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【求助】EDS能打到分子表面多深?

扫描电镜(SEM/EDS)

  • 几微米?与分子表面层的反应深度比较哪个更深?
    另外原子比例是所打点以及所扫描平面内的原子数还是平均后的?谢谢
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  • 德国工兵

    第1楼2009/03/11

    看不同的样品以及加速电压的,有蒙特卡洛模拟软件的,网上搜一个模拟一下,电子和样品只是发生物理作用,没有化学反应。
    出来的重量百分比是所激发区域的平均值。

    daxu 发表:几微米?与分子表面层的反应深度比较哪个更深?
    另外原子比例是所打点以及所扫描平面内的原子数还是平均后的?谢谢

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  • fengyonghe

    第3楼2009/03/28

    可用下式计算:
    公式 Zm=0.033(V01.7-VK1.7)A/ρz

    Zm: 电子束激发深度(μm)
    V0 : 激发电压(仪器用的高压)千伏
    VK: 吸收边 ( 临界激发电压) 千伏
    A: 原子量
    ρ : 密度 克/厘米3
    Z : 原子序数

    daxu 发表:几微米?与分子表面层的反应深度比较哪个更深?
    另外原子比例是所打点以及所扫描平面内的原子数还是平均后的?谢谢

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  • RoadCH

    第4楼2009/04/02

    tao______ 发表:看不同的样品以及加速电压的,有蒙特卡洛模拟软件的,网上搜一个模拟一下,电子和样品只是发生物理作用,没有化学反应。
    出来的重量百分比是所激发区域的平均值。

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  • refractories

    第5楼2009/04/03

    fengyonghe 发表:可用下式计算:
    公式 Zm=0.033(V01.7-VK1.7)A/ρz

    Zm: 电子束激发深度(μm)
    V0 : 激发电压(仪器用的高压)千伏
    VK: 吸收边 ( 临界激发电压) 千伏
    A: 原子量
    ρ : 密度 克/厘米3
    Z : 原子序数

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  • refractories

    第6楼2009/04/03

    fengyonghe 发表:可用下式计算:
    公式 Zm=0.033(V01.7-VK1.7)A/ρz

    Zm: 电子束激发深度(μm)
    V0 : 激发电压(仪器用的高压)千伏
    VK: 吸收边 ( 临界激发电压) 千伏
    A: 原子量
    ρ : 密度 克/厘米3
    Z : 原子序数

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  • refractories

    第7楼2009/04/03

    fengyonghe 发表:可用下式计算:
    公式 Zm=0.033(V01.7-VK1.7)A/ρz

    Zm: 电子束激发深度(μm)
    V0 : 激发电压(仪器用的高压)千伏
    VK: 吸收边 ( 临界激发电压) 千伏
    A: 原子量
    ρ : 密度 克/厘米3
    Z : 原子序数

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  • refractories

    第8楼2009/04/03

    对不起,公式做的有点不对,多发了两次!

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  • fengyonghe

    第9楼2009/04/03

    你的这个公式无疑是更加完美的。

    refractories 发表:对不起,公式做的有点不对,多发了两次!

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  • 蹄蹄2

    第10楼2018/07/04

    想问一下,那个束斑直径的公式能解释一下吗?里面的参数是什么看不懂,有没有来源的书籍或者什么材料呀?能告知一下吗?拜托啦

    refractories(refractories) 发表:对不起,公式做的有点不对,多发了两次!

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