【求助】测高纯二氧化硅（5个9）中的P、Ｂ那家的ＩＣＰ－ＭＳ好啊？

二氧化硅是用ＨＦ溶解的．

硅基体中的B、P我们也在做，B还行，P不好做，我们用的7500CS

我们的PE的elan 9000

涉足不深，还不清楚，什么叫可以做什么叫不可以做，只知道拉曲线都可以，仪器方法检测限曾经硼做到2ppt，磷做到40ppt，不知道可不可能啊。用的是7500cs

ICP-MS每家的设备都是一样，与测定元素无关，主要是设备的精密度，比如ICP，那家的测定元素范围都是一样的。

我们已经购买了PE的ELAN DRCII，主要测的也是高纯硅中的B和P。还没开始培训，不知道这个设备究竟怎么样呢

当然是7500cs好咯，人家是专门做这个的，据我所知我们行业里很多家都是用这个7500cs产品的。呵呵～

2%的硅基体还是很高的，即便使用微量雾化器，基体效应还是非常强
最好还是保证500倍左右的稀释倍数最好

B比较容易测，一般的实验室条件（非超净），空白都可以做到0.1ppb以下，在这个浓度上或低上几倍定量更是没有问题了。

P是非常难做的元素，有的用户直接测定，有些采用氦气碰撞池，有些采用氧气做，总体来看检出限都很差，在P的分析中，更应该观察空白水平，空白低，线性才能做的更低些。从空白水平上看，应该是氧气<氦气<常规模式。
但是由于P的主要干扰来自NOH等干扰，这些干扰在不同仪器上水平并不完全一致，氧气模式比较有效，但是操作麻烦，并且只能应用少数几个元素，氦气模式大大降低了轻元素灵敏度，实际效果也不很理想。

确实，2%的基体浓度偏高了，看了一篇文献，用2000ppm的基体，做的金属杂质。