| 型号： | CABL-UH（130kV） |
| 产地： | 日本 |
| 品牌： | CRESTEC |
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一、设备简介
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用，而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是的方法之一。电子束光刻系统（EBL）又称电子束直写（EBD）或电子束曝光系统。
日本CRESTEC是世界上制造电子束光刻设备的厂商之一，其制造的电子束光刻机具有电子束稳定，电子束定位精度高以及拼接套刻精度高等特点，赢得了科研机构以及半导体公司的青睐。
二、设备特点
CRESTEC CABL系列采用恒温控制系统，使得整个主系统的温度保持恒定，再加上主系统内部传感装置，使得电子束电流稳定性，电子束定位稳定性，电子束电流分布均一性都得到了极大的提高，其性能指标远远高于其它厂家的同类产品，在长达 5 小时的时间内，电子束电流和电子束定位非常稳定，电子束电流分布也非常均一。
三、设备参数
| 型号 | CABL-UH（130kV）系列 | CABL-AP（50kV）系列 |
| 电子发射枪／加速电压范围 | TFE（ZrO／W）／25～130kV | TFE（ZrO／W）／5～50kV |
| 加速电压 | 130 kV，110 kV，90 kV | 50kV，30kV |
| 电子束直径 | 1.6nm | 2.0nm (研发) /3.0nm (量产) |
| 最小线宽 | ＜10nm | ＜10/20nm |
| 扫描方式 | 矢量扫描(x, y)(标准) 矢量扫描(r，θ)，光栅扫描，点扫描(可选) | 矢量扫描(x, y)(标准) 矢量扫描(r，θ)，光栅扫描，点扫描(可选) |
| 高级光刻功能 | 场尺寸调制光刻，轴对称图案光刻 | 场尺寸调制光刻，轴对称图案光刻 |
| 写场的尺寸 | 30μm²，60μm²，120μm²，300μm²，600μm², 1000μm² | 30μm² - 1000μm²（50kV) (研发) 30μm² - 1500μm²（50kV) (量产) |
| 加工晶圆尺寸 | 4/6/8寸，其他尺寸和形状的工件都可以用我们的柔性装置进行安装 | 4/6/8寸 |
| CAD软件 | 专用的CAD(标准)，GDSⅡ转换(可选), DXF转换(可选) | 专用的CAD(标准)，GDSⅡ转换(可选), DXF转换(可选) |
| 操作系统 | Windows | Windows |
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