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投影式
国产
.最小线宽<7nm
电子束
电子束直径<1.6nm
±0.1
4-8 英寸(standard),12 英寸(option)
超高分辨率电子束光刻EBL
Ultrahigh Resolution EB Lithography
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。
超高分辨率的电子束光刻
加速电压:最高130keV
单段加速能力达到130keV,尽量减少电子枪的长度
超短电子枪长度,无微放电
电子束直径<1.6nm
最小线宽<7nm
双热控制,实现超稳定直写能力
1年
是
有
技术人员现场培训
2个月1次
软件免费重装,硬件维修
24小时到达
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