ULVAC溅射设备 QAM系列

报价 $28万

综合评分暂无

品牌

暂无

型号

ULVAC 研究开发用溅射设备 QAM系列

产地

美洲美国

应用领域

暂无

营业执照已认证

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本设备能够将成膜和加热的相关参数作为Recipe保存，从而通过自动运行来实现高再现性的实验。

Safety

本设备能够通过设置Interlock来防止误操作，从而实现对设备的保护和对人身安全的确保。同时，本设备能够一并管理设备状态，还能够任意设定靶材寿命等参数在某数值下报警。

本设备中排气和工艺的操作按钮以动作流程为基准而配置，从而能够直观地进行操作工艺。

本设备能够每隔１秒将工艺进行时的压力、加热、成膜时间的当前值作为履历并按时间序列(Time Series)记录。收集的数据以文本格式保在外部存储器中，并且能够利用计算机对保存的数据进行分析和记录。

高拓展性

本设备能够通过模块的增设，来对应更多的用途。

低真空工艺环境

本设备具备约1Pa～0.1Pa的等离子体持续放电压力范围，与传统设备相比能够在更低压力下进行溅射成膜。

多组分共溅射/多层膜溅射

本设备具有多阴极同时对准衬底中心的结构，从而能够进行多组分共溅射成膜。另外可以通过控制挡板开闭实现多层膜的制备。

良好的膜厚分布

本设备采用对衬底倾斜的入射方式，从而能够实现非常良好的膜厚分布。

采用LTS技术

本设备通过采用ULVAC的LTS※1 技术，从而能够尽可能的抑制阴极附近的不均匀等离子体对衬底的影响。

并且，该技术还能够尽可能的抑制来自阴极磁铁磁场的影响。注）※1：LTS：Long Throw Sputter

UHV对应

本设备通过使用可加热式的各配置，使得成膜腔室的压力能够到达1×10-6Pa※2以下。

注）※2：本设备采用O-Ring Seal结构，与传统设备的金属Seal结构相比更加容易进行维护保养。

对磁性材料薄膜的对应

本设备中使用的阴极能够对应各种磁性材料（Fe、Ni、Co等）。

诸单元	型号	QAM-4D
成膜腔室	处理方式	Load-L	ock式
	阴极型式	Long Throw Magnetron Sputtering ●Helicon-Sputtering※1 ※可选
	阴极数	2英寸阴极（磁性材料、非磁性材料共用） zui多搭载8台
	搭载电源	DC500W 1台 ● DC500W、RF300W※2 zui多搭载8台 ※可选
	到达压力（UHV对应）	1×10-4Pa 以下（●1×10-6Pa 以下能够对应※3 ※可选）
	对应衬底尺寸	Max.φ4英寸×1枚
	膜厚分布	±5％以内（Al成膜式、衬底回转并用）
	衬底加热装置	● 红外线灯式加热器 zui大500 ℃ ※可选 ● 高温型加热器 zui大800℃ ※可选
	排气系统	1）分子泵 2）油旋片泵 ● 干式泵 ※可选
	zui大气体输入量	Max.50sccm（Ar） ●Max.10sccm（O2） ※可选 ● Max.10sccm（N2） ※可选
	靶材尺寸	φ2英寸
	腔体加热方式	● 110℃烘烤 (包含腔体水冷却） ※可选
真空预抽室	到达压力（分子泵对应）	40Pa以下（●1×	10-3Pa 以下 ※可选）
	搬送方式	真空机械手式
	排气系统	油旋片泵（ ● 分子泵	与成膜室共用） ※可选
操作控制系统	排气	触屏式（PLC控制器）远程手动※4 全自动※5
	成膜
厂务系统	电力	3φ AC200V 50 / 60Hz
	冷却水	20～28℃、电阻率5KΩ以上、供给压力0.2 ～ 0.3MPa
	压缩空气	0.5 ～ 0.7MPa
	接地	A类、D类