扫描电镜(SEM/EDS)
天黑请闭眼
第1楼2007/04/27
看到这个解释,renxin版主说是逃逸峰,二者有何区别呢?如果经常出现这个峰,是不是说明Si死层变多?寿命到了?
德国工兵
第2楼2007/04/28
个人以为硅荧光的解释为正解,逃逸峰的解释是不正确的,可能的原因如下,请SHXIE尝试一下:探测器位置被动过,没有安装到合适的位置会造成slicon fluorescence 也就是出现矮小的Si峰,或者样品在样品杆上的位置不正确。当然也有可能作能谱分析时候放大倍数太小,或者使用了非电镜厂商提供的STEM功能。BTW通常Si荧光的峰对定量结果的影响小于1%是可以接收的,所谓硅死层变厚的说法也值得商榷。
第3楼2007/04/28
补充一下,逃逸峰的位置是正确的峰的能量减去Si峰的能量也就是减去1.74以后的位置出现的峰叫逃逸峰。举个例子如下:谱图中应该只有Fe55的峰位置应该在5.89 , 但是我们可以看到在5.89-1.74=4.15的位置出现了一个逃逸峰,这样应该很清楚了,呵呵。
求缺人生
第4楼2007/04/30
长知识了!谢谢!
第5楼2007/05/04
谢谢SDD的扇子,呵呵,这下明白了,五一之后请牛津来人看看。
frankchen009
第6楼2007/05/05
eds有时候会不准的,你查查看Si的特征峰值是不是和其他的元素有重叠的部分。
毒菇九剑
第7楼2007/05/08
呵呵,这个逃逸峰的解释才是正版。好像其他帖子上有一些误导,建议澄清一下。
nuszjx
第8楼2007/05/09
请问你的EDX中Si峰的问题解决了吗? 我们的EDX也是OXFORD, INCA 2003年买的,现在也会出现这个Si峰。
第9楼2007/09/13
还没解决,唉!
moonbearpipi
第10楼2007/10/11
逃逸峰是Si ( Li)探测器在检测过程中的副产品,当一个能量为E的X射线光子进人探测器后,可能使硅原子电离而产生Si Ka射线,如果这种Si K。射线是在晶体的边沿产生或Si的Ka线离探测器表面很近时,就有可能逃出探测器,并携带走1. 74 ke.V的能量,这样使检测到的X射线的能量不是E,而是(E一1. 74) keV,因此在主峰(能量为E)的左侧会出现一个小峰(能量为E-1. 74 keV),这个小峰就叫做逃逸峰逃逸峰的位置永远比主峰1. 74keV.而且峰高约为主峰的0.1%一1%
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