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我们在单晶硅片上制备了掺B、P的SiO2玻璃薄膜，厚度大约20微米。请问用何种方法检测其中B、P含量最好，定量的准确度如何？

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  • 我们在单晶硅片上制备了掺B、P的SiO2玻璃薄膜，厚度大约20微米。请问用何种方法检测其中B、P含量最好，定量的准确度如何？
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  • 第1楼2002/10/18

    用ICP-AES是目前测量SiO2中B、P的最好方法，但含量最好在几十个ppm以上，因为ICP-AES测量B、P的灵敏度并不是很高。ICP-MS的灵敏度虽然很高，但四极杆ICP-MS测量P时的干扰极为严重，TOF-ICP-MS和SF-ICP-MS可以完成测量，但价格较高。

    高能量的SIMS和好的XFR也可以测量，但定量难一些。

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