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Electron Beam Lithography System(EBL)
电子束光刻系统
应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。
超高分辨率的电子束光刻
技术参数：
加速电压：最高 130keV
单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电
电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm
双热控制，实现超稳定直写能力
准确度低于10 nm。您可以根据自己的需要选择90kV，HOkV或130kV。
光束直径：<1.6nm①
最小线宽：7 nm（在130kV时）
加速电压：130 kV，110 kV或90 kV
载物台尺寸：8英寸晶圆（可以使用少于8英寸晶圆的任何其他晶圆）
我的特色
?Vacc：最大130kV（25-130kV，5kV步进）
?单级加速能力高达130kV，以最小化EOC尺寸
?无放电电子枪
?光束直径：> 1.6nm
?细线能力：<7nm
?发射极和阳极之间的静电透镜设计为在消隐电极的中心实现非常低的像差和近距离交叉图像
?使用双热控制器实现超稳定的写入能力
I规格
1年
是
有
技术人员现场培训
2个月1次
软件免费重装，硬件维修
24小时到达
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