B元素用ICP-OES测量比正常高出100倍，样品为硅粉。

应助工程师

1、假设真的是600ppm，那么硅粉加氢氟酸硝酸溶解完之后，不加热赶酸，直接稀释10000倍，相当于溶液中有60ppb的B，ICPOES测试这个浓度完全无压力。
另外，考虑到基体的影响，可能稀释10000倍后得到的浓度低于60ppb，但是也应该处于相等的级别。
如果稀释之后差别非常大，那么再另行检查。

如果觉得稀释10000倍太多，5000倍或者其他也可以考虑。另外，可以想办法找点太1或2或3级的原生多晶硅来做空白以匹配基体。

2、建议检查下您在方法里面是否公式有出错或者哪里计算错误了。简单点的，拿个标准溶液测下得到信号值，将它与样品的信号值相比下。如果样品的信号值正常那么应该是哪里计算错误。

3、把B的几条谱线都选上，看看是否其中一条谱线有异常？

4、建议您把标准溶液、样品溶液的谱图都帖出来。

理论上来说，B的污染再厉害，也不会从6ppm跳跃到600ppm的。

应助达人

1.确认下空白样品里有没硼,用于排除过程引入的污染；
2.对硅粉样品，采用平行样的方式来再重新做一次。

应助达人

楼主最好把具体的做法讲一下，比如称样量，定容体积，稀释倍数之类的。

应助达人

能介绍下硅粉吗？基本在玩具测试B中没有什么残留和记忆效应，效果还可以，楼上解释的可以！还有楼主用什么装样品的，比如玻璃中是含有B的，不过残留那么大！

应助工程师

从曲线的结果来看：
1ppm产生3860信号，空白产生834信号。因此，空白的浓度值大约为：
834*1ppm/（3860-834）=276ppb。
还是属于比较高的。

样品1、2、3不清楚是否是按照顺序1、2、3得到的结果。如果是的话，很明显是下降的趋势。那么最大的可能性是：要么稀释倍数过低导致雾化器慢慢堵了；要么硅粉用氢氟酸硝酸消解完之后没赶酸，稀释一下直接上机，也会导致慢慢堵塞的。
如果这1、2、3样品是同一批相同方法处理的话，即便是B挥发掉，也是近似的损失率。因此这个多半是雾化器堵塞引起的。
供您参考。

应助达人

玻璃中是有B，但是如果不是用HF酸的话，普通的酸不会溶出这么高的B的。

你做完标准曲线后没有做样品空白吗？如果有这个数据可以看看是不是记忆效应了，你做完5PPM就直接做样品不好说，有可能是记忆效应的。B的记忆效应是很难冲洗掉的。灵敏度也还可以，干嘛配置那么高的点啊

应助达人

楼主从样品的均匀性、前处理过程和仪器（雾化效果、质控样等）查找下原因。

建议考虑各种玻璃仪器是否使用的是硼硅玻璃