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ICP-AES教程之五

ICP光谱

  • ICP—AES的干扰之去溶干扰
    去溶干扰是指气溶胶通过去溶液装置时有一部分分析物质从废液中排出而造成的损失.有以下几方面:
    (1)分析物质和基体的性质对去溶损失有影响.
    (2)不同的盐类溶液,其去溶干扰也不同.有些盐类有很强的吸水性是造成去溶干扰主要原因.水份的干扰有两个方面.一是以经冷凝后残留的水量以饱和蒸气压的形态:一种是以吸附在盐粒上的吸附水.由于气溶胶中水量的变化会引起ICP激发条件的变化.有人计算过,当载气以1.3L/min的流速通过ICP时,从15℃(288K)加热至6000K,载气氩所消耗的功为107W.而15℃载气中所有的水量为0.013g/L,这部分水加热至6000K所消耗的功为20W,约占总功的20%,若加上吸附水则更大.所以由于水份的变化将使温度和谱线强度变化.
    (3)支溶干扰同温度有关,当盐的熔点(或沸点)同去深温度相差不大时,去溶干扰较大.
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    +关注 私聊

  • 第2楼2004/04/09

    bluescorpio 有事您说话。

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  • 第3楼2004/07/17

    谢了，偶不太常来，所以回的有点晚了

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  • 第4楼2004/07/18

    有空来坐坐就可以了。

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  • 第5楼2005/06/16

    建议版主用PDF格式，非常感谢！

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