应用领域广泛,如微纳器件加工,Si/GaAs 兼容工艺,研究用掩膜制造,纳米加工(例如单电子器件、量子器件制作等),高频电子器件中的混合光刻(Mix & Match),图形线宽和图形位移测量等。
技术参数:
加速电压:最高 130keV
单段加速能力达到 130keV,尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度,无微放电
电子束直径<1.6nm 最小线宽<7nm
双热控制,实现超稳定直写能力
光束直径:<1.6nm①
最小线宽:7 nm(在130kV时)
加速电压:130 kV,110 kV或90 kV
载物台尺寸:8英寸晶圆(可以使用少于8英寸晶圆的任何其他晶圆)
1年
是
有
技术人员现场培训
2个月1次
软件免费重装,硬件维修
24小时到达
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