【讨论】关于TEM成像方式的疑问

明场像和暗场像都是单束成像，也就是说在成像时用一个小的物镜光阑挡住其他束，只让一个透射束或衍射束通过。
高分辨像是多束干涉成像，成像时要加一个大的物镜光阑（也可以不加）。在实际操作中，要得到高分辨像必须要倾转晶体使入射电子束方向平行于晶体的某个晶带轴。
高分辨像成像技术的关键技术有以下几个：
1.电镜准确合轴；2.电压中心对中；3.物镜消像散；4.得到正带轴电子衍射花样
做到了这四点，做高分辨就很简单。
你看一下下面的帖子，可能对你理解电镜里的几种成像衬度有帮助。
TEM中的三种衬度
http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20051115/276306/

看了Ustb老兄的介绍我才明白，原来我们做的负载型金属催化剂的TEM像实际上仅仅是高倍数的明场像而已啊，不是原来我们想当然认为的高分辨像。
还有一个小问题，对于并不是很好晶体的样品，比方说氧化铝载体负载的Mo催化剂，是不是即使倾斜样品也无法获得高分辨像，因为根本没有什么所谓的晶带轴供选取。

对于负载型催化剂，如果负载颗粒的尺寸比较大（50nm以上）可以倾转晶体，如果尺寸比较小（几个或者十几个纳米）就只能靠碰了。

接着问Ustb老兄，比如我们图中的氧化铝载体上的MoS2片晶，只有几个nm左右的尺寸和一定的堆积层数，我们如果想做高分辨像只能先选定某一个区域的片晶才能采用一定的操作来获得高分辨像呢？
PS：这个您看是不是就是普通的明场像？这就是几年前在北科大的2010上面做的。

感觉有点晶格条纹出来了