1. 系统特性
Herent® Chimera® M 金属刻蚀设备是面向12英寸集成电路制造的量产型设备
设备由电感耦合等离子体刻蚀腔(ICP etch chamber)、去胶腔(strip chamber)、传输模块(transfer module)构成
适用于0.18微米及其他技术代逻辑应用中的高密度铝导线工艺,以及铝垫刻蚀
2. 详细介绍
Herent® Chimera® M 金属刻蚀设备,为针对12英寸IC产业0.18微米以下后道高密度铝导线互连工艺所开发的用产品, 同时也可应用于铝垫(Al pad)刻蚀。该设备承袭了 Chimera® A 的先进设计理念,具有出色的均匀性调控手段, 可以为客户提供高性价比的解决方案
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