半导体行业，单晶硅片表面如果磷元素含量过高，会对下游IC带来哪些影响？

应助达人

这个找个商业的咨询公司给做个调查报告吧

这儿是分析检测版面，你问的这些是“肉食者鄙”操心的。
大家别回复，这人在套话

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你这人好奇怪，我只是一名做单晶硅片的实验室人员，想了解下环境Ph对下游有什么影响，哪儿来的套话的说法？莫名其妙的

当我没问吧，简单问个问题，不知道有些人为什么要曲解，真是好笑

这个有统计和概率在里面，一般人很难说出这而这者的关联性。需要大量数据分析才能得出，即使半导体行业多年经验的人也不一定能说清楚，而且造成IC的缺陷数因子有很多，谁能说清楚P杂质参杂就是哪个缺陷的原因。我觉得发现和改善问题最重要，为什么高了，是生产过程中哪个地方出了问题，怎么解决。或是测试方法有没有问题，如何控制测试过程中的质谱干水平扰降到最低，仪器相关参数设置是否合理。我觉得这些是最重要的。

应助工程师

只知道其中一方面，但也只是很表面的知道：P是VA元素，作为授主，如果含量过高，有可能会影响PN型，后面如果掺杂什么的，掺杂物可能会不好控制——来自以前光伏的经验，不一定能适用在wafer里面

再整理下：

硅料、硅片做得纯度这么高，可能就是获得一个很“干净”的基底，然后后续的工艺，如果想把它做成P型或者N型，只要计算好掺杂量，再控制注入即可。但如果基底本身就不够“干净”，那么掺入的量就得好好计算了，极端一点如果每张硅片的基底中P/N型元素含量都不一样的话，那每张硅片在工艺进行之前都需要先测试下相应的元素，然后再下一步，那这还怎么搞

这个论坛里，绝大多数都没有半导体经验。你真想问，也应该专门去咨询做半导体失效分析的人员

感谢光哥的回复，感觉光哥提到的方向的确有逻辑，我也有想过，在片子没到客户手里，表面P含量高的话，会不会扩散到片子内部，影响到片子的电阻率。再者就是下游客户使用基板进行“盖楼”，“地基”如果有问题，盖的楼也会出问题，例如PN结失效，或者其他的问题，没有搜到相关的案例

感谢回复，的确量测监控部分很重要，量测P的方法有建置，干扰也有效去除了，只是单纯好奇P对下游的影响这个问题，看来这是个大问题，可能不同客户的不同应用，带来的影响也不尽相同