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XENOS Nano Pattern Gernerator，可以使实验室现有扫描电镜，FIB或双束系统升级为高速（10MHZ 或 40MHZ）纳米图形发生装置可广泛应用到半导体领域，光电子技术，微机电系统的研发和微器件的制作。
NanoPattern图形发生器可以附加在扫描电镜/FIB上来控制电子束/离子束在衬底上直接制作微纳米图形，而不像普通光刻机需要先制作掩膜，并且有更高的分辨率和灵活性，又比专用的电子束光刻机经济，已经日渐成为纳米相关的科研中强有力的工具。
Writing Speed: up to 10 M pixels/s Best in class!
NanoPattern图形发生器可以附加在扫描电镜/FIB上来控制电子束/离子束在衬底上直接制作微纳米图形，而不像普通光刻机需要先制作掩膜，并且有更高的分辨率和灵活性，又比专用的电子束光刻机经济，已经日渐成为纳米相关的科研中强有力的工具。
KEY HARDWARE SPECIFICATIONS:
Writing Speed: up to 10 M pixels/s Best in class!
Resolution: 16 Bit, writing field size of 50000 x 50000 pixels Best in class!
Implemented Shapes: dot, single pixel line, rectangular primitives (spiral or meander fill), trapezoidals, triangles, parallelograms, arrays, 3rd order polynomials, circles, rings or ring segments import of image files (*.bmp, *.jpg ...), GDS II and AutoCad/ Autosketch *.dxf
Writing Clock: 10 MHz with <2ns dwell time control Best in class!
Digital Full Bandwidth Field Correction: scaling, rotation, orthogonality, shift and trapezoidal correction
Mark Detection Input: analog input for image detector output (adjustable gain and offset) with 12 Bit sampling, single line scan, selected area or full frame
Deflection Outputs: Analog outputs up to +/- 10 V Best in class!
Blanker Output: TTL output with adjustable polarity or optional fiber optics output
电镜纳米图形发生器(电子束光刻）信息由溢鑫科创科技集团为您提供，如您想了解更多关于电镜纳米图形发生器(电子束光刻）报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。
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