半导体晶片

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半导体晶片相关的资讯

  • 宽禁带联盟对《碳化硅单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法》等五项团体标准进行研讨及审定
    2022年1月13日,根据中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)团体标准制定工作程序要求,联盟秘书处组织召开了宽禁带联盟2022年度第一次团体标准评审会。本次评审会采取线上评审的形式,分别对《碳化硅单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法》等五项团体标准进行了研讨及审定。线上评审评审会由宽禁带联盟秘书长刘祎晨主持,厦门大学张峰教授、中国科学院物理研究所王文军研究员、中国科学院半导体研究所金鹏研究员、孙国胜研究员、刘兴昉副研究员、国网智能电网研究院有限公司杨霏教授级高工、中科院电工所张瑾高工、工业和信息化部电子第四研究院闫美存高工、北京聚睿众邦科技有限公司总经理闫方亮博士、北京天科合达半导体股份有限公司副总经理刘春俊研究员、国宏中宇科技发展有限公司副总经理赵子强、北京世纪金光半导体有限公司技术主任何丽娟、北京三平泰克科技有限责任公司郑红军高工等宽禁带联盟标准化委员会委员参加了本次会议。会上,各牵头起草单位代表就标准送审稿或草案的编制情况进行了详细汇报,与会专家针对标准技术内容、专业术语、技术细节、标准格式、标准规范等内容等方面进行了深入的讨论,并提出了很多宝贵意见,最后经联盟标准化委员会与会委员表决,形成如下决议:1. 通过《碳化硅单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法》(牵头单位:国宏中宇科技发展有限公司)一项送审稿审定;2. 通过《碳化硅外延层载流子浓度测试方法-非接触电容-电压法》、《碳化硅栅氧的界面态测试方法—电容-电压测试法》(牵头单位:芜湖启迪半导体有限公司),《金刚石单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法》、《金刚石单晶位错密度的测试方法》(牵头单位:中国科学院半导体研究所)四项草案初审。同时标准化专家组建议各标准工作组要根据专家审查意见对各项标准进一步修改完善,尽快形成报批稿或征求意见稿,报送至联盟秘书处。联盟将按照标准制定工作计划进度要求,有条不紊地推动标准工作。宽禁带联盟一直以来都高度重视团体标准工作的发展,有责任和义务不断提升标准化水平,为引领行业技术发展提供重要支撑。同时,联盟也将积极探索推进与国标委的互动,协同推动优秀的团体标准上升为行业标准、国家标准,不断提升国家标准的水平。
  • 《SiC晶片的残余应力检测方法》等六项团体标准实施
    p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 2019年12月30日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布《SiC晶片的残余应力检测方法》等六项团体标准的公告。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 根据《中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准管理办法》的相关规定,批准发布《 /span span style=" text-indent: 2em text-decoration: underline " a href=" https://www.instrument.com.cn/download/shtml/929877.shtml" target=" _self" style=" color: rgb(0, 176, 240) " span style=" text-decoration: underline text-indent: 2em color: rgb(0, 176, 240) " SiC 晶片的残余应力检测方法 /span /a /span span style=" text-indent: 2em " 》、《 /span span style=" text-indent: 2em text-decoration: underline " a href=" https://www.instrument.com.cn/download/shtml/929876.shtml" target=" _self" style=" color: rgb(0, 176, 240) " span style=" text-decoration: underline text-indent: 2em color: rgb(0, 176, 240) " 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 /span /a /span span style=" text-indent: 2em " 》、《 /span span style=" text-indent: 2em text-decoration: underline " a href=" https://www.instrument.com.cn/download/shtml/929874.shtml" target=" _self" style=" color: rgb(0, 176, 240) " span style=" text-decoration: underline text-indent: 2em color: rgb(0, 176, 240) " 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 /span /a /span span style=" text-indent: 2em " 》、《 /span span style=" text-indent: 2em text-decoration: underline " a href=" https://www.instrument.com.cn/download/shtml/929879.shtml" target=" _self" style=" color: rgb(0, 176, 240) " span style=" text-decoration: underline text-indent: 2em color: rgb(0, 176, 240) " 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 /span /a /span span style=" text-indent: 2em " 》、《 /span span style=" text-indent: 2em text-decoration: underline " a href=" https://www.instrument.com.cn/download/shtml/929875.shtml" target=" _self" style=" color: rgb(0, 176, 240) " span style=" text-decoration: underline text-indent: 2em color: rgb(0, 176, 240) " 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法——共焦点微分干涉光学法 /span /a /span span style=" text-indent: 2em " 》、《 /span span style=" text-indent: 2em text-decoration: underline " a href=" https://www.instrument.com.cn/download/shtml/929872.shtml" target=" _self" style=" color: rgb(0, 176, 240) " span style=" text-decoration: underline text-indent: 2em color: rgb(0, 176, 240) " 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 /span /a /span span style=" text-indent: 2em " 》六项团体标准。上述六项标准自 2019年12月27日发布,自2019年12月31日起实施。 /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" text-indent: 2em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202001/uepic/ea557aa9-6015-4978-9a32-2ea73126dd75.jpg" title=" 1.PNG" alt=" 1.PNG" / /span img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202001/uepic/8fb0d7e2-57e9-402b-b22e-ec8bc3d929f0.jpg" title=" 1.PNG" alt=" 1.PNG" width=" 500" height=" 701" border=" 0" vspace=" 0" style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 500px height: 701px " / /p p style=" line-height: 16px " 附件: img style=" vertical-align: middle margin-right: 2px " src=" /admincms/ueditor1/dialogs/attachment/fileTypeImages/icon_pdf.gif" / a style=" font-size:12px color:#0066cc " href=" https://img1.17img.cn/17img/files/202001/attachment/8fd0a790-9ffe-4be1-bb90-ecd89694d798.pdf" title=" 关于批准发布SiC晶片的残余应力检测方法等六项团体标准的公告1227.pdf" 关于批准发布SiC晶片的残余应力检测方法等六项团体标准的公告1227.pdf /a /p
  • 浩腾与晶兆合作开发微晶片光谱仪
    浩腾与晶兆科技全面技术合作,共同开发出全世界光学机构最小台的“微晶片光谱仪”。这是浩腾继氢氧焰能源机之后,再度跨入绿能产业。   由于医疗保健费用节节升高,预防保健观念有渐趋积极自我健康管理之势,其中美国消费者已转向基因筛检方式等积极自我健康管理,预估未来将有30%的人口使用基因筛检产品,庞大商机吸引各厂积极投入。   浩腾与晶兆科技昨天正式合作,结合台湾科技大学柯正浩教授核心技术,以“微型晶片光学结构”取代一般光谱仪的“准直面镜-平面光学结构-聚焦面镜”架构,以单一元件与最小体积完成分光和聚焦功能,并达成2奈米之内光谱解析率,其关键核心元件为微型晶片光学结构,以自行开发的光学演算法,高精密的半导体製程及光机电整合能力,简化光学结构、缩小光机体积,并达到与大型光谱仪相同的精密解析度,整合三大产业包含半导体、电机电子、光电之研发能量,生产能力与检测需要,并带动光谱分析元件市场与光电产业之发展,让检测机器价格大幅下滑,且携带方便,可说是革命性产品。   依浩腾的技术,未来每支单价可望下降到1万元,他预估未来每个家庭都会购买一支,商机相当可观。

半导体晶片相关的方案

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  • 半导体晶片温度控制中制冷原理说明

    半导体晶片温度控制是目前针对半导体行业所推出的控温设备,无锡冠亚半导体晶片温度控制采用全密闭循环系统进行制冷加热,制冷加热的温度不同,型号也是不同,同时,在选择的时候,也需要注意制冷原理。  半导体晶片温度控制制冷系统运行中是使用某种工质的状态转变,从较低温度的热源汲取必需的热量Q0,通过一个消费功W的积蓄过程,向较热带度的热源发出热量Qk。在这一过程中,由能量守恒取 Qk=Q0 + W。为了实现半导体晶片温度控制能量迁移,之初强制有使制冷剂能达到比低温环境介质更低的温度的过程,并连续不断地从被冷却物体汲取热量,在制冷技巧的界线内,实现这一过程有下述几种根基步骤:相变制冷:使用液体在低温下的蒸发过程或固体在低温下的消溶或升华过程向被冷却物体汲取热量。平常空调器都是这种制冷步骤。气体膨胀制冷:高压气体经绝热膨胀后可达到较低的温度,令低压气体复热可以制冷。气体涡流制冷:高压气体通过涡流管膨胀后可以分别为热、冷两股气流,使用凉气流的复热过程可以制冷。热电制冷:令直流电通过半导体热电堆,可以在一端发生冷效应,在另一端发生热效应。  半导体晶片温度控制在运行过程中,高温时没有导热介质蒸发出来,而且不需要加压的情况下就可以实现-80~190度、-70~220度、-88~170度、-55~250度、-30~300度连续控温。半导体晶片温度控制的原理和功能对使用人员来说有诸多优势: 因为只有膨胀腔体内的导热介质才和空气中的氧气接触(而且膨胀箱的温度在常温到60度之间),可以达到降低导热介质被氧化和吸收空气中水分的风险。  半导体晶片温度控制中制冷原理上如上所示,用户在操作半导体晶片温度控制的时候,需要注意其制冷的原理,在了解之后更好的运行半导体晶片温度控制。

  • Heller PCO-700半导体芯片压力烤箱,半导体真空压力烤箱

    Heller PCO-700半导体芯片压力烤箱,半导体真空压力烤箱

    Heller PCO-700真空压力烤箱是一种槁端的电子元器件封装设备,具有多项优良特性。该设备占地面积小,手动操作方便,蕞大工作压力可达8bar,蕞高工作温度为200℃。用户可以根据需要选择使用氮气、洁净室或真空功能。这款半导体芯片压力烤箱设备广泛应用于封装胶注入、晶片粘接、晶圆压合和薄膜胶带粘合等领域。其中,在电子封装领域中应用较为广泛的是Underfill固化和Die Attach固化技术。[img=,690,847]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307211129403027_1076_5802683_3.jpg!w690x847.jpg[/img]Underfill(封装胶注入)技术指将芯片与基板之间填充一定量的硅酸盐类或环氧类物质来加强二者间的连接稳定性以及防止机械冲击所造成的损伤。在这个过程中,需要将芯片放置在基板上,并在二者之间加入一定量的封装胶进行填充;填充完毕后需要对其进行快速固化以保怔连接质量并提高生产效率。Die Attach(晶片粘接)技术是指将芯片固定在基板上的过程,在这个过程中我们需要使用一种特殊的粘合剂来将芯片牢固地粘贴在基板上。与传统手工操作相比,使用Heller PCO-700半导体芯片压力烤箱可以大幅提高产品生产效率和减少人员误差。[img=,690,706]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307211129507334_1934_5802683_3.jpg!w690x706.jpg[/img]HELLER企业是一家专业从事电子制造设备开发、销售和服务于一体的企业。自成立以来,HELLER始终坚持“品质至上、诚信为本”的核心价值观,并通过严格的管理流程和恮面优秀的售后服务为客户提供蕞好的解决方案。HELLER公司拥有超过55年在电子行业领域的经验和强大实力。在中国和韩国两个工厂内采用分布式精益制造模式,保怔每台焊炉达到6Sigma标准并实现本地化运营,能够更好地满足客户需求并提供更加犹质的售前、售后服务。[img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307211130093302_7745_5802683_3.jpg!w690x517.jpg[/img]HELLER公司还注重与客户之间直接沟通,定期拜访客户并聆听他们宝贵的意见,以不断改进产品和服务。因此,在电子封装行业中,HELLER品牌的设备备受客户青睐,并取得了良好的口碑。Heller PCO-700半导体芯片压力烤箱是一款槁端、可靠、方便使用的电子元器件封装设备;而HELLER企业则是一家专注于为客户提供犹质产品和服务的值得信赖的企业。相信在未来,这两者都会持续发展壮大,并为行业带来更多创新性解决方案。您正在寻找一家提供半导体设备和材料的可靠供应商吗?苏州仁恩机电科技有限公司将为您提供一站式解决方案,满足您的需求。联系方式:请联系我们以获取更多信息。

  • 半导体低温工艺中制冷系统的压力和温度准确控制解决方案

    半导体低温工艺中制冷系统的压力和温度准确控制解决方案

    [color=#990000]摘要:针对半导体低温工艺中制冷系统在高压防护和温度控制中存在的问题,本文将提出一种更简便有效的解决方案。解决方案的核心是在晶片托盘上并联一个流量可调旁路,使制冷剂在流入晶片托盘之前进行部分短路。即通过旁路流量的变化调节流出晶片托盘的制冷剂压力,一方面保证制冷剂低压工作状态,另一方面实现晶片温度的高精度控制。[/color][align=center]~~~~~~~~~~~~~~~~~~[/align][b][size=18px][color=#990000]1. 问题的提出[/color][/size][/b] 随着新一代半导体工艺技术的发展,如低温刻蚀和沉积,需要晶片达到更低的温度。更低温度的实现目前可选的技术途径一般是采用循环流体介质直接作用在晶片卡盘,而介质可以是单一制冷剂(如液氮)和混合制冷剂。目前,更具有应用前景的是使用混合制冷剂的自复叠混合工质低温制冷技术,但在半导体低温工艺的具体应用中,需要处理好以下两方面的问题: (1)当制冷系统连接到晶片托盘后,混合工质就在一个容积固定管路内循环运行。在压缩机启动初期,整个系统基本处于较高温度,系统内大部分工质为[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp][color=#3333ff]气相[/color][/url],随着制冷温度的降低,除压缩机和冷凝器外的其他部件内的[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/5p][color=#3333ff]液相[/color][/url]工质含量逐渐增加,当制冷温度达到最低时,系统内的[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/5p][color=#3333ff]液相[/color][/url]工质含量达到最高。由于气液两相工质的比容相差较大,不同相态的工质通过节流单元的能力不同,工质间的沸点也不同,所以在制冷系统启动初期,通过节流单元的几乎全部为气态工质,压缩机的排气压力也将会很高。而在半导体工艺设备中,半导体晶片托盘及其回路部件的最大工作压力通常在1~1.4MPa范围内,那么在低温制冷过程中,冷却剂压力可能会超过晶片托盘冷却回路的最大操作压力而造成系统损坏。因此,要在晶片制冷系统中增加低温压力控制装置,避免出现高压问题,保证制冷系统在整个运行过程中制冷剂压力符合要求。 (2)晶片冷却温度是半导体低温工艺的一项重要技术参数,晶片冷却过程中的低温温度要求按照设定值进行准确控制。尽管大多数低温制冷系统都具有温度控制功能,可通过外部温度传感器、调节回路和控制器组成的闭环回路实现低温温度控制,调节回路基本都是通过调节制冷剂流量和膨胀方式,有些则通过辅助加热方式进行温度控制,但这些温控方式普遍结构复杂且控温精度不高,特别是在多个晶片同时冷却的半导体设备中这些问题更是突出。 针对上述半导体低温工艺中制冷系统在压力和温度控制中存在的问题,本文将提出一种更简便有效的解决方案。解决方案的核心是在晶片托盘上并联一个流量可调旁路,使制冷剂在流入晶片托盘之前进行部分短路。即通过旁路流量的变化调节流出晶片托盘的制冷剂压力,一方面保证制冷剂低压工作状态,另一方面实现晶片温度的高精度控制。[b][size=18px][color=#990000]2. 解决方案[/color][/size][/b] 对于半导体低温工艺中的晶片托盘进行冷却,一般所采用的技术方案是直接将自复叠混合工质制冷机与晶片托盘连接,其结构如图1所示。这种方案在温度控制时是在晶片托盘上安装温度传感器,并与控制器连接进行温度控制,但这种方案存在压力过高和温度控制不准确的问题。[align=center][color=#33ccff][size=14px][b][img=半导体晶片低温冷却实施方案示意图,400,235]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/12/202212270900279759_748_3221506_3.jpg!w690x406.jpg[/img][/b][/size][/color][/align][align=center][b][color=#990000]图1 半导体晶片低温冷却常规方案[/color][/b][/align][align=center][size=14px][b][img=半导体晶片低温冷却改进后方案,400,240]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/12/202212270900037860_9891_3221506_3.jpg!w690x414.jpg[/img][/b][/size][/align][b][/b][align=center][b][color=#990000]图2 半导体晶片低温冷却改进后方案[/color][/b][/align] 本文提出的改进方案如图2所示,为了使冷却过程中的混合工质压力始终处于安全工作范围,在图1所示的冷却管路上增加了一个短接旁路,通过一个调节阀控制此旁路中的工质流量可以降低晶片卡盘及其管路的内部压力达到安全范围。同时,此旁路调节阀具有高精度动态精密调节能力,可使晶片卡盘内部的制冷剂压力波动非常小而实现更准确的温度控制,由此可在制冷机现有温度控制能力的基础上,降低压力波动和提高温度稳定性。具体实施方案如图3所示。[align=center][size=14px][b][color=#33ccff][img=半导体晶片低温冷却实施方案示意图,690,266]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/12/202212270900506941_8802_3221506_3.jpg!w690x266.jpg[/img][/color][/b][/size][/align][align=center][b][color=#990000]图3 半导体晶片低温冷却系统压力和温度精密控制方案示意图[/color][/b][/align] 在图3所示的解决方案中,采用了以下几个控制部件: (1)气动调节阀:此气动调节阀也称之为背压阀,即通过较小的气体压力来驱动较大压力下流体介质中阀门的开度变化。通过此低温调节阀开度变化来改变旁路流量进而实现压力调节。 (2)先导阀:先导阀是一个低压气体压力调节阀,可对表压(如0.6MPa)的进气压力进行高精度减压调节,调节控制信号为模拟量(如4~20mA或0-10V),由此来驱动气动调节阀。 (3)传感器:晶片低温冷却系统包含了压力和温度传感器,以分别检测晶片冷却剂回路中的压力和晶片温度,并将检测信号传输给双通道PID控制器。压力传感器可根据实际需要布置在制冷剂管路中的不同位置,以提供合理和准确的压力监测。 (4)双通道控制器:此双通道控制器是具有两路独立控制通道且具有很高精度的PID控制器,一路通道与压力传感器和先导阀构成压力控制回路,另一通道与温度传感器和制冷机构成温度控制回路。 总之,通过这种增加旁路并进行压力精密调节的解决方案,即可满足降低制冷剂压力提供安全防护功能,又可以提高晶片温度控制精度,是一种可用于晶片低温工艺的更优化方案。[align=center]~~~~~~~~~~~~~~[/align]

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  • 面向半导体晶圆检测的光谱测试系统 荧光测试荧光光谱的峰值波长、光谱半宽、积分光强、峰强度、荧光寿命与电子/空穴多种形式的辐射复合相关,杂质或缺陷浓度、组分等密切相关膜厚&反射率&翘曲度通过白光干涉技术测量外延片的薄膜厚度(Thickness)、反射率(PR)以及晶片翘曲度荧光光谱系统特点面向半导体晶圆检测的光谱测试系统光路结构示意图自动扫描台:兼容2寸、4寸、8寸晶圆可升级紫外测量模块、翘曲度测量模块侧面收集模组:用于AlGaN样品(发光波段200-380 nm),因为AlGaN轻重空穴带反转使其荧光发光角度为侧面出光,因此需要特殊设计的侧面收光模块。翘曲度测量模块翘曲度测量模块集成在显微镜模组中,利用晶圆表面反射回的375nm激光,利用离焦量补偿实现表面高度的测量,对晶圆片的高度扫描后获得晶圆形貌,从而计算翘曲度的数值。该模块不仅可以测量晶圆的形貌和翘曲度,同时还可以起到激光自动对焦的作用,使得晶圆片大范围移动时,用于激发荧光的激光光斑在晶圆表面始终保持最佳的聚焦状态,从而极大的提供荧光收集的效率和分辨率。物镜5xNA=0.2820xNA=0.40100xNA=0.8离焦量z分辨率 1 μm 0.5 μm 0.06 μm激光光斑尺寸(焦点处)~2 μm~2 μm~1 μm测量时间(刷新频率) 20 ms(50 Hz),可调节最高100 Hz紫外测量模块紫外测量模块的功能主要由集成在显微镜模组中的5x紫外物镜和侧面收集模块实现。可选择213nm或266nm的激光进行激发,聚焦光斑约10微米,可选择通过该物镜收集正面发射的荧光,通过单色仪入口1进行收集和测量。针对AlGaN的发光波段(200-380nm),尤其是Al组分较大(70%)的AlGaN由于轻重空穴带反转,其荧光发光角度为侧面出光,因此设置侧面收集模组,将侧面发出的荧光通过一个单独倾斜60度角的物镜收集后,通过光纤传入单色仪入口2进行收集和测量。可通过翘曲度模块对晶圆片形貌进行测量后,再进行紫外荧光测量时,根据记录的形貌高度,Z轴移动实现晶圆片高度方向的离焦量补偿,使得晶圆片大范围移动时,激光光斑在晶圆表面始终保持最佳的聚焦状态,从而极大的提供荧光收集的效率和分辨率。软件界面晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应用案例6英寸AlGaN晶圆测试随着AlGaN中Al所占比例的增加,可看到发光峰位出现了蓝移,当Al的含量占到70%的时候,峰位已经蓝移至238nm。对AlGaN晶圆进行Al组分比例面扫描,可以看到晶圆中Al的组分分布情况。MicroLED微区PL荧光光谱MappingMicroLED微盘,直径40微米。图(A):荧光PL Mapping图像,成像区域45×45微米;图(B):图(A)所示红线,m0-m11点,典型荧光光谱。MicroLED微盘的荧光强度3D成像 2英寸绿光InGaN晶圆荧光光谱测试从InGaN的峰强分布来看,在晶圆上峰强分布非常不均匀,最强发光大约位于P2点附近,而有些位置几乎不发光。发光峰位在500-530nm之间,分布也很不均匀。波长在510nm(P2位置)发光最强。波长越靠近530nm(P1位置),发光越弱。2英寸绿光InGaN晶圆荧光寿命测试从以上荧光寿命成像得到,绿光InGaN荧光寿命在4ns-12ns之间。沿着P1-P3白线,荧光寿命减小。从晶圆上分布看,荧光寿命与荧光强度成像的趋势大致相符,而且峰位有明显关联。即沿着峰位蓝移方向(蓝移至500nm),荧光发光强度增强而且寿命增加,说明辐射复合占据主要比例。而沿着峰位红移的方向(蓝移至530nm),发光强度减弱,同时寿命减小,说明非辐射复合占据主要比例。 面向半导体晶圆检测的光谱测试系统性能参数:荧光激发和收集模块激光波长213/266/375 nm激光功率213nm激光器,峰值功率>2.5kw@1KHZ,266nm激光器,输出功率2-12mw可调自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米 显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 近紫外物镜,100X/20X,用于375nm激光器,波长范围355-700 nm&bull 紫外物镜, 5X,用于213 nm/266nm的紫外激发, 200-700 nm 样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。 样品台&bull 8寸吸气台(12寸可定制)&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片 光谱仪探测器 光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪,可接面阵探测器。&bull 光谱分辨率:优于0.2nm@1200g/mm 可升级模块翘曲度测量模块重复测量外延片统计结果的翘曲度偏差±5um紫外测量模块5X紫外物镜,波长范围200-700 nm。应用于213 nm、266nm的紫外激发和侧面收集实现AlGaN紫外荧光的测量膜厚测试模块重复测量外延片Mapping统计结果的膜厚偏差±0.1um荧光寿命测试模块荧光寿命测试精度8 ps,测试范围50 ps-1 ms软件控制软件可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高、半高宽等进行拟合。&bull 可计算荧光寿命、薄膜厚度、翘曲度等。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 面向半导体晶圆检测的光谱测试系统仪器订购样品委托测试
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  • 半导体晶圆拉曼光谱测试系统R1——应力、组分、载流子浓度 面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统主要功能:&bull 光穿过介质时被原子和分子散射的光发生频率变化,该现象称为拉曼散射。&bull 拉曼光谱的强度、频移、线宽、特征峰数目以及退偏度与分子的振动能态、转动能态、对称性等紧密相关&bull 广泛地应用于半导体材料的质量监控、失效分析。仪器架构:性能参数: 拉曼激发和收集模块激光波长532 nm激光功率100 mW自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 100x,半复消色差物镜&bull 空间分辨率2微米拉曼频移范围80-9000 cm-1样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。样品台&bull 8寸吸气台(12寸可定制)&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片光谱仪和探测器光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪,接面阵探测器。&bull 分辨率2.0 cm-1。软件控制软件&bull 可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高和半高宽等进行拟合。&bull 可自动拟合并计算应力、晶化率、载流子浓度等信息,样品数据库可定制。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应力检测—GaN晶圆片利用拉曼光谱568 cm-1位置的特征峰位移动,可以检测GaN晶圆表面应力分布。类似方法还可应用于表征Si/SiC/GaAs等多种半导体。载流子浓度检测——SiC晶圆片组分检测——结晶硅薄膜晶化率测试结晶率指晶态硅与晶界占非晶态、晶态、晶界总和的质量百分比或体积百分比,是评价结晶硅薄膜晶化效果的一项重要指标。晶化率𝛸 𝛸 𝑐 𝑐 可通过拟合拉曼光谱分峰后定量计算。多层复杂晶圆质量检测——AlGaN/GaNHEMT&bull 氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性在移动电话、卫星电视和雷达中应用广泛。&bull 晶圆片包含Si/AlGaN/GaN多层薄膜结构。&bull 拉曼光谱可给出多层结构的指纹峰,并对其应力、组分、载流子浓度等进行分析。AlGaN/GaN晶圆,直径6英寸面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统仪器订购样品委托测试
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  • 型号:LB-8600产品介绍LB-8600多功能推拉力测试机广泛用于LED封装测试,IC半导体封装测试、TO封装测试,IGBT功率模块封装测试,光电子元器件封装测试,汽车领域,航天航空领域,军工产品测试,研究机构的测试及各类院校的测试研究等应用。设备功能介绍:1.设备整体结构采用五轴定位控制系统,X轴和Y轴行程100mm,Z轴行程80mm,结合人体学的独特设计,全方位保护措施,左右霍尔摇杆控制XYZ平台的自由移动,让操作更加简单、方便并更加人性化。2.高可达200KG的坚固机身设计,Y轴测试力值100KG,Z轴测试力值20KG3.智能工位自动更换系统,减少手工更换模块的繁琐性,同时更好提升了测试的效率及便捷性4.高精密的动态传感结合独特的力学算法,使各传感器适应不同环境的精密测试并确保测试精度的准确性5.LED智能灯光控制系统,当设备空闲状况下,照明灯光自动熄灭,人员操作时,LED照明灯开启设备软件:1.中英文软件界面,三级操作权限,各级操作权限可自由设定力值单位Kg、g、N,可根据测试需要进行选择。2.软件可实时输出测试结果的直方图、力值曲线,测试数据实时保存与导出功能,测试数据并可实时连接MES系统软件可设置标准值并直接输出测试结果并自动对测试结果进行判定。3.SPC数据导出自带当前导出数据大值、小值、平均值及CPK计算。传感器精度:传感器精度±0.003%;综合测试精度±0.25%测试传感器量程自动切换。测试精度:多点位线性精度校正,并用标准法码进行重复性测试,保证传感器测试数据准确性。软件参数设置:根据各级权限可对合格力值、剪切高度、测试速度等参数进行调节。测试平台:真空360度自由旋转测试平台,适应于各种材料测试需求,只需要更换相应的治具或压板,即可轻松实现多种材料的测试需求。测试参数:设备型号:LB-8600外型尺寸:680*580*710(含左右摇杆)设备重量:95KG电源供应:110V/220V@4.0A 50/60HZ压缩空气:4.5-6Bar真空输出:500mm Hg控制电脑:联想PC软件运行:Windows7/Windows10显微镜:标配双目连续变倍显微镜(选配三目显微镜)传感器更换方式:自动切换平台治具:360度旋转,平台可共用各种测试治具XY轴有效行程:100*100mmZ轴有效行程:80mmXY轴分辩率:±1um Z轴分辩率±1um传感器精度:传感器精度±0.003%;综合测试精度±0.25%
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