美国SVT激光分子束外延设备/LMBE/Laser MBE

美国SVT激光分子束外延设备/LMBE/Laser MBE

报价:面议
型号: SVTA-LMBE
产地: 美国
品牌: SVT Associates
评分:
美国SVTA公司中国办事处
银牌会员18年
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产品详情
简介
Laser MBE是一种集成了脉冲激光沉积(PLD)和分子束外延(MBE)技术的设备,用于在原子层级别上精确控制薄膜生长速率。该设备适用于各种材料,包括高熔点陶瓷和多元素固体材料,并配备了温度测量仪、厚度测量仪、反射式高能电子衍射(RHEED)和束流监控仪等多种在线监控工具。SVT拥有20年MBE设备制造经验,能够提升薄膜质量。其标准功能包括超高真空环境、多种类型的源、高级在线监控选项、六个可旋转的PLD靶以及高功率准分子激光器等。设备广泛应用于氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料等领域。

       

      



       Laser MBE具备PLD和传统MBE的特,对薄膜的生长速率进行精确(原子层级别)控制。设备特点是MBE系统上增加激光烧蚀工艺,系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等各种材料SVT20年的MBE设备制造经验,我们擅于通过在线监控薄膜生长来提高薄膜质量。所采用的在线监控仪器包括:温度测量、厚度测量RHEED、束流监控等。如果您想了解更多这方面的信息,请联系我们。

 

应用

    氧化物半导体高温超导材料光学晶体材料、电光学薄膜铁电以及铁磁材料等


标准性能

 超高真空(本底压强<1E-10 Torr

 集成多种类型源,包括:

- RF等离子体源

- 热蒸发源

- 电子束蒸发源

- 臭氧传送系统

 先进的在线监控仪(可选)

- 原子吸收束流监控仪

- RHEED

- 温度以及厚度测量仪

 6个可旋转PLD

 高功率准分子激光器

 提供合适的泵抽组合

 多种腔室配置以满足您的需求

 培训以及服务支持

 

 


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