Picosun等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统
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Picosun等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统 PICOPLASMA
Picosun公司新型PICOPLASMA™等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统是基于先进的自由离子远程等离子源设计的，其性能已经得到世界范围内的诸多ding 级研究团队的肯定。多种激发源（如氧、氢和氮等）配置能够zui大化拓展ALD的工艺范围，尤其是低温沉积金属和金属氮化物薄膜。由于远程等离子源所产生的等离子体束流中离子的含量低，因此即使是zui敏感的衬底，也不会出现等离子损伤，而等离子束流中含有高浓度的活性粒子，保证很快的生长速度。
PICOPLASMA™源系统既可以安装在现有的PICOSUNTM ALD反应器上，也可以将整个PEALD组装为yi个整体。它具有占地面积小、易维护和低运行成本等优点。通过预真空系统，PICOPLASMA™集成在PICOPLATFORM™集群系统中后可实现自动化操作。
PICOPLASMA™ 远程等离子体系统技术参数
· 对衬底无等离子损伤
· 导电材料不会产生短路现象
· 无前驱源背扩散→ 等离子发生器无薄膜形成
· 等离子体点火期间无压力振荡→ 无颗粒形成
· 等离子体源与衬底之间无闸门阀→ 无颗粒形成
· 等离子体源材料无刻蚀→ 金属和氧化物薄膜低杂质
· 简单和快速服务并通过维护舱口改变腔室
· 无硬件修改使热ALD和等离子ALD工艺在同yi沉积腔室中进行成为可能
应用领域
部分PEALD材料的薄膜均匀性的例子，采用PICOSUN™设备沉积。晶圆尺寸150/200 mm(6/8”) | |
材料 | 非均匀性(1σ) |
AI2O3 | 0.50% |
AlN | 0.62% |
In2O3 | 0.87% |
SiO2 (low-T) | 1.10% |
SiN (low-T) | 1.58% |
TiN | 2.16% |
ZnO | 2.64% |
TiAlN | 2.87% |
1年
是
有
技术人员现场培训
2个月1次
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