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电容耦合等离子体刻蚀（CCP）设备
1. 产品概述：
CCP腔室适用于制造微纳结构的等离子刻蚀技术。在反应离子刻蚀过程中，等离子体中会包含大量的活性粒子，与表面原子产生化学反应，生成可挥发产物后，随真空抽气系统排出。鲁汶仪器的 Haasrode® Avior® A 在性价比和空间利用率上优点突出，可提供各种不同材料的刻蚀解决方案。
单腔室电容耦合等离子体（CCP）机适用于光刻胶残胶去除（打底膜）、介质刻蚀等工艺可用于6英寸及以下晶圆
2. 系统特性
单腔室电容耦合等离子体（CCP）机台
适用于光刻胶残胶去除（打底膜）、介质刻蚀等工艺
可用于6英寸及以下晶圆
售后服务
60天
1年
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