硫镓银晶体

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  • AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2
    AGS 硫镓银晶体(silver thiogallate硫没食子酸银)是一种优质的红外非线性晶体材料,具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。透光范围为0.53-13um, AgGaS2晶体在550um处具有高透光性,具有广泛的应用,可以用于Nd:YAG激光泵浦的OPO,半导体激光,钛宝石激光,Nd:YAG和IR染料激光的各种差频, 覆盖3-12um波段,此外,还实用于定向红外对抗系统(DIRCMS)和各种波长CO2激光倍频。AGS 硫镓银对中红外激光的倍频效率高,可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生,应用波长可达到中红外的17 μm。 技术参数应用中红外辐射的高效倍频光学参量振荡和放大,不同频率产生到高达12μm的中红外区域各向同性点附近区域的光学窄带滤波器 (0.4974 μm at 300 K) 主要参数复合物AgGaS2透明度, μm0.47 – 13非线性参数, pm/Vd36 = 12.6 @ 10.6 μm 负单轴晶体no ne (at λ 0.497 μm ne no)对称性 四方晶系, -42m point group晶胞参数, ?a=5.757, c=10.311典型反射指数10.6 μm 5.3 μmno=2.3475, ne=2.2918 no=2.3945, ne=2.3406光学损伤阈值, MW/cm2 1064 nm (t=10 ns)350离散角, °5.3 μm0.76热导系数 k, WM/M°C1.5室温带隙, eVEg = 2.73在各向同性点的光活性 ρ = 522deg/mmn0= ne, λ = 0.4974 μm0.2透明度级别的远红外吸收边缘0.86 THz 346 μm光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平整度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 可提供大/长光学元件,请发送您的要求。我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层,可根据要求应用反射率曲线。
  • 硒化镓晶体 GaSe晶体 太赫兹晶体
    产品简介 GaSe硒化镓晶体是一种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03,熔点(960±10)℃。GaSe和GaS一样是层状结构半导体,随着温度的降低,GaSe光电效应最大值向短波方向移动。硒化镓作为一种非线性晶体和光电导体,通常被应用于这些方面:于CO2激光器的二次谐波的产生,CO2激光器频率上转换至近红外或可见光,中红外波段的光学混频,以及5.5um-18.0um中红外波段的的不同频率的产生。同时GaSe晶体也可以被用来产生太赫兹辐射。 GaSe(硒化镓晶体)的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe硒化钾晶体是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe硒化钾晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源,GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe硒化钾晶体厚度的选取,我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注:GaSe硒化钾晶体的解理面为(001),因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软,易碎。GaSe 硒化钾晶体参数Structure62m a = 3.74 c = 15.89Density5.03 g/cm3Mohs hardness2Eg, eV2.02Refractive indices at 5.3 μmno = 2.8340 ne = 2.4599Refractive indices at 10.6 μmno = 2.8136 ne = 2.4389Refractive index at 0.633 μmno= 2.9365 GaSe 硒化钾晶体透射谱GaSe硒化钾晶体产品Diameter/Width5-30 mm (can be elliptical)Thickness/Length0.1-40 mmOrientationX, Y, ZSurface qualityCleaved更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体
  • 硫化镓晶体(99.995%) GaS(Gallium Sulfide)
    硫化镓晶体 GaS(Gallium Sulfide)晶体尺寸:~10毫米电学性能:半导体晶体结构:六边形晶胞参数:a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型:合成晶体纯度:>99.995% X-ray diffraction on a GaS single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10, 12, 14Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal GaS. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal alpha phase GaS by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal GaS. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

硫镓银晶体相关的仪器

  • 磷化铟(InP)晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:磷化铟(InP)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78 g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45载流子浓度cm-3 :1-2x1016 、1-3x1018 、1-4x1018、6-4x1018位错密度cm-2 :5x104生长方法:LEC温度:1072℃弹性模量:7.1E11dyn Cm-2 常规尺寸:常规晶向:100;常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛 表面粗糙度Ra:15A注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注:1000级超净室100级超净袋相关产品: Other InP InSbOther InAsGaAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉
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  • 砷化铟(InAs)晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:砷化铟(InAs)晶体产品简介:技术参数:晶体结构:立方 a =5.4505 ?生长方法:CZ导电类型:N型掺杂类型:不掺杂载流子浓度:2 ~ 5E16 / cm3 迁移率:18500cm2/V.S 常规尺寸:常规晶向:100、111;常规尺寸:10x10x0.5mm dia2″x0.5mm 抛光情况:单抛或双抛 表面粗糙度Ra:15A注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注:1000级超净室100级超净袋 Other InAsInSbInP GaAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉
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  • 锑化铟(InSb)晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:锑化铟(InSb)晶体基片产品简介:技术参数: 单晶 InSb 掺杂 None Te Ge 导电类型 N N P 载流子浓度cm-3 1-5x1014 1-2x1015 位错密度cm-2 2x102产品规格:标准尺寸:2"x0.5mm, 表面粗糙度Ra:15A 注:可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装 相关产品: Other InSbInAsInP GaAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉
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  • 【资料】晶体的类型与性质

    一、一周知识概述(一)、所讲内容及目的  1、晶体的类型  2、离子晶体、分子晶体、原子晶体的性质及模型  3、氢键  4、金属晶体的结构和性质(二)、与前后周的衔接关系  本单元内容是在原子结构和元素周期律以及化学键知识的基础上介绍的,理论性较强,比较抽象,所以配了很多插图,便于理解,并能提高兴趣。重点要掌握四类晶体的概念,晶体类型与性质的关系。二、重点知识归纳及理解(一)、晶体的类型1、晶体:具有一定的几何形状,其构成粒子按某种规律排列,占有一定空间的纯净物。 (二)、离子晶体、分子晶体、原子晶体、金属晶体1、概念(1)离子晶体:阴阳离子间通过离子键结合而成的晶体。(2)分子晶体:分子间以分子间作用力相结合的晶体。(3)原子晶体:相邻原子间以共价键相结合而形成空间网状结构的晶体。(4)金属晶体:通过金属阴离子与自由电子之间的较强作用形成的单质晶体。2、四种类型晶体的比较(三)、四种晶体结构模型1、离子晶体NaCl和CsCl晶体结构特征(1)在NaCl晶体中,每个Na+同时吸引着6个Cl-,每个Cl-也同时吸引着6个Na+。故Na+、Cl-个数比为1:1,在整个晶体中不存在单个的NaCl分子。NaCl不是表示分子组成的分子式,只是表示晶体内离子个数比的化学式。(2)CsCl晶体中,每个Cs+同时吸引着8个Cl-。每个Cl-也同时吸引着8个Cs+。故而CsCl是只表示离子个数比的化学式。2、CO2分子晶体结构模型  在CO2晶体结构中,每个质点都是一个小分子,该晶体为立方体结构。每个立方体顶点上都有一个CO2分子。在立方体的六个面心也有一个CO2分子存在。每个CO2分子与12个CO2分子相邻。 3、金刚石晶体结构模型  在金刚石晶体中,每个碳原子都以共价键与相邻的4个碳原子结合四面体结构。六个碳原子形成一个六元环,每个碳原子又被12个环共用。这些正四面体(或六元环),向三维空间延伸得到立体网状晶体。4、金属共同物理性质的解释(1)金属晶体具有金属光泽和颜色:这是由于自由电子能对可见光进行选择性吸收和反射从而使金属晶体具有不同的颜色和光泽。(2)金属的导电性、导热性  导电性:由于自由电子在外加电场的作用下产生定向移动形成电流。故金属容易导电。  导热性:自由电子在运动时与金属离子相互碰撞,在碰撞过程中发生能量交换,使整块金属达到同样的温度。(3)金属的延展性:当金属受到外力时,晶体中的各原子层就会发生相对滑动,由于金属离子与自由电子之间的相互作用没有方向性,受到外力后相互作用没有被破坏,故金属只发生形变而不断裂。使金属具有良好的延展性。三、难点知识剖析(一)、晶体溶沸点高低比较(1)异类晶体分子晶体。  一般情况下:原子晶体(熔沸点)>离子晶体>分子晶体。  例如:SiO2>NaCl>CO2(2)同类晶体  原子晶体共价键键能→键长→原子半径(3)组成和结构相似的分子,分子间作用力随相对分子质量增大而增大。晶体的熔沸点升高。例如:F2<Cl2<Br2<I2,CO2<CS2。(4)分子间形成氢键时,分子间作用力增大熔沸点反常偏高。例如:H2O>H2Te>H2Se>H2S。(5)一般情况下(同类型的金属晶体),金属晶体的熔点由金属阳离子半径、所带的电荷数、自由电子的多少而定。阳离子半径越小,所带的电荷越多,自由电子越多,相互作用就越大,熔点就会相应升高。例如:熔点K<Na<Mg<Al,Li>Na>K>Rb>Cs。(二)、氢键(1)形成条件:原子半径较小,非金属性很强的原子x(N、O、F)与H原子形成极强性共价键,与另一个分子中的原子半径较小,非金属很强的原子y(N、O、F),在分子间H与y产生较强的静电吸引,形成氢键。(2)表示方法:x-H…y-H(x,y可相同或不同,一般为N、O、F)。(3)氢键能级:比化学键弱很多,但比分子间作用力稍强。(4)氢键作用:使物质有较高的熔沸点(例:HF、H2O、NH3等);使物质易溶于水(例:NH3、C2H5OH、CH3COOH等);解释一些反常现象(例:水结冰体积膨胀、水和乙醇的恒沸混合物等)。 [img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2008/08/200808071527_102390_1605343_3.gif[/img][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2008/08/200808071527_102392_1605343_3.gif[/img][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2008/08/200808071527_102394_1605343_3.gif[/img][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2008/08/200808071527_102396_1605343_3.gif[/img][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2008/08/200808071528_102397_1605343_3.gif[/img][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2008/08/200808071528_102398_1605343_3.gif[/img][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2008/08/200808071528_102399_1605343_3.gif[/img]

  • 【讨论】垂直ATR各种晶体区别

    有个问题想问下大家,我用的是Thermo的红外,常见的ATR晶体有Ge,金刚石,ZnSe,KRS-5(溴碘化铊),我看参数因为折射率不一样,适用的波数范围也不一样,好像KRS-5性能最好,最近买了一块锗晶体,银白色的,主要是因为锗晶体硬度高,不容易划伤,但是为什么同样的样品量测试,KRS-5和ZnSe晶体出来的峰差不多,但锗晶体都不出峰,要样品量增加很多才会出峰,应该是检测限也有区别阿.有人知道是为什么吗?

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  • 微电子所在二硫化钼负电容场效应晶体管上取得进展
    近日,2020国际电子器件大会(IEDM)以视频会议的形式召开。会上,微电子所刘明院士科研团队展示了二硫化钼负电容场效应晶体管的最新研究成果。 功耗是制约未来集成电路发展的瓶颈问题。在栅极中引入铁电新材料的“负电容晶体管”(NCFET)可突破传统场效应晶体管的亚阈值摆幅开关极限,有望在极低电源电压下工作,从而降低功耗并保持高性能。同时,原子层厚度的二硫化钼(MoS2)免疫于短沟道效应,具有较高的迁移率、极低的关态电流和CMOS兼容的制造工艺等优势,是面向先进晶体管的可选沟道材料之一。近期的一些实验显示,MoS2 NCFET能实现低于60mV/dec的亚阈值摆幅。但这些研究仅实现了较长沟道(500 纳米)的器件,没有完全发掘和利用负电容效应在短沟道晶体管中的优势。 针对该问题,刘明院士团队通过对器件参数以及制造工艺的设计与优化,首次把MoS2 NCFET的沟道长度微缩至83 纳米,并实现了超低的亚阈值摆幅(SSmin=17.23 mV/dec 和 SSave=39 mV/dec)、较低回滞和较高的开态电流密度。相比基准器件,平均亚阈值摆幅从220 mV/dec提高至39 mV/dec,沟道电流在VGS=0 V和1.5 V下分别提高了346倍和26倍。这项工作推动了MoS2 NCFET尺寸持续微缩,对此类器件面向低功耗应用有一定意义。 基于上述研究成果的论文“Scaling MoS2 NCFET to 83 nm with Record-low Ratio of SSave/SSRef.=0.177 and Minimum 20 mV Hysteresis”入选2020 IEDM。微电子所杨冠华博士为第一作者。图(a) MoS2 NCFET转移曲线。(b)亚阈值摆幅~沟道电流关系。MoS2 NCFET与MoS2 FET对比数据:(c)转移曲线和(d)输出曲线
  • 微电子所在在有机分子晶体器件的载流子输运研究中获进展
    近日,中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在有机分子晶体器件的载流子输运研究中取得重要进展。相比于传统基于无序半导体材料的场效应晶体管中掺杂引起的缺陷钝化(trap-healing)现象,由有序单晶电荷转移界面制备的场效应晶体管整体电导、迁移率高,并具有跨导不依赖于栅压的电学特性,这表明迁移率的提高取决于trap-healing效应,且存在其他影响电学性能的机制。中科院院士、微电子所研究员刘明团队制备了基于p型和n型有机分子构成的单晶电荷转移界面的晶体管器件,探究了电荷转移界面以及栅氧界面电场的相互作用对晶体管工作时载流子及电导分布特性的影响。相较于界面,单晶体内的缺陷态减少3个数量级以上,这意味着更小的散射概率和更高的器件迁移率。研究通过开尔文探针显微镜对表面电势的栅压依赖性表征和二维数值仿真证实,电荷转移界面的内建电场与栅氧界面电场发生有效耦合,提高了载流子体传输比例,减少了界面无序因素对载流子传输的限制作用,大幅提升了器件的跨导。相关研究成果以Surface Doping Induced Mobility Modulation Effect for Transport Enhancement in Organic Single Crystal Transistors为题,发表在Advanced Material上。研究工作得到国家重点研发计划、微电子所微电子器件与集成技术重点实验室开放课题、国家自然科学基金、中科院战略性先导科技项目的支持。图1.电荷转移晶体管的迁移率调制效应的原理图图2.利用扫描开尔文探针显微镜对电荷转移界面的表面电势的表征分析
  • 硒镓钡晶体 助力实现中红外高灵敏探测
    记者从中国科学院沈阳自动化研究所(以下简称沈阳自动化所)获悉,该所太赫兹研究团队在红外探测领域取得关键技术突破,实现了基于硒镓钡晶体的3—8微米中红外高灵敏探测,对纳秒脉冲的探测灵敏度指标达到国际先进水平。这项技术将为我国在生物、医疗、化工等领域开展前沿科学研究提供强有力的探测工具。相关成果于1月20日刊发在《光学》上。  相对于传统的可见光近红外波段,中红外光与分子之间的共振现象可大幅度提高光谱测量的信噪比,进而实现对物质成分的有效识别。中红外探测技术对于推动生命科学、物性分析等科学探索,以及环保、化工行业、医学诊断等实际应用具有重要意义。当前的中红外探测主要采用热探测和光电探测两种直接探测手段,难以满足科学家们对微量物质的精准检测的需求,探测灵敏度已成为中红外系统的瓶颈问题。  针对当前中红外探测的瓶颈问题,研究团队提出了基于激光频率变换技术的解决方案,设计并搭建了实验系统。研究团队负责人、沈阳自动化所研究员祁峰介绍,该方案的工作原理是将弱中红外信号高效率地转换为近红外信号,近红外光携带了中红外光的信息且易于探测,通过这种间接探测的方式可大幅度提高中红外信号的探测灵敏度。  经过深入分析研究多种晶体的光学特性,科研团队将目标锁定在硒镓钡晶体,该晶体由中国科学院理化技术研究所姚吉勇团队研制。祁峰介绍,硒镓钡晶体通常是作为波源使用,研究人员大胆尝试,将它作为探测系统的一部分,在掌握其光学特性的基础上设计了高性能光参量振荡器,优化了相位匹配条件,解决了弱信号环境下的强背景噪声抑制等问题,从而实现了收发一体的中红外系统。
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