1. 产品概述
iTops PVD AlN 溅射系统,采用托盘形式,可兼容 2/4/6 英寸。
2. 设备用途/原理
iTops PVD AlN 溅射系统,采用托盘形式,可兼容 2/4/6 英寸,工艺温度在 0~700℃之间。占地面积小,结构简单,操作灵活,维修方便,设备稳定,运营成本低。
3. 设备特点
晶圆尺寸 2/4/6 英寸兼容。适用材料氮化铝。适用工艺氮化铝缓冲层溅射。适用域化合物半导体。百科:半导体溅射系统的原理主要是利用高能离子撞击靶材,使靶材的原子或分子从表面逸出,并沉积在半导体基片上,形成一层薄膜。溅射技术可以分为多种类型,包括直流溅射、交流溅射、反应溅射和磁控溅射等,不同类型的溅射技术适用于不同的应用场景。例如,直流溅射适用于导电材料的镀膜,而交流溅射则适用于导电性较差的材料。反应溅射可以在溅射过程中引入反应气体,以形成特定的化合物薄膜。磁控溅射则通过加入磁场来控制电子的运动路径,提高溅射效率和薄膜质量。
60天
1年
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