kiwi-kids 2009/03/20
[quote]原文由 [B]hutian02[/B] 发表: 没有太研究过,希望那位大虾详细的解释下。[/quote] 我感觉多数干扰应该是在ICP中形成的,N O 这样的非金属元素在ICP中心通道中电离比例很小,但是ICP的外焰的氩离子数量很多,在传输中发生氩离子与非金属的原子的结合, 形成多原子离子干扰。 但是其它的一些干扰,比如环境样品中的ArNa的干扰,应该是Na离子与Ar原子结合的产物,有可能在更低温度的区域(例如锥口区域等等) 还有一些金属氧化物干扰,一部分是ICP中没有完全电离或者从新结合,还有一部分是在锥口处的二次电离产物。 不知道说的对不对
chauchylan 2009/04/11
看了些[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]书,似乎多原子产生的途径主要有两种, 1 由于等子体与工作线圈存在电容耦合 2 在Skimmer cone 后存在二次放电 这种认识似乎已达成共识.. [em0910][em0910][em0910]
yzyxq 2009/03/24
[quote]原文由 [B]lilongfei14[/B] 发表: 一般认为,多原子离子并不存在于等离子体本身中,而是在离子的引出过程中,由等离子体中的组分与基体或大气中的组分互相作用而形成。[/quote] 我觉得这个讲法是对。 多原子离子的产生本身概率很小,只是产生多原子离子的量比检测水平高很多,所以即使产生的概率很低,产生的量也会对低水平测量产生影响。 [url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]教程往往很强调这类干扰,但事实上,我觉得指示在食品行业,这类干扰并不大,改善前处理,优化参数,一般都可以降低到一个可以忽略的水平。乱用干扰方程往往画蛇添足。
lilongfei14 2009/03/21
一般认为,多原子离子并不存在于等离子体本身中,而是在离子的引出过程中,由等离子体中的组分与基体或大气中的组分互相作用而形成。
wjf318 2009/04/22
[quote]原文由 [B]songshiqiu[/B] 发表: 多原子离子是怎么形成的?? 多原子干扰应该是困惑[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]和大家的难题了? C、H、N、O这几个元素则是元凶了, 请问为什么会形成多原子离子干扰,是因为icp的高温条件使他们 之间发生结合吗??? 另外这几种元素在icp焰里电离了吗?? 希望得到指点!![/quote] 高温使元素电离,但是这个电离是相对的,只是达到一个电离平衡而已,一部分电离的同时,另一部分又重新碰撞结合,一般形成双原子或离子的机会大,三个及以上的机会很少,可以忽略