喵喵咪
第8楼2015/01/30
以sim举例吧
你设置sim参数的时候,有个dwell(驻留时间),单位ms,就是目标离子的扫描时间,然后上面还有个参数是cycle x.xx/s,就是每秒扫描多少次
不考虑四级杆改变电压等时间,假设你设置扫描5个离子(比如m/z=50,100,150,200,250吧),每个离子的驻留时间是100ms,那么扫完这5个离子需要500ms,一秒就是扫两次(cycle=2/s)
那么TIC图上每秒就会有两个扫描点,t=x的时候实质上是包含了x~x+0.5s这个时间段里面扫描的离子。其中x~x+0.1s是m/z=250的离子的总和的信号,x+0.1~x+0.2s是m/z=200,如此类推。x+0.5~x+1s又是另一个循环,x+0.5~x+0.6又是m/z=250
需要注意的是,dwell时间越长,灵敏度越高(同一个离子打的时间越长,自然量越大),但dwell时间过长&每次扫描的离子数过多,cycle数量就越低,导致TIC图不平滑,分离度不好。
再次说明上述没有考虑四级杆改变电压需要的时间。
scan模式可以理解成从最高质量(比如550)到最低质量(50),每隔m/z=1都扫一个离子,就是扫500个离子,每个离子给很短很短的驻留时间。
TIC图是一个扫描周期内质谱图上所有m/z的离子的响应值的简单加和,还是以上述sim 5个离子的看,加入t=x的这个点,5个离子的响应值都是10000,那么在TIC图上显示就是50000