怎么解释ICP

ICP-Inductive Coupled Plasma, 电感耦合等离子体

就这么简单吗?因为我公司以前用的是ICP方法测试材料铅镉含量,现在换了种方法X荧光,我想知道两者的差别以及具体原理.谢谢!

ICP的基本原理：
原子的外层电子由高能级向低能级跃迁,能量以电磁辐射的形式发射出去,这样就得到发射光谱.原子发射光谱是线状光谱.一般情况下,原子处于基态,通过电致激发,热致激发或光致激发等激发光源作用下,原子获得能量,外层电子从基态跃迁到较高能态变为激发态 ,约经10-8 s,外层电子就从高能级向较低能级或基态跃迁,多余的能量的发射可得到一条光谱线.

相关资料网上很多的，上百度一查就有了，不要那么懒嘛^_^

两者的原理是完全不一样的。
ICP是把样品溶解后在PLASMA中电离，检测元素跃迁的谱峰；
X荧光是用高能的X射线打击原子，驱逐原子内的电子儿出现空穴，使整个原子体系处于不稳定的高能激发态，激发态的寿命是非常短的，将自发的由激发态迅速回到稳定的基态，在此过程中，如果内层电子出现空穴，外层电子跃入内层电子空穴并放出能量，若这个能量没有被原子内吸收，而以辐射的方式放出，就是X射线荧光

百度搜索ICP有好多结果,大部分是ICP网络的,那简直是大海捞针.

不管如何,谢谢各位的指点!

就是在激发光源的原理上存在差别吧

试试这样填写搜索关键词：“原子发射光谱法 基本原理”或“荧光光谱法 基本原理”
应该能找到比较详细的资料的：）

ICP-AES(OES)电感耦合等离子体发射光谱.

如果是为了满足Rohs的话，X射线荧光就OK了，分析要比ICP简单一些，但如果要求很准确的话，还是要用ICP吧。