型号: | laser MBE |
产地: | 美国 |
品牌: | |
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美国SVT Laser MBE
Laser MBE具备PLD和传统MBE的特性,可对薄膜的生长速率进行精确(原子层级别)控制。通过在MBE系统上增加激光烧蚀工艺,系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等。SVT有18年的MBE设备制造经验,我们擅于通过原位的监控测量仪器来提高薄膜生长的质量。其中原位测量仪器包括:温度测量、厚度测量、RHEED、束流监控等。如果您想了解更多这方面的信息,请联系我们。
应用:
可用于研究氧化物半导体, 高温超导材料,光学晶体,电光学薄膜,铁电以及铁磁材料等。
标准性能:
超高真空(本底压强<1E-10 Torr);
多种生长模式的源集成,包括:
RF等离子体
蒸发源
电子束蒸发
臭氧传送系统
先进的原位监控仪(可选)
原子吸收束流监控仪
RHEED
温度以及厚度监控仪
6个可旋转PLD靶
高功率准分子激光器
提供合适的泵抽组合
多种腔室配置以满足您的需求
培训以及服务支持
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