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1 产品概述：
碳化硅沉积系统是一种专门用于生产碳化硅（SiC）材料的设备，它采用化学气相沉积（CVD）或其他相关技术，在特定条件下将碳和硅元素以气态形式引入反应室，并通过化学反应在基底上沉积形成碳化硅薄膜或晶体。该系统在半导体、光伏、新能源汽车等行业中具有广泛应用，是制备高性能碳化硅器件的关键设备之一。
2 设备用途：
半导体行业：用于制备碳化硅基功率器件，如MOSFET、肖特基二极管等，这些器件在电动汽车、光伏逆变器、轨道交通等领域具有重要应用。
光伏行业：在光伏逆变器中使用碳化硅功率器件可以提高太阳能转化效率，降低系统成本。
新能源汽车：碳化硅功率器件在电动汽车的电机控制器、电池管理系统等关键部件中发挥着重要作用，有助于提高车辆性能、降低能耗。
3. 设备特点
化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：
高精度与均匀性：
碳化硅沉积系统能够实现高精度的沉积控制，确保薄膜或晶体的厚度、成分和结构的均匀性。
这对于提高器件的性能和可靠性至关重要。
多功能性：
系统支持多种沉积方法和工艺参数调整，以满足不同材料和器件的制备需求。
可以制备出具有不同电阻率、热导率等特性的碳化硅材料。
高温与稳定性：
碳化硅沉积过程通常需要在高温条件下进行，系统需要具备稳定的高温控制能力和良好的热传导性能。
高温环境有助于促进化学反应的进行和碳化硅晶体的生长。
4 设备参数：
· 运行 4 个系统，用于 150/200 mm SiC 工艺开发
· 由德国弗劳恩霍夫研究所（Fraunhofer Institute）提供支持的全面材料表征能力
· 通过碳化硅工艺演示/开发和培训为客户提供支持
· 150 mm 和 200 mm – 支持双晶圆尺寸 – 为您的未来投资提供保障
· 市场上高的晶圆产量 / m2
60天
1年
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