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ICP-OES干扰的消除

abcpgf

2018/01/25

我们说IC-OES存在很多干扰因素，其中常见的有光谱干扰、基体效应、电离效应，大家都来说说你是如何消除这些干扰的。

分
该帖子已被版主-tang566加2积分，加2经验;加分理由:话题

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JOE HUI

第1楼2018/01/25

应助达人

标准加入法，内标法，FACTA校正，更多的是外标法（无干扰情况下）

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abcpgf

第2楼2018/01/26

应助达人

你们一般采用哪种？

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JOE HUI

第3楼2018/01/26

应助达人

FACTA校正
abcpgf(abcpgf) 发表:你们一般采用哪种？

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风云变幻

第4楼2018/01/26

好专业，能科普吗

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abcpgf

第5楼2018/01/26

应助达人

基体匹配、内标校正可以消除物理干扰。

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abcpgf

第6楼2018/01/26

应助达人

看来你用的不错啊。
JOE HUI(xurunjiao5339) 发表: FACTA校正

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JOE HUI

第7楼2018/01/27

应助达人

主要就是金属中Fe对Pb,Cd的干扰
abcpgf(abcpgf) 发表:看来你用的不错啊。

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abcpgf

第8楼2018/01/27

应助达人

高含量Fe，Mg，Al，Ca对其他元素有明显干扰。

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Shy WONG

第9楼2018/01/31

应助达人

光谱干扰：fact
基体效应：稀释或者标准加入
电离效应：加抑制剂
95%以上的时间是是用外标法，觉得内标法麻烦。

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不忘初心

第10楼2018/01/31

应助达人

果然是老司机。
Shy WONG(love418wh) 发表:光谱干扰：fact
基体效应：稀释或者标准加入
电离效应：加抑制剂
95%以上的时间是是用外标法，觉得内标法麻烦。

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