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求教有关晶界的问题

hinicalon

2005/11/19

透射电镜（TEM）

我们做掺杂，怀疑惨杂元素（Al）偏聚到晶界（晶体是B-SiC）上了，掺杂量很低，在0.5%左右，TEM能谱是打不出来的，想在STEM模式下作线扫描，如果是（Al）富集在晶界上的话，局部含量就相对高出很多，应该有可能打出Al来吧？有什么困难吗？另外，在1、2个nm的晶界上，分析成分或结构，有什么有效的办法吗？NBD在操作上能不能实现阿？
另外，各位有没有在作相关的分析晶界元素偏聚的研究的，求教一些经验，或者有哪位能介绍几篇相关的文章的吗？
谢谢了

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第1楼2005/11/19

NBD可能性不大. STEM 下高分辨直接分辨Al 和 Si 可能性也不大,原子系数只差1,基本衬度是不会有变化的.
还是试试EDX 和 EELS的mapping吧.

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第2楼2005/11/19

同意，而且1－2 nm的范围，最好是场发射电镜，束斑能符合要求。
templus 发表:NBD可能性不大. STEM 下高分辨直接分辨Al 和 Si 可能性也不大,原子系数只差1,基本衬度是不会有变化的.
还是试试EDX 和 EELS的mapping吧.

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第3楼2005/11/19

对啊，用场发射枪束斑可以达到零点几个nm，0.5％的含量用EDX可以探测出来
shxie 发表:同意，而且1－2 nm的范围，最好是场发射电镜，束斑能符合要求。

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第4楼2005/11/20

EELS mapping或线扫描可以做出来,不是很难的事情.曾经做过7埃氧化铝层的eels mapping,分的出来.

TEM中的EdX也可以做出来

这两者都要求原子尺度的高亮度电子束斑.

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