型号: | CABL-UH(130kV) |
产地: | 日本 |
品牌: | CRESTEC |
评分: |
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一、设备简介
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是的方法之一。电子束光刻系统(EBL)又称电子束直写(EBD)或电子束曝光系统。
日本CRESTEC是世界上制造电子束光刻设备的厂商之一,其制造的电子束光刻机具有电子束稳定,电子束定位精度高以及拼接套刻精度高等特点,赢得了科研机构以及半导体公司的青睐。
二、设备特点
CRESTEC CABL系列采用恒温控制系统,使得整个主系统的温度保持恒定,再加上主系统内部传感装置,使得电子束电流稳定性,电子束定位稳定性,电子束电流分布均一性都得到了极大的提高,其性能指标远远高于其它厂家的同类产品,在长达 5 小时的时间内,电子束电流和电子束定位非常稳定,电子束电流分布也非常均一。
三、设备参数
型号 | CABL-UH(130kV)系列 | CABL-AP(50kV)系列 |
电子发射枪/加速电压范围 | TFE(ZrO/W)/25~130kV | TFE(ZrO/W)/5~50kV |
加速电压 | 130 kV,110 kV,90 kV | 50kV,30kV |
电子束直径 | 1.6nm | 2.0nm (研发) /3.0nm (量产) |
最小线宽 | <10nm | <10/20nm |
扫描方式 | 矢量扫描(x, y)(标准) 矢量扫描(r,θ),光栅扫描,点扫描(可选) | 矢量扫描(x, y)(标准) 矢量扫描(r,θ),光栅扫描,点扫描(可选) |
高级光刻功能 | 场尺寸调制光刻,轴对称图案光刻 | 场尺寸调制光刻,轴对称图案光刻 |
写场的尺寸 | 30μm²,60μm²,120μm²,300μm²,600μm², 1000μm² | 30μm² - 1000μm²(50kV) (研发) 30μm² - 1500μm²(50kV) (量产) |
加工晶圆尺寸 | 4/6/8寸,其他尺寸和形状的工件都可以用我们的柔性装置进行安装 | 4/6/8寸 |
CAD软件 | 专用的CAD(标准),GDSⅡ转换(可选), DXF转换(可选) | 专用的CAD(标准),GDSⅡ转换(可选), DXF转换(可选) |
操作系统 | Windows | Windows |
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