等离子刻蚀

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等离子刻蚀相关的资讯

  • 牛津最新等离子技术App可用于等离子体刻蚀和沉积
    牛津仪器等离子技术最近更新的App包括一个明确和互动的元素周期表、详细的等离子体、离子束和原子层沉积工艺信息。它允许iPhone和iPad用户查阅工艺化学的相关信息,可以通过简单的周期表界面实现任何材料的刻蚀和沉积。   这个周期表App可以免费下载,将吸引大量的工业和学术界的用户。同时,它也是一个优秀的教学设备,可以展示单个元素属性和电子构型。
  • 前十月进口额远超去年全年:等离子体干法刻蚀机海关进口数据分析
    自美国提出终断该国企业与华为多年的芯片供应以来,研制中国自己的国产芯片提上了我国的发展日程,也是当前中国市场最为紧迫的一项技术,关于芯片技术发展的讨论不仅在专业领域盛行,也成为了普通民众议论的焦点所在。而芯片的制造离不开刻蚀设备,其中等离子体刻蚀机更是先进制程中必不可少的设备,是重中之重。2021年是“十四五”开局之年,中国政府也推出了一系列激励政策来鼓励半导体产业发展,明确了半导体产业在产业升级中的重要地位,同时全球自2020年爆发的“芯片荒”在全球范围内愈演愈烈,却迟迟得不到缓解,各行各业都受到了一定的影响,受此影响包括仪器产业、新能源产业等在内的诸多产业都面临产品涨价、缺货的危机。危中有机,全球半导体行业的巨震却是中国半导体产业的发展契机。通过分析海关等离子体刻蚀机的进口情况,可以从一个侧面反映出中国等离子体刻蚀机市场的一些情况,进而了解到中国半导体产业的一些情况。为了解过去2021年中等离子体刻蚀机的进出口情况,仪器信息网特别对2021年1-10月,等离子体干法刻蚀机(商品编码84862041)进口数据进行了分析汇总,为大家了解中国目前等离子体刻蚀机市场做一个参考。2021年1-10月进口等离子体刻蚀机贸易伙伴变化(人民币/万元)贸易伙伴进口额(元)进口数量(台)均价(元/台)美国777014343651615058418日本621252727637416611035韩国328231684432710037666中国台湾18771365038921091421新加坡181269896211316041584马来西亚17790801177723104937英国544211135786977066德国203676120414967710中国1296367043240918荷兰632916423164582法国415082322075412波兰643071643072021年1-10月各贸易伙伴进口总额(人民币/元)2021年1-10月,中国进口等离子体干法刻蚀机总额约235亿元,总台数达1624台,其中美国进口金额最多约78亿元,台数达516台,占比高达33%,日本进口金额紧随其后约62亿元,374台,占比达26%。可以看出,目前等离子体刻蚀机主要来自于美国和日本,进口均价都超1500万元/台,此类等离子体刻蚀机以高端产品为主,主要用于生产。值得注意的是,波兰进口的一台等离子体刻蚀机仅6万多元,此设备可能是用于科研领域的低端产品或配件。从此前统计的【2020年等离子体刻蚀机海关进出口数据盘点】可以看出,2020年1-12月,我国共进口等离子体刻蚀机1276台,进口额约为170亿元,而今年仅前十个月就已超去年全年的进口额。这表明,今年我国晶圆代工厂的建设热度不减,这也和如今的半导体投资热、芯片荒有关。2021年1-10月等离子体干法刻蚀机进口数据(人民币/万元)从进口额的时间变化趋势可以看出,等离子体刻蚀机进口额在4-6月出现了一个高峰,进口额连续大幅度增长,而在七月份却断崖式下跌,直到回归正常水平。这一变化可能和疫情有关,在夏季全球疫情由于气温上升得到缓解,海关进口更畅通,而春秋季节气温较低,全球疫情出现反复。另一个可能的原因是海运费用暴涨导致六月以后进口额降低。2021年1-10月等离子体刻蚀机各注册地进口数据变化(单位/万元)2021年1-10月等离子体干法刻蚀机注册地进口额分布那么这些等离子体刻蚀机主要销往何处?通过对进口数据的注册地进行分析发现,陕西省、上海市和湖北省的进口额最多,分别为54亿元、43亿元和41亿元。等离子体刻蚀机主要应用于集成电路生产中,这表明这些地区在新建或改造集成电路生产线上投入较大,对等离子体刻蚀机的需求也在激增。我国在1-10月从韩国进口等离子体刻蚀机总额约33亿元,其中注册地为陕西省的进口额约19亿元,占比约59%。这表明,陕西省等离子体刻蚀机的进口可能和三星等韩国企业在西安的半导体生产线有关。
  • 出口增长63%!2020年等离子体刻蚀机海关进出口数据盘点
    自美国提出终断该国企业与华为多年的芯片供应以来,研制中国自己的国产芯片提上了我国的发展日程,也是当前中国市场最为紧迫的一项技术,关于芯片技术发展的讨论不仅在专业领域盛行,也成为了普通民众议论的焦点所在。而芯片的制造离不开半导体设备,其中刻蚀设备是其中的重中之重。据了解,目前我国已经突破了刻蚀设备的技术难关,其中中微公司的5nm刻蚀设备已成功销往海外,更是进入台积电的生产线。如今最先进的芯片制造主要使用干法刻蚀技术即等离子体刻蚀技术,相对于湿法刻蚀,具有更好的各向异性,工艺重复性,且能降低晶圆污染几率,因此成为了亚微米下制备半导体器件最主要的刻蚀方法。伴随着国际半导体行业的产能危机,国内等离子体刻蚀机需求或将爆发。通过分析海关等离子体刻蚀机的进口情况,可以从一个侧面反映出中国等离子体刻蚀机市场的一些情况。2020年是特殊的一年,新冠肺炎疫情在全球爆发,各行各业都受到了一定的影响,包括半导体产业。为了解过去近两年中等离子体刻蚀机的进出口情况,仪器信息网特别对2019、2020年1-12月,等离子体刻蚀机(商品编码84862041)进出口数据进行了分析汇总,为大家了解中国目前等离子体刻蚀机市场做一个参考。2019、2020年1-12月海关等离子体刻蚀机进出口数据统计统计年月进口量(台)进口金额(人民币:元)出口量(台)出口金额(人民币:元)2019年1-12月109712,685,798,98279353,896,8762020年1-12月127616,949,614,747122577,419,680从上表可以看到,2020年1-12月,我国共进口等离子体刻蚀机1276台,进口额约为170亿元,进口单价约为1328万元。而2019年同期,等离子体刻蚀机进口1097台,进口额约为127亿元,进口单价约为1156.4万元。与去年同期相比,2020年1-12月我国等离子体刻蚀机进口台数增加约16.3%,进口额增加约33.6%,进口单价提高约15%。从整体来看,2020年进口等离子体刻蚀机市场增长非常明显,同时进口单价也略有提高。而从出口情况来看,2020年1-12月,我国共出口等离子体刻蚀机122台,出口额约为5.8亿元,出口单价约为473万元。而2019年同期,等离子体刻蚀机出口79台,出口额约为3.54亿元,出口单价约为448万元。总体而言,我国等离子体刻蚀机出口量仍然很少,但2020年比上年同期出口金额明显增加约63%,出口数量增加约54%,出口单价也略有提高。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机进口量逐月数据图(单位:台)对2020年1-12月等离子体刻蚀机进口量逐月数据分析发现,并对比2019年同期数据可以明显看出,2020年等离子体刻蚀机进口数量明显有所增加,且逐月变化较为明显,其中2020年1月受国内新冠肺炎疫情影响,等离子体刻蚀机进口数量较去年有所下降,而则2~4月份迎来“报复性”增长,等离子体刻蚀机进口台数比去年同期多大约一半,5~7月每月进口数量与去年有所增长,但增幅有所下降,8月进口数量较去年同期有所下降,可能受国外新冠疫情影响,而9月进口量的大爆发可能是为了弥补8月份进口量不足的部分。10-11月平稳增加,但12月进口量再次下降,这可能来自于特朗普政府将中芯国际列入“实体清单”和冬季疫情反扑的多重影响。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机进口金额逐月数据图(单位:人民币/亿元)对2020年1-12月等离子体刻蚀机进口金额逐月数据分析发现,并对比2019年同期数据可以明显看出,除12月较去年进口金额有所下降以外,等离子体刻蚀机每月进口金额都较去年同期有所增加,其中,6、7、11月较去年增长幅度较小之外,但其他月份增幅明显。值得注意的是,9月进口额更是达到了去年同期的两倍以上,一个可能的原因是9月份台积电停止为华为代工芯片,华为大量订单转向国内代工厂生产,国内代工厂的扩大产能所导致。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机主要海关进口贸易伙伴数量(单位:台)2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机主要海关进口贸易伙伴金额(单位:人民币/亿元)2020年1-12月等离子体刻蚀机海关进口贸易伙伴金额分布图根据海关数据,近两年我国主要从美国、日本、新加坡、韩国、中国台湾、马来西亚、英国以及德国等贸易伙伴进口等离子体刻蚀机。其中进口金额最高的前5个贸易伙伴分别是美国、日本、新加坡、韩国和中国台湾。从数据中可以看出,我国等离子体刻蚀机对美日依赖严重。2020年1-12月等离子体刻蚀机进口企业注册地数量分布(单位:台)2020年1-12月等离子体刻蚀机进口企业注册地金额分布(单位:人民币/亿元)通过海关进口等离子体刻蚀机的企业注册地数据,可以大致了解到进口等离子体刻蚀机在国内的“落脚地”。可以看出 ,2020年,江苏、上海、湖北、陕西等省市进口等离子体刻蚀机数量较多,而这些地区也是我国经济较发达,半导体相关行业比较发达的省份和地区。就海关进出口数据来看,等离子体刻蚀机在国内的市场潜力非常巨大,2020年尽管新冠疫情爆发给各行各业造成一定影响,但我国等离子体刻蚀机市场增长依然明显,但由于进口等离子体刻蚀机美日产品占据主流,受到美国贸易战影响较大,国内产线等离子体刻蚀机的“去美化”迫在眉睫。另一方面,由于国内掌握等离子体刻蚀机所涉及的核心零部件、研发人才等仍然相对较少,虽然在介质刻蚀机上的研究已逐渐达到国际先进水平,但难度较大的深硅等离子体刻蚀机的发展距美、日还有一定差距。同时,由于半导体设备企业与晶圆代工厂的工艺深度绑定,也使得等离子体刻蚀机为代表的半导体设备仍依赖进口,受制于人。不过,近年来随着以中微半导体、北方华创等国内等离子体刻蚀机厂商的崛起,国产刻蚀机在一定程度上也能满足部分企业的要求。未来,伴随着中美半导体产业的争夺和全面“去美化”的浪潮,等离子体刻蚀机的国内市场占有率将有望进一步提升。

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  • 【求助】等离子刻蚀参数对实验结果的影响

    各位做过等离子刻蚀的同行们: 我是一个新手,在刻蚀聚苯乙烯小球的时候自己设置了几个参数,但是具体每个参数对实验结果的影响还不是很清楚,先列出来Icp(w);RF(w);Pressure(mT)等。希望大家给予指点,不胜感激

  • 光刻工艺与刻蚀技术的研究

    光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ,工艺如下 :(a)仔细地将基片洗净;(b)在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ,例如铬、二氧化硅、氮化硅等;(c) 再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关 ,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比;(d) 在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样,可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上;(f) 烘干后 ,利用未曝光的光刻胶的保护作用 ,采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。掩模制备用光刻的方法加工微流控芯片时 ,必须首先制造光刻掩模。对掩模有如下要求:a.掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;b.掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;c.掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件,再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头,在掩模材料上刻出所需的图形。但由于设备昂贵,国内一般科研单位需通过外协解决,延迟了研究周期。由于微流控芯片的分辨率远低于大规模集成电路的要求,近来有报道使用简单的方法和设备制备掩模,用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图象文件后,用高分辨率的打印机将图象打印到透明薄膜上,此透明薄膜可作为光刻用的掩模,基本能满足微流控分析芯片对掩模的要求。湿法刻蚀在光刻过的基片上可通过湿刻和干刻等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。近年来,使用湿法刻蚀微细加工的报道较多,适用于硅、玻璃和石英等可被化学试剂腐蚀的基片。已广泛地用于电泳和色谱分离。湿法刻蚀的程序为 :(a) 利用阻挡层的保护作用,使用适当的蚀刻剂在基片上刻蚀所需的通道 ;(b) 刻蚀结束后 ,除去光胶和阻挡层,即可在基片上得到所需构型的微通道;(c)在基片的适当位置(一般为微通道的端头处)打孔,作为试剂、试样及缓冲液蓄池。刻有微通道的基片和相同材质的盖片清洗后,在适当的条件下键合在一起就得到微流控分析芯片。玻璃和石英湿法刻蚀时,只有含氢氟酸的蚀刻剂可用,如HF/HNO3,HF/ NH4。由于刻蚀发生在暴露的玻璃表面上,因此,通道刻的越深,通道二壁的不平行度越大 ,导至通道上宽下窄。这一现象限制了用湿法在玻璃上刻蚀高深宽比的通道。等离子体刻蚀等离子体刻蚀是一种以化学反应为主的干法刻蚀工艺,刻蚀气体分子在高频电场作用下,产生等离子体。等离子体中的游离基化学性质十分活泼,利用它和被刻蚀材料之间的化学反应,达到刻蚀微流控芯片的目的。等离子体刻蚀已应用于玻璃、石英和硅材料上加工微流控芯片 , 如石英毛细管电泳和色谱微芯片。先在石英基片上涂上一层正光胶 (爆光后脱落的光胶),低温烘干后,放置好掩模,用紫外光照射后显影,在光胶上会产生微结构的图象。然后用活性CHF3等离子体刻蚀石英基片 ,基片上无光胶处会产生一定的深度通道或微结构。这样可产生高深宽比的微结构。近来,也有将等离子体刻蚀用于加工聚合物上的微通道的报道。http://www.whchip.com/upload/201610/1477271936108203.jpg

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    总部位于德国柏林科技园区的SENTECH仪器公司,已成为光伏生产设备世界市场之 一.我们是一家快速发展的中型公司,拥有60多名员工,他们是我们有价值的资产我们団 队的每个成员都为公司的成功做出贡献,我们总是在寻找与我们志同道合的新工作伙伴,我 们诚挚期待您的加入。 等离子刻蚀设备ICP-RIE等离子刻蚀机SI500产品介绍高端等离子刻蚀设备SI 500使用低离子; 能量的电感耦合等离子体用于低损伤刻: 蚀和纳米结构刻蚀。通过在广泛的温度: 范围内的动态温度控制确保了可重复且稳定的等离子刻蚀条件。深反应等离子;刻蚀(硅,III-V族半导体,MEMS)可: 采用低温工艺和室温下的气体切换工艺: 来实现。 特点*低损伤刻蚀 ?高速刻蚀*自主研发的ICP等离子源*动态温度控制 RIE等离子刻蚀机Etchlab 200产品介绍:经济型等离子刻蚀设备EtchLab 200具备 低成本效益高的特点,并且支持揭盖直接 放置样片。EtchLab 200允许通过载片 器,实现多片工艺样品的快速装载,也可 以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备具备占地面积小, 模块化和灵活性等设计特点. 特点*低成本效益高*升级扩展性*SENTECH控制软件RIE等离子刻蚀机SI 591产品介绍SI 591特别适用于采用氟基和氣基 :气体的工艺,可以通过预真空室和电 :脑控制的等离子工艺系统实现。SI 591的特点是占地空间小,高度灵活性,例如,SI 591可作为单一反应腔系统集成在多腔系统中。特点工艺灵活性*占地面积小且模块化程度高*SENTECH控制软件
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  • Trion等离子刻蚀机 400-860-5168转2623
    美国Trion Technology等离子刻蚀、等离子刻蚀机反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统Trion始于一九八九年的等离子刻蚀与沉积系统制造商,Trion为化合物半导体、MEMS(微机电系统)、光电器件以及其他半导体市场提供多种设备。我们的产品在业内以系统占地面积小、成本低而著称,且设备及工艺的可靠性和稳定性久经考验。从整套的批量生产用设备,到简单的实验室研发用系统,尽在Trion等离子刻蚀机、等离子去胶机、RIE等离子刻蚀机、微波等离子去胶机、plasma stripper 等离子刻蚀机- 低损伤去胶系统新式去胶系统的成本已攀升到不合理水平,但Trion已通过两套价格低廉、紧凑的多功能系统使这一关键问题得到解决:Gemini和Apollo。利用ICP(电感耦合等离子)、微波和射频偏置功率,可以在低温条件下将难于消除的光刻胶去除。根据应用要求,每套系统可以结合SST-Lightning 微波源(既可靠又没有任何常见的微波调谐问题) 或ICP 技术。等离子刻蚀机刻蚀速率高达6微米/分 高产量等离子损伤低 自动匹配单元适用于100mm 到300mm 基片 设备占地面积小价格具竞争性 等离子刻蚀刻蚀/沉积 Titan是一套用于半导体生产的十分紧凑、全自动化、带预真空室的等离子系统包含:等离子刻蚀机、等离子去胶机、RIE等离子刻蚀机、微波等离子去胶机、plasma stripper
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  • 等离子刻蚀ICP 400-860-5168转3855
    Minilock-Phantom III具有预真空室的反应离子刻蚀机可适用于单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸),为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸批处理功能(4x3” 3x4” 7x2”)。系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜,如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck),以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器,及在基片背面保持一个氦冷却层,从而达到控制基片温度的作用。该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源,其使得用户可以创建高密度等离子,从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。基片通过预真空室装入。其避免与工艺室以及任意残余刻蚀副产品接触,从而提高了用户安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下,从而隔绝外部湿气,防止反应室内可能发生的腐蚀。
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等离子刻蚀相关的耗材

  • PlasmaDecap 等离子开封设备
    PlasmaDecap 等离子开封设备等离子开封设备是为蚀刻模具化合物,聚酰亚胺芯片特别研发的,无需攻击敏感的接线便可将芯片开封。主要原素:优化开封微芯片开封处理程序快速高刻蚀率及低成本符合环保要求 优点:对铜线及银线线无伤害开封处理程序快速 高刻蚀率及低成本符合环保要求
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