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美国SVT Laser MBE
Laser MBE具备PLD和传统MBE的特性，可对薄膜的生长速率进行精确（原子层级别）控制。通过在MBE系统上增加激光烧蚀工艺，系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等。SVT有18年的MBE设备制造经验，我们擅于通过原位的监控测量仪器来提高薄膜生长的质量。其中原位测量仪器包括：温度测量、厚度测量、RHEED、束流监控等。如果您想了解更多这方面的信息，请联系我们。
应用：
可用于研究氧化物半导体， 高温超导材料，光学晶体，电光学薄膜，铁电以及铁磁材料等。
标准性能：
超高真空（本底压强<1E-10 Torr）；
多种生长模式的源集成，包括：
RF等离子体
蒸发源
电子束蒸发
臭氧传送系统
先进的原位监控仪（可选）
原子吸收束流监控仪
RHEED
温度以及厚度监控仪
6个可旋转PLD靶
高功率准分子激光器
提供合适的泵抽组合
多种腔室配置以满足您的需求
培训以及服务支持
脉冲激光分子束外延设备/Laser MBE信息由美国SVTA公司中国办事处为您提供，如您想了解更多关于脉冲激光分子束外延设备/Laser MBE报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。
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