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1. 产品概述：
高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的薄膜制备设备，它结合了化学气相沉积（CVD）与等离子体技术的优势。该系统在高真空环境下，通过射频、微波等手段激发气体形成等离子体，使气体分子高度活化并促进其在衬底表面发生化学反应，从而沉积出高质量的薄膜。PECVD系统广泛应用于半导体、光伏、平板显示、储能材料等领域，用于制备多种功能薄膜。
2 设备用途/原理：
半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层、栅极绝缘层等，提高器件性能。
光伏产业：制备太阳能电池板中的透明导电膜（TCO）、减反射膜等，提升光电转换效率。
平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）显示屏中制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等。
储能材料：制备锂离子电池、超级电容器等储能器件中的电极材料，提高能量密度和循环稳定性。
3. 设备特点
1 高真空环境：确保沉积过程的纯净度和薄膜质量，减少杂质污染。
2 等离子体增强：提高气体分子的活化能，降低反应温度，促进化学反应速率，有利于制备高质量薄膜。
3 薄膜均匀性：通过优化气体流动和等离子体分布，实现薄膜厚度的均匀控制。
4 灵活性高：可根据需要调整沉积参数（如气体种类、流量、压力、温度等），制备不同成分和结构的薄膜。
5 自动化程度高：集成先进的控制系统和监测设备，实现自动化操作和实时监控，提高生产效率和产品质量。
4 设备参数
真空室尺寸:φ400x300mm
限真空度:≤6.67E-5Pa
沉积源:设计待定
样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高600℃
占地面积（长x宽x高）:约2.6米x1.6米x1.8米
电控描述:全自动
工艺:设计待定
特色参数:设计待定
60天
1年
安装调试现场免费培训
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