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【讨论】多原子离子是怎么形成的??

ICP-MS

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  • 多原子离子是怎么形成的??
    多原子干扰应该是困惑ICP-MS和大家的难题了?
    C、H、N、O这几个元素则是元凶了,
    请问为什么会形成多原子离子干扰,是因为icp的高温条件使他们
    之间发生结合吗???
    另外这几种元素在icp焰里电离了吗??

    希望得到指点!!

kiwi-kids 2009/03/20

[quote]原文由 [B]hutian02[/B] 发表: 没有太研究过,希望那位大虾详细的解释下。[/quote] 我感觉多数干扰应该是在ICP中形成的,N O 这样的非金属元素在ICP中心通道中电离比例很小,但是ICP的外焰的氩离子数量很多,在传输中发生氩离子与非金属的原子的结合, 形成多原子离子干扰。 但是其它的一些干扰,比如环境样品中的ArNa的干扰,应该是Na离子与Ar原子结合的产物,有可能在更低温度的区域(例如锥口区域等等) 还有一些金属氧化物干扰,一部分是ICP中没有完全电离或者从新结合,还有一部分是在锥口处的二次电离产物。 不知道说的对不对

chauchylan 2009/04/11

看了些[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]书,似乎多原子产生的途径主要有两种, 1 由于等子体与工作线圈存在电容耦合 2 在Skimmer cone 后存在二次放电 这种认识似乎已达成共识.. [em0910][em0910][em0910]

yzyxq 2009/03/24

[quote]原文由 [B]lilongfei14[/B] 发表: 一般认为,多原子离子并不存在于等离子体本身中,而是在离子的引出过程中,由等离子体中的组分与基体或大气中的组分互相作用而形成。[/quote] 我觉得这个讲法是对。 多原子离子的产生本身概率很小,只是产生多原子离子的量比检测水平高很多,所以即使产生的概率很低,产生的量也会对低水平测量产生影响。 [url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]教程往往很强调这类干扰,但事实上,我觉得指示在食品行业,这类干扰并不大,改善前处理,优化参数,一般都可以降低到一个可以忽略的水平。乱用干扰方程往往画蛇添足。

lilongfei14 2009/03/21

一般认为,多原子离子并不存在于等离子体本身中,而是在离子的引出过程中,由等离子体中的组分与基体或大气中的组分互相作用而形成。

wjf318 2009/04/22

[quote]原文由 [B]songshiqiu[/B] 发表: 多原子离子是怎么形成的?? 多原子干扰应该是困惑[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]和大家的难题了? C、H、N、O这几个元素则是元凶了, 请问为什么会形成多原子离子干扰,是因为icp的高温条件使他们 之间发生结合吗??? 另外这几种元素在icp焰里电离了吗?? 希望得到指点!![/quote] 高温使元素电离,但是这个电离是相对的,只是达到一个电离平衡而已,一部分电离的同时,另一部分又重新碰撞结合,一般形成双原子或离子的机会大,三个及以上的机会很少,可以忽略

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  • 阿峰

    第1楼2009/03/19

    ICP的炬温可以达到6000度以上,这些元素肯定是离子化的了,关键要考虑预先的样品处理。有时基体改进也是一种方法。

    songshiqiu 发表:多原子离子是怎么形成的??
    多原子干扰应该是困惑ICP-MS和大家的难题了?
    C、H、N、O这几个元素则是元凶了,
    请问为什么会形成多原子离子干扰,是因为icp的高温条件使他们
    之间发生结合吗???
    另外这几种元素在icp焰里电离了吗??
    希望得到指点!!

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  • 老多_小多

    第2楼2009/03/19

    我觉得是碰撞形成的

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  • hutian02

    第3楼2009/03/19

    没有太研究过,希望那位大虾详细的解释下。

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  • kiwi-kids

    第4楼2009/03/20

    我感觉多数干扰应该是在ICP中形成的,N O 这样的非金属元素在ICP中心通道中电离比例很小,但是ICP的外焰的氩离子数量很多,在传输中发生氩离子与非金属的原子的结合, 形成多原子离子干扰。

    但是其它的一些干扰,比如环境样品中的ArNa的干扰,应该是Na离子与Ar原子结合的产物,有可能在更低温度的区域(例如锥口区域等等)

    还有一些金属氧化物干扰,一部分是ICP中没有完全电离或者从新结合,还有一部分是在锥口处的二次电离产物。

    不知道说的对不对

    hutian02 发表:没有太研究过,希望那位大虾详细的解释下。

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  • liaoyunan

    第5楼2009/03/20

    这些问题还是比较复杂,我现在也遇到测定铬这问题,不知道是CaC还是ArC干扰,测得铬含量比较高!没有去学习过,还不知道怎么用校正方程去校正!

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  • lilongfei14

    第6楼2009/03/21

    一般认为,多原子离子并不存在于等离子体本身中,而是在离子的引出过程中,由等离子体中的组分与基体或大气中的组分互相作用而形成。

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  • liusy

    第7楼2009/03/22

    干扰的形成,或许与你所选用的介质有关,如HCL对ICP-MS来说就不是什么好的试剂,会引起许多的干扰,以至于干扰方程对其也无可奈何.

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  • yzyxq

    第9楼2009/03/24

    我觉得这个讲法是对。
    多原子离子的产生本身概率很小,只是产生多原子离子的量比检测水平高很多,所以即使产生的概率很低,产生的量也会对低水平测量产生影响。

    ICP-MS教程往往很强调这类干扰,但事实上,我觉得指示在食品行业,这类干扰并不大,改善前处理,优化参数,一般都可以降低到一个可以忽略的水平。乱用干扰方程往往画蛇添足。

    lilongfei14 发表:一般认为,多原子离子并不存在于等离子体本身中,而是在离子的引出过程中,由等离子体中的组分与基体或大气中的组分互相作用而形成。

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  • nan5460

    第10楼2009/03/26

    1.未发生分解的分子发生电离
    2.组分相结合生成新的离子

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  • chauchylan

    第11楼2009/04/11

    看了些ICP-MS书,似乎多原子产生的途径主要有两种,
    1 由于等子体与工作线圈存在电容耦合
    2 在Skimmer cone 后存在二次放电
    这种认识似乎已达成共识..

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