annelugel 2006/05/29
SEM一般有二次电子像和背散射像,二次电子一般来自样品表面的5-10nm的区域,能量为50eV,二次电子产额随原子序数的变化不大,它主要取决于表面形貌。X射线一般在试样的500nm-5mm深处发出。
奔跑的蜗牛 2006/05/30
对不同的样品成分,SEM和XRD探测的深度都是不一样的,在不同的操作条件下,SEM的探测深度也是不一样的。SEM侧重于形貌,XRD侧重于结构信息,象晶面间距等。
cool_blood520 2006/05/30
XRD样品的结构信息来自整个樣品内部和表面,一般大於1000nm,而SEM 探测的仅仅是薄膜表面的结构信息0~10nm(視加速電壓和樣品密度而言)。EDS 探测的微观结构信息多于SEM 直接观察的结果是樣品表面到樣品內部1000nm左右處的樣品元素組成信息. [img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/05/200605311241_19359_1684752_3.jpg[/img]
cxlruzhou
第2楼2006/05/29
非常感谢!
依此看来,xrd 得到的关于薄膜样品的结构信息来自整个薄膜内部和表面(这里指常规的out-of-plane XRD- 扫描方式, 而不是小角衍射等扫描方式),而SEM 探测的仅仅是薄膜表面的结构信息(微观结构外在表观的形貌特征)。XRD 探测的微观结构信息多于SEM 直接观察的结果。这种看法妥当么?
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