原子层刻蚀 & 区域选择原子层沉积系统

南京伯奢咏怀电子科技有限公司

2022/06/20 13:48
TA的动态

近期向三星电子供货原子层刻蚀（ALE(Atomic layer etch)）和区域选择原子层沉积（ASD(area selective deposition)）设备. 


设备由2个工艺模组和传送模组构成的 Cluster type ，工艺整合一体化程序. 
拥有500℃以上高温及臭氧和等离子工艺能力,Z为开发半导体元件的次世代的设备.  
ALE(原子层刻蚀)设备区别ALD(原子层沉积)设备是一款可利用原子层单位刻蚀沉积膜的设备,ASD(区域选择沉积)区别ALD(原子层沉积)则是选择性指定区域原子层沉积的设备. 

目前很多学校,研究所以及企业采用ALE和ASD工艺积极研发未来前端集成元件. 
期待ALE/ASD设备对未来半导体前端技术发展有较多的贡献.


设备图.JPG







阅读85次
关注
上一篇 国际显示技术大会 （ICDT 2022）
下一篇 会议延期通知 --国际显示技术大会 （ICDT 2022）
最新动态
更多
推荐产品
更多

相关产品

当前位置： McScience中国代表处 动态 原子层刻蚀 & 区域选择原子层沉积系统

关注

拨打电话

留言咨询