的意見
    希望能大家一起成長
    感謝!!

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  • a_lei82

    第6楼2009/10/26

    Ce具有比较高的氧化物键强度,这类元素通常都有最高的氧化物离子产率,因此一般仪器用CeO/Ce的比率来表征仪器的氧化物干扰水平

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  • 以质谱优

    第7楼2009/11/03

    应该这样思考:这么高的键能氧化物含量能控制到5%以下,其他的氧化物含量就该更小了。大家都视为CeO氧化物最难电离。

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  • 快乐的小石头

    第8楼2011/03/02

    我非常同意楼主和楼上几位的意见,我在想会不会也有别外一种原因就是咱们在测定时很少要求测Ce这个元素呢。我觉得你们说的应该是主要原因,我这个也可能是一方面的原因。

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