求助!求半导体行业中与测试设备有关资料!

详细资料没有，简单的说一下，
1.半导体领域用扫描电镜最多的地方是PHOTO就是传说中的黄光区了，具体是用来测CD（关键尺寸）的，每个八寸FAB大概至少需要八台左右，都是小特级场的，而且所有的工厂用的都是HITACHI的CD-SEM 9 系列的，每台售价大概150WUSD，所以HITACHI在半导体行业已经是唯一的选择，9系列的SEM号称不死金刚，可见其稳定性。
2.上面说的是生产线上的SEM，除此之外，还有一些用于缺陷分析的SEM，通常是工艺整合部门和FA用的如下
K-T 的REVIEW SEM 巨贵无比啊，超过五百万美刀一台。
APPLIED MATERIAL 的COMPASS , 和SEMVISION 也是巨贵无比都超过五百万美刀
再有比较烂的FAB也用JSM的JEOLSEM。
FA用的FEI FIB DB835 OR DA300 都是烧的
TEM也有基本都是FEI的。
还有就是一些光学仪器了，如K-T 的OVERLAY , NIKION 的光学显微镜 LEICA的蔡司的

谢谢前面这位大侠，还有更详细的吗？有没有诸如defect对晶圆影响之类的？

DEFECT 对WAFER 的影响巨大，一般的DEFECT 可能只会影响几个DIE，但是有的DEFECT 对于WAFER来说却是致命的，不管是哪种DEFECT，都得找到DEFECT来源，也是DEFECT ANALYSIS 的目的所在。
举个例子，最简单最常见的DEFECT： PARTICAL,在wafer 表面的partical会造成局部DEFOCUS，光阻倒塌，等等。

非常感谢,但,有没有更详细的?

不知道您说的详细是什么意思》？？是某种设备具体分析案例还是其他？不客气，大家互相交流

楼上的兄弟,CD-SEM目前国内还很少用吧?也就SMIC这些会用用,我想更多的应用还是在FA方面,另外APPLY MATERIAL的应该也是CD-SEM吧,他们还有FIB,也都是ON-LINE在FAB厂应用!

TO 楼主MM,你的问题太刁钻啦,简单的一句话一本书都难回答你,其实我以为SEM这些都是只是工具,具体应用要看不同的行业,就看你用在哪方面,我觉得你倒是该了解了解工艺,半导体制程,在知道你要做什么以后再去使用不同的工具.
譬如SEM,在后道只是当个显微镜用而已.
在前道普遍的应用也是结合能谱分析,来判断样品的成分和数量情况，对硅中缺陷、pn结区重金属杂质沉淀，半导体材料微区域杂质及扩散层剖面杂质等进行分析，以确定潜在的失效模式,在哪一个制程中引起.CD-SEM目前在国内很少有人用得起,只是个理论而已.类似SEM的还有AFM,用来测量表面轮廓,会更精确,但更缓慢.另外还有AES,SIMS,分析最外层的成分.
TEM就不用说了,比较困难的是样品制作,有钱的工厂会用FIB来制作CROSS SECTION,另外设计公司会用FIB作线路修补.
上面的是一些分析设备,另外有一些用在质量控制方面,总的说来有以下:
测扩散电阻的SRP,膜厚,膜应力,折射率,搀杂浓度,CD,台阶覆盖,套准精度,C-V,接触角度等等.

首先要澄清一下，目前半导体行业的制程（大陆叫工艺）分化很明显：高端的如Intel、台积电、上海的SMIC，都努力向更小node发展，Intel的65nm已经大规模生产，下一步估计是18英寸晶圆、45nm或更小的线宽；低端的微米级工艺4"或6"晶圆照样赚钱.
对低端的微米级工艺来说,光学显微镜是主要的观察测试仪器,扫描电镜已经是奢侈品了.对于这些公司的FA Lab来说,场发射SEM就可能是终极分析设备了. FIB和TEM等等免谈.
对高端的130nm以下工艺,FEI的双束DualBeam 835(8"),1255(12")是主力设备,当然FA Lab里面有1台以上场发射TEM(FEI的Tecnai F20)也是必须的.场发射扫描电镜当然也会有几台. FIB主要用来做Cross Section和TEM样品. 一个明显的趋势是, 随着工艺精细化,SEM的作用越来越小,TEM的重要性更加明显.据说在最新的65nm FAB,其FA Lab已经基本不配单束的场发射SEM了,基本是FIB双束和TEM了.
对于大部分的中端半导体公司, FA Lab里面的主力微观分析设备是场发射扫描加能谱仪,光学显微镜.如果有钱会有一台FIB双束和一台场发射TEM.
至于SIMS,俄歇能谱,等等, 由于价格太高,应用有限,购买的人越来越少了.

不知这篇文章对楼主有否帮助?