非破坏

ATAGO提供可靠的光学和红外测试解决方案，应用覆盖食品，饮料，制药，化工及其他多种工业领域。如下是ATAGO无损非破坏（红外）糖度计的产品知识： Q：可测量哪种水果？A：苹果。未来规划（梨，番茄，桃子等等） Q：果皮颜色会影响测量结果吗？（红/绿苹果）A：不受颜色影响。 Q：水果生长过程中可以评定成熟度？A：可对水果进行全程种植监测。直接把仪器样品台贴合树上果实表面即可测出糖度，无需采摘。 Q：可否测量有关苹果加工类产品的糖度？A：可对水果进行全程种植监测。直接把仪器样品台贴合树上果实表面即可测出糖度，无需采摘。 Q：测量前需要对水果作哪些准备工作？A：无需切开果实，无需掰开，无需榨汁。 Q：可否测量有关苹果加工类产品的糖度？A：包装类产品可使用便携式糖度计PAL-O或者便携式糖酸一体机，详情可与ATAGO中国分公司联系。 Q：测量同一个果实出现不同数值？A：苹果糖度取决于日照时间和日照面积等因素，糖度读数只针对苹果与样品台接触面的数值。 Q：水果温度会影响测量吗？A：先让无损非破坏（红外）糖度计对水果温度适应片刻后方可测量。把仪器和水果放置在同一地方让其对周围环境温度适应片刻后方可测量。

往往在现实生活中很多不可能的事，如今上海衡翼精密仪器限公司就做到了，上海衡翼打破了金属破坏性能的力学试验，在过去做力学试验时，只有把样品破坏以后才能分析出材料的力学性能，浪费了很多材料，给企业、国家带来巨大的经济损失。根据现状，上海衡翼精密仪器有限公司研发了一款新型的非破坏金属材料力学性能试验机。 非破坏金属材料力学性能试验机的特点是：在不损坏材料、样品的情况下，就能测出材料、样品的力学性能，为企业节省了大量材料、样品，从而给企业带来了巨大的经济收入。 衡翼非破坏金属材料力学性能试验机顺利交付到上海交通大学实验室，并安装调试完毕，并且得到了饶教授的赞赏！现在已有很多大学、科研单位陆续来我司咨询并订购。 非破坏金属材料力学性能试验机的主要技术指标： A.采用直接加压方式，电机轴与加压头同轴设计 B.位移传感器采用高精度位移传感器，量程约10毫米，测量误差小于正负1微米。位移传感器偏心安装装在刚性良好的下板上，与电机轴偏心小于50毫米，在加、卸载过程中，直接与被测表面接触，监测压头的位移情况。 C.采用双磁吸式底座，单侧磁吸的吸力大于30kg. D.加载方式可以采用载荷—时间控制或位移-时间控制，可以设置单次循环加卸载，也可以设置多次循环加载-卸载。加卸载过程中的载荷—位移数据以excel格式存储于电脑中，可以由其他软件读取。

以碳化硅（SiC）基板为基础的高功率及高频元件的需求随着电动车、资料中心与高频通讯市场的成长出现供不应求的状况。其中SiC基板质量决定下游元件的可靠度及性能优劣，但SiC长晶速度较慢，且目前关键的晶体缺陷只能以破坏性的KOH蚀刻方式进行抽样检测，使得SiC芯片制程成本居高不下。因此，基板厂与元件厂若能在制程中对材料做全面非破坏性检测，不仅可及早发现问题，进而有效改善制程、提升良率，进而在化合物半导体市场中展现绝佳竞争优势。现行的破坏性检测方式除了造成巨额的成本消耗之外，也无法提供足够的信息对整个制程进行完整的研究与追踪。而近来的文献显示现有的光学检测技术虽然可以准确地找出表面的缺陷（Ref.1），然而对找出晶圆内部的晶体缺陷依然力有未逮。因此，蔚华科技携手南方科技推出非破坏性的SiC缺陷检测系统，首创将非线性光学技术导入半导体检测领域，可对全片基板表面到特定深度进行扫描，反应晶体结构信息，提供晶体缺陷密度及其分布状况，让客户有效掌握基板质量，未来生产出的元件质量与效能也能更加稳定。通过非线性光学影像与AI影像辨识结合（Ref.2），更能辨识晶圆内部的致命性晶体缺陷，除了能够节省巨额的成本支出，并且提高产出之外，更能对基板的质量控制做出完整的追踪与回溯。有别于目前市场上的光学技术仅能检测表面的非晶体缺陷，南方科技针对市场需求推出了JadeSiC-NK （型号 SP3055），专注在稳定且有效地找出基板中关键的晶体缺陷（Micropipe, BPD, TSD, Stacking fault），相较现行将SiC晶锭切片后取上下二片基板进行检测的KOH蚀刻方式，可大幅节省检测时间与基板成本。以每个长晶炉每月产出四个晶锭为例，采用JadeSiC-NK后，每个晶锭可省下二片基板成本（每片6英寸基板以800美元计），因此可推估一个长晶炉每年可省下新台币250万元，若是具有100个长晶炉的基板厂，一年即可省下新台币2.5亿元。此外，JadeSiC-NK也可针对同一个晶锭进行100%的晶圆检查，进行详细的晶锭分析和批次追踨分析，协助客户在高技术门槛的化合物半导体市场加速制程及产量优化。Ref1: Chen, PC., Miao, WC., Ahmed, T. and Kuo, HC, Defect Inspection Techniques in SiC.Nanoscale Res Lett17, 30 （2022）. https://doi.org/10.1186/s11671-022-03672-w, https://link.springer.com/article/10.1186/s11671-022-03672-wRef2: Kuo, HC, Huang, C , 乐达科技 NYCU 产学计划 report （2023）图一：（上）JadeSiC-NK以非破坏性方式检测出的BPD缺陷分布（下）相同晶圆以KOH破坏性蚀刻方式检测出的BPD缺陷分布图二：（左） JadeSiC-NK以非破坏性方式检测出的TSD缺陷分布（右）相同晶圆以KOH破坏性蚀刻方式检测出的TSD缺陷分布