加速电压对扫描电镜分辨能力影响的探讨

回8楼是说反了，谢谢指正
回九楼，第二幅图和第一幅图来自一本书，就是丁泽军教授的《微分析物理及其运用》。他是做二次电子蒙特卡洛模拟的，应该不会有什么问题。第三幅图在这本书中也有，不过我取自李香庭教授的讲义，可以直接取，取得方便些。估计李老师也是取自日本人的材料，看纵坐标的描述。纵坐标是二次电子产率，我在我看到的材料都是这样说的。
二次电子产额未必如你给出的第一张图片那样的曲线，它的影响因素太多了。我看过一篇论文最后列表给出二次电子产额和原子序数之间的对应关系。不是像你给出的那样单调曲线。加速电压、原子序数、样品的密度以及堆积情况等等许多因素，任何因素的影响情况都不是一条单调曲线能表达出来的。
我还要说明一点，第三幅图只是一个大致示意，二次电子产率还和样品有关系。只是产率高的部分出现在100-1000V加速电压之间，具体是不是一定大于一，就不好说了。而这个电压范围也不是对于所有样品都不会有荷电。只是对于大部样品会有很强的改善。而在这个电压范围之外荷电的情况就十分的严重了。
其实扫描电镜的许多东西只能是一个大致的方向但不会有一个明确的定值。特别是对于分辨率。