木牛谦谦
第7楼2010/10/24
解释一下,图二看上去依然是凸起来的,判断其是凹坑的依据如下:
1:图1中边缘处很亮,说明边缘处为斜面,斜面处的二次电子信号更强。但是,二次电子发生在纳米级的表面,背散射电子的交互作用区较大,所以,浅坑对二次电子信号影响几乎为零,但是对背散射电子信号却有一定的影响。
2:浅坑对背散射电子信号有一定影响,我的二次电子探头在左边,背散射探头在正上方。相对而言背散射电子信号要远强于二次电子信号,当使用背散射信号时,系统会加一个向右的偏压(用来屏蔽二次电子的影响),这样实际上背散射信号是有些向右偏的,相当于背散射探头在左边。从图2来看,左半边斜面更暗一些,说明此斜面是背着探头的,右半边斜面更亮一些,说明此斜面是冲着探头的。大家可以画个示意图,就明白了。
我稍后上传我样品室的实拍图。