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单四级杆离子源内部部分组件作用

别黄昏

2017/11/30

气质联用（GCMS）

1.离子源结构
a.电离室：永久磁铁、灯丝’靶
b.透镜：推斥极、拉出极、离子聚焦、入口透镜

2.MS需要真空
a.提供足够的平均自由程
b.提供无碰撞的离子轨道
c.减少离子-分子反应
d.减少背景干扰
e.延长灯丝寿命
f.消除放点反应
g.增加灵敏度

3.调谐需要做：
a.设定离子源部件的电压以得到良好的灵敏度（推斥极电压、离子聚焦电压、入口透镜电压’）
b.设定amu gain/offset 原子质量单位的增益/补偿以得到正确的峰宽
c.设定mass gain/offset 质量轴增益/补偿以保证正确的质量分配
d.设定EM 电压以得到较好的灵敏度（电子倍增器）
e.合适的离子源温度，改善后流出成分峰形，降低高沸点成分在离子源上的残留。

4. 灯丝：通常为70EV 提供电子束能量
推斥极：0-42.7volts(伏特）推离子出离子源
拉出极：不施加电压孔径入口
离子聚焦：0-242.0 volts 相对丰度
入口透镜：0-128mv/amu 相对丰度
入口透镜补偿：0-127.5 volts 相对丰度
AMU gain : 0-4095 （斜率）影响峰宽/分辨率，灵敏度
AMU offset 0-255 （截距）影响峰宽/分辨率，灵敏度
HED -10，000 volts 将离子转化为电子
EM电子倍增器 0-3000 volts 灵敏度
MASS AXIS gain ±2047 质量分配
MASS AXIS offset ±499 质量分配影响质量轴

5.自动调谐报告
a.相近的峰宽
b.平滑对称的峰形
c.合适的丰度值
d.适当的EM电压
e.低的水和空气
f.典型的相对丰度
g.正确的质量分配
h.合适的同位素比例
6.标准谱图调谐报告
a.质量数的峰宽
b.平滑对称的峰形
c.适当的丰度值
d.合适的EM电压
e.低的水峰和空气峰
f.合适的相对丰度（区别）
g.正确的质量分配
h.合适的同位素比例

7.推斥极-可使离子加速离开离子源室，然后转移到透镜，如果推斥极电压过低离开离子源的离子太少，就会导致灵敏度降低，高质量响应欠佳，推斥极电压过高，则太多离子会以很高的速度离开离子源，导致产生碎片，并形成前级离子，导致低质量响应欠佳。

8.拉出极-拉出极作为“负电位”接地（不可调整）此板可将阳离子从离子源室抽到透镜堆中，拉出板是标准、惰性和CI离子源透镜堆中的是一个元件。

9.拉出透镜-此透镜位于离子源透镜堆中，是一个带负电位的可调透镜，可替换标准和惰性离子源中的静态接地拉出极，从而改变灵敏度。

10.离子聚焦透镜-是一个带负电位的电极，可与其他两个透镜共同“聚焦”，从离子源出来的离子束，调整不好会导致高质量响应欠佳。

11.入口透镜-为深入四级杆入口处，可使四级杆边缘效应最小化，在允许范围内，上限设置入口透镜电压可增加高质量离子丰度，减小低质量离子丰度。

12.四级杆-AMU 增益和补偿是四级杆参数，允许具有特定质荷比m/z的离子稳定通过四级杆质量过滤器，从而获得单位质量调谐离子，这些离子在半峰高出的峰宽为0.5AMU.

13.检测器-高能打拿极 HED 在10000v条件下操作，可吸引从四级杆出来的带正电荷的离子，离开四级杆的离子束，必须旋转90°才能到达HED，这可防止X射线和光子影响离子计数，当离子束撞击HED将产生电子，被吸引到带更少的电负性的EM.

14.EM .-电子倍增器将信号输出放大
其电压设置为0-3000v，并通过增加信号输出来影响灵敏度。

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senke

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