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物相及晶面确定(HRTEM和FFT)

透射电镜(TEM)

  • 这个可能是Si或者SiC,第一个是smooth以后做的fft,我用DM量地FFT的三个值对应的间距大约为0.271,0.236和0.219nm,是否完全对应SiC,我不能确定。是否可能这个是Si和SiC重合的,既有硅又有碳化硅,分别是哪个物相的那个晶面,请高手帮判断一下。

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  • w4m0330

    第1楼2012/01/03

    从右上部分看是在Si 112带轴附近么?转正一下带轴再看看?
    我觉得看起来右上部分应该是Si,左下部分暗的那一片可能是3C-SiC。
    如果是辨别Si和SiC应该还是很好分辨的。Si是简单的dimond结构,如果是4H,6H,15R的话很明显就能看出来差别。从楼主的图看样子应该是3C结构的SiC,通过高分辨是可以分辨出那个Si那个SiC,我觉得用002暗场更容易,也更明显。甚至可以量化做成分分析。
    因为Si 的002是消光的,SiC不消光,根据散射因子可以解出来C成分的多少与衬度的关系。

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  • byb7777

    第2楼2012/01/03

    谢谢你的回帖。

    我移动选区到右上做FFT貌似跟这个是类似的。另外002暗场是什么,我不天懂,量化成份分析如何做呢,有这方面的资料吗?
    我把这个dm3的照片上传,您能给我确定分析下吗

    w4m0330(w4m0330) 发表:从右上部分看是在Si 112带轴附近么?转正一下带轴再看看?
    我觉得看起来右上部分应该是Si,左下部分暗的那一片可能是3C-SiC。
    如果是辨别Si和SiC应该还是很好分辨的。Si是简单的dimond结构,如果是4H,6H,15R的话很明显就能看出来差别。从楼主的图看样子应该是3C结构的SiC,通过高分辨是可以分辨出那个Si那个SiC,我觉得用002暗场更容易,也更明显。甚至可以量化做成分分析。
    因为Si 的002是消光的,SiC不消光,根据散射因子可以解出来C成分的多少与衬度的关系。

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  • w4m0330

    第3楼2012/01/03

    暗场 chemical sensitive 分析的话,可以看看不莱梅大学(bremen)的Rosenauer 文章或者书。需要些时间去啃就是了。
    高分辨图,没有下载你的附近,就是直接屏幕截图,我试了试用111晶面做了strain mapping 如果认为右上方是纯Si的话,左下方是SiC,可能有Si,导致111晶面间距变小了。
    做更深入的分析建议还是找找做你们做电镜的老师吧,或者找专门做电镜的合作者。在这里提问的话,就是问题--》结论,中间的分析大多跳过了,可能产生的误差,假设条件等都很难像写学术论文那么详细的。

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  • byb7777

    第4楼2012/01/04

    好的,谢谢你的回答,不胜感激

    w4m0330(w4m0330) 发表:暗场 chemical sensitive 分析的话,可以看看不莱梅大学(bremen)的Rosenauer 文章或者书。需要些时间去啃就是了。
    高分辨图,没有下载你的附近,就是直接屏幕截图,我试了试用111晶面做了strain mapping 如果认为右上方是纯Si的话,左下方是SiC,可能有Si,导致111晶面间距变小了。
    做更深入的分析建议还是找找做你们做电镜的老师吧,或者找专门做电镜的合作者。在这里提问的话,就是问题--》结论,中间的分析大多跳过了,可能产生的误差,假设条件等都很难像写学术论文那么详细的。

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